170 A (Tc) FET simple, MOSFET

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de 64
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS3207TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Infineon Technologies
3,970
En stock
1 : $2.87000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.47900
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
170 A (Tc)
10V
4.5mOhm a 75A, 10V
4V a 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 50 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-264
IXFK170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Littelfuse Inc.
2,123
En stock
1 : $15.43000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
170 A (Tc)
10V
11mOhm a 60A, 10V
5V a 4mA
265 nC @ 10 V
±20V
19600 pF @ 25 V
-
1150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
TO-247
IXFH170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Littelfuse Inc.
187
En stock
1 : $20.92000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
170 A (Tc)
10V
7.4mOhm a 85A, 10V
4.5V a 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 25 V
-
960W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-264
IXTK170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A TO264
Littelfuse Inc.
1,059
En stock
1 : $21.64000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170 A (Tc)
10V
12mOhm a 500mA, 10V
4V a 1mA
240 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
890W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264 (IXTK)
TO-264-3, TO-264AA
8-WDFN
NTTFS4C02NTAG
MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
onsemi
2,887
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.40964
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2.25mOhm a 20A, 10V
2.2V a 250µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2980 pF @ 15 V
-
91W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
TO-220-3
CSD18542KCS
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Texas Instruments
1,046
En stock
1 : $2.64000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
44mOhm a 100A, 10V
2.2V a 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3207PBF
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Infineon Technologies
750
En stock
1 : $2.73000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
170 A (Tc)
10V
4.5mOhm a 75A, 10V
4V a 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
7600 pF @ 50 V
-
330W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-3P
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Littelfuse Inc.
177
En stock
1 : $12.23000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170 A (Tc)
10V
9mOhm a 500mA, 10V
5V a 250µA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3P
TO-3P-3, SC-65-3
TO-268
IXTT170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO268
Littelfuse Inc.
186
En stock
1 : $13.76000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170 A (Tc)
10V
9mOhm a 500mA, 10V
5V a 250µA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-268AA
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN170N65X2
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Littelfuse Inc.
271
En stock
1 : $53.35000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
170 A (Tc)
10V
13mOhm a 85A, 10V
5V a 8mA
434 nC @ 10 V
±30V
27000 pF @ 25 V
-
1170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
SQJ142ELP-T1_GE3
SQJ110EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Vishay Siliconix
554
En stock
1 : $2.11000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.80262
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170 A (Tc)
10V
6.3mOhm a 15A, 10V
3.5V a 250µA
113 nC @ 10 V
±20V
6100 pF @ 25 V
-
500W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
CSD18535KTT
CSD18542KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/170A DDPAK
Texas Instruments
213
En stock
1 : $3.46000
Cinta cortada (CT)
50 : $1.40760
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
4mOhm a 100A, 10V
2.2V a 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5070 pF @ 30 V
-
250W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (DDPAK-3)
TO-263-4, D2PAK (3 conductores + pestaña), TO-263AA
PG-TO263-3
IPB016N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
860
En stock
1 : $4.38000
Cinta cortada (CT)
800 : $2.00900
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
170 A (Tc)
6V, 10V
1.65mOhm a 100A, 10V
3.8V a 267µA
255 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 40 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN170N25X3
MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
Littelfuse Inc.
230
En stock
1 : $28.54000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
170 A (Tc)
10V
7.4mOhm a 85A, 10V
4.5V a 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
13500 pF @ 25 V
-
390W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
DMTH8008LPSQ-13
DMTH32M5LPSQ-13
MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
2,371
En stock
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.45900
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2.2mOhm a 30A, 10V
3V a 1mA
68 nC @ 10 V
±16V
3944 pF @ 25 V
-
3.2W (Ta), 100W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
TO-220-3
IXTP170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Littelfuse Inc.
326
En stock
1 : $4.37000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
170 A (Tc)
10V
5.4mOhm a 50A, 10V
4V a 250µA
109 nC @ 10 V
±20V
6860 pF @ 25 V
-
360W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
1,000
En stock
1 : $27.85000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $17.19975
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
650 V
170 A (Tc)
18V
13.6mOhm a 97.2A, 18V
5.7V a 32.4mA
176 nC @ 18 V
+23V, -5V
6054 pF @ 400 V
-
555W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF2204SPBF
MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
Infineon Technologies
0
En stock
903
Mercado
172 : $1.75000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
170 A (Tc)
10V
3.6mOhm a 130A, 10V
4V a 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
5890 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
GSFP4R310
GSGP2R608
MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Good-Ark Semiconductor
10,000
En stock
5,000 : $0.63750
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
170 A (Tc)
10V
2.6mOhm a 50A, 10V
3.9V a 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
6022 pF @ 40 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-PPAK (5.1x5.86)
8-PowerTDFN
GT038P06M
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Goford Semiconductor
776
En stock
1 : $2.50000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
5119 pF @ 30 V
-
215W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
GT700P08T
GT025N06AT
N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Goford Semiconductor
134
En stock
1 : $2.54000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
4954 pF @ 30 V
-
215W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
GT095N04D5
GT025N06AD5
N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Goford Semiconductor
3,117
En stock
1 : $2.56000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2.2mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
5044 pF @ 30 V
-
215W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN (4.9x5.75)
8-PowerTDFN
GT095N04D5
GT025N06D5
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Goford Semiconductor
6,766
En stock
1 : $2.62000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2.5mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
5125 pF @ 30 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DFN (4.9x5.75)
8-PowerTDFN
GT025N06AM6
GT025N06AM6
N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Goford Semiconductor
494
En stock
1 : $2.78000
Cinta cortada (CT)
-
-
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
4.5V, 10V
2mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
5058 pF @ 30 V
-
215W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-6
TO-263-7, D2PAK (6 conductores + pestaña)
TO-3PN
FQA170N06
MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
onsemi
0
En stock
250
Mercado
70 : $4.32000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
170 A (Tc)
10V
5.6mOhm a 85A, 10V
4V a 250µA
290 nC @ 10 V
±25V
9350 pF @ 25 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-3PN
TO-3P-3, SC-65-3
Demostración
de 64

170 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.