170mA FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	276,017 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05578 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	170mA	4.5V, 10V	3Ohm a 500mA, 10V	1.6V a 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 onsemi	124,722 En stock	1 : $0.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06497 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	170mA	4.5V, 10V	5Ohm a 200mA, 10V	2.5V a 250µA	1.8 nC @ 10 V	±20V	14 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-PD MOSFET P-CH -60V -0.17A SOT23 NextGen Components	18,000 Mercado	6,000 : $0.05850 Cinta y rollo (TR)	BSS	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA	4.5V, 10V	8Ohm a 150mA, 10V	2V a 250µA	1.77 nC @ 10 V	±20V	43 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	SOT-23-3
BSS123-13P MOSFET Micro Commercial Co	0 En stock Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.03484 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	170mA	4.5V, 10V	6Ohm a 170mA, 10V	2.8V a 250µA	2 nC @ 10 V	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123W-TP Interface Micro Commercial Co	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.04354 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	170mA	4.5V, 10V	6Ohm a 170mA, 10V	2.8V a 250µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	29 pF @ 25 V	-	200mW	-55°C ~ 150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84A-TP Interface Micro Commercial Co	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.04354 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA	5V, 10V	8Ohm a 100mA, 10V	2V a 250µA	-	±30V	30 pF @ 25 V	-	225mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Demostración

de 6

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.