17.3 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTH4L160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 onsemi	552 En stock 1,800 Fábrica	Activo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	17.3 A (Tc)	20V	224mOhm a 12A, 20V	4.3V a 2.5mA	34 nC @ 20 V	+25V, -15V	665 pF @ 800 V	-	111W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SQ4401CEY-T1_GE3 AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S) Vishay Siliconix	4,780 En stock	1 : $1.64000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.49031 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	17.3 A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 10.5A, 10V	2.5V a 250µA	115 nC @ 10 V	±20V	4250 pF @ 20 V	-	7.14W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
NVH4L160N120SC1 SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 onsemi	1,253 En stock 450 Fábrica	1 : $10.36000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	17.3 A (Tc)	20V	224mOhm a 12A, 20V	4.3V a 2.5mA	34 nC @ 20 V	+25V, -15V	665 pF @ 800 V	-	111W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	TO-247-4L	TO-247-4
SQ4401EY-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO Vishay Siliconix	11,920 En stock	1 : $3.62000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.18250 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	17.3 A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 10.5A, 10V	2.5V a 250µA	115 nC @ 10 V	±20V	4250 pF @ 20 V	-	7.14W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI4110DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 17.3A 8SO Vishay Siliconix	0 En stock	Obsoleto	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	17.3 A (Tc)	10V	13mOhm a 11.7A, 10V	4V a 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	2205 pF @ 40 V	-	3.6W (Ta), 7.8W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SQ4401EY-T1_BE3 MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC Vishay Siliconix	0 En stock	1 : $2.82000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.27076 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	17.3 A (Tc)	4.5V, 10V	14mOhm a 10.5A, 10V	2.5V a 250µA	115 nC @ 10 V	±20V	4250 pF @ 20 V	-	7.14W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.