150A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
TPH2R608NH,L1Q MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	80,734 En stock	1 : $2.07000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.55000 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	150A (Tc)	10V	2.6mOhm a 50A, 10V	4V a 1mA	72 nC @ 10 V	±20V	6000 pF @ 37.5 V	-	142W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
TPH1R204PB,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	27,783 En stock	1 : $2.09000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.55750 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	6V, 10V	1.2mOhm a 50A, 10V	3V a 500µA	62 nC @ 10 V	±20V	5855 pF @ 20 V	-	960mW (Ta), 132W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
TPH1R204PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	111 En stock	1 : $2.09000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.55750 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	1.24mOhm a 50A, 10V	2.4V a 500µA	74 nC @ 10 V	±20V	7200 pF @ 20 V	-	960mW (Ta), 132W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
TPHR8504PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	30,425 En stock	1 : $2.68000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.78375 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	0.85mOhm a 50A, 10V	2.4V a 1mA	103 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 20 V	-	1W (Ta), 170W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
IAUC120N04S6L009ATMA1 MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34 Infineon Technologies	2,717 En stock	1 : $2.68000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.78575 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	960mOhm a 60A, 10V	2V a 90µA	128 nC @ 10 V	±16V	7806 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-TDSON-8-34	8-PowerTDFN
TPHR6503PL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	7,524 En stock	1 : $2.80000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.83250 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	0.65mOhm a 50A, 10V	2.1V a 1mA	110 nC @ 10 V	±20V	10000 pF @ 15 V	-	960mW (Ta), 170W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
TPWR8004PL,L1Q MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP Toshiba Semiconductor and Storage	1,199 En stock	1 : $3.95000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $1.33375 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	0.8mOhm a 50A, 10V	2.4V a 1mA	103 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 20 V	-	1W (Ta), 170W (Tc)	175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-DSOP avanzado	8-PowerVDFN
SUM60020E-GE3 MOSFET N-CH 80V 150A TO263 Vishay Siliconix	1,412 En stock	1 : $4.09000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.47639 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	150A (Tc)	7.5V, 10V	2.1mOhm a 30A, 10V	4V a 250µA	227 nC @ 10 V	±20V	10680 pF @ 40 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SUM70030E-GE3 MOSFET N-CH 100V 150A TO263 Vishay Siliconix	4,246 En stock	1 : $4.63000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.70631 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	150A (Tc)	7.5V, 10V	2.88mOhm a 30A, 10V	4V a 250µA	214 nC @ 10 V	±20V	10870 pF @ 50 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SUP60061EL-GE3 P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2 Vishay Siliconix	1,948 En stock	1 : $4.78000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	5.8mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	218 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 40 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
SUM60061EL-GE3 P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA Vishay Siliconix	4,589 En stock	1 : $6.62000 Cinta cortada (CT) 800 : $2.66438 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	80 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	6.1mOhm a 20A, 10V	2.5V a 250µA	218 nC @ 10 V	±20V	9600 pF @ 40 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IXFH150N30X3 MOSFET N-CH 300V 150A TO247 IXYS	859 En stock	1 : $21.68000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X3	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	300 V	150A (Tc)	10V	8.3mOhm a 75A, 10V	4.5V a 4mA	177 nC @ 10 V	±20V	13100 pF @ 25 V	-	890W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247 (IXTH)	TO-247-3
IXFT150N30X3HV MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV IXYS	794 En stock 420 Fábrica	1 : $22.61000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X3	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	300 V	150A (Tc)	10V	8.3mOhm a 75A, 10V	4.5V a 4mA	254 nC @ 10 V	±20V	13100 pF @ 25 V	-	890W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-268HV (IXFT)	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
IXFB150N65X2 MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 IXYS	188 En stock	1 : $33.83000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X2	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	150A (Tc)	10V	17mOhm a 75A, 10V	5.5V a 8mA	430 nC @ 10 V	±30V	20400 pF @ 25 V	-	1560W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PLUS264™	TO-264-3, TO-264AA
DMP2003UPS-13 MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8 Diodes Incorporated	1,135 En stock 27,500 Fábrica	1 : $1.89000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.51195 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	150A (Tc)	2.5V, 10V	2.2mOhm a 25A, 10V	1.4V a 250µA	177 nC @ 10 V	±12V	8352 pF @ 10 V	-	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerDI5060-8	8-PowerTDFN
TPH1R204PL1,LQ UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Toshiba Semiconductor and Storage	10,169 En stock	1 : $2.20000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.59875 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	1.24mOhm a 50A, 10V	2.4V a 500µA	74 nC @ 10 V	±20V	7200 pF @ 20 V	-	960mW (Ta), 170W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5.75)	8-PowerTDFN
TPHR6503PL1,LQ UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ Toshiba Semiconductor and Storage	10,432 En stock	1 : $2.93000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.88750 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	0.65mOhm a 50A, 10V	2.1V a 1mA	110 nC @ 10 V	±20V	10000 pF @ 15 V	-	960mW (Ta), 210W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5.75)	8-PowerTDFN
SUM40012EL-GE3 MOSFET N-CH 40V 150A TO263 Vishay Siliconix	1,135 En stock	1 : $3.43000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.20444 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	1.67mOhm a 30A, 10V	2.5V a 250µA	195 nC @ 10 V	±20V	10930 pF @ 20 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQJQ480E-T1_GE3 MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8 Vishay Siliconix	2,904 En stock	1 : $4.01000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $1.36125 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	150A (Tc)	10V	3mOhm a 20A, 10V	3.5V a 250µA	144 nC @ 10 V	±20V	8625 pF @ 25 V	-	136W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® 8 x 8	PowerPAK® 8 x 8
TPWR6003PL,L1Q MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP Toshiba Semiconductor and Storage	9,673 En stock	1 : $4.04000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $1.37500 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	150A (Tc)	4.5V, 10V	0.6mOhm a 50A, 10V	2.1V a 1mA	110 nC @ 10 V	±20V	10000 pF @ 15 V	-	960mW (Ta), 170W (Tc)	175°C	-	-	Montaje en superficie	8-DSOP avanzado	8-PowerVDFN
SUP60020E-GE3 MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB Vishay Siliconix	390 En stock	1 : $4.09000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	150A (Tc)	7.5V, 10V	2.4mOhm a 30A, 10V	4V a 250µA	227 nC @ 10 V	±20V	10680 pF @ 40 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
SUP90100E-GE3 N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO- Vishay Siliconix	745 En stock	1 : $4.59000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	150A (Tc)	7.5V, 10V	10.9mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	3930 pF @ 100 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
SUM50010E-GE3 MOSFET N-CH 60V 150A TO263 Vishay Siliconix	776 En stock	1 : $4.63000 Tira	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Tira	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	150A (Tc)	7.5V, 10V	1.75mOhm a 30A, 10V	4V a 250µA	212 nC @ 10 V	±20V	10895 pF @ 30 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SUM90100E-GE3 N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P Vishay Siliconix	1,058 En stock	1 : $4.94489 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	150A (Tc)	7.5V, 10V	11.4mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	3930 pF @ 100 V	-	375W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IXFH150N25X3 MOSFET N-CH 250V 150A TO247 IXYS	204 En stock 840 Fábrica	1 : $17.94000 Tubo	-	HiPerFET™, Ultra X3	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	150A (Tc)	10V	9mOhm a 75A, 10V	4.5V a 4mA	154 nC @ 10 V	±20V	10400 pF @ 25 V	-	780W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247 (IXTH)	TO-247-3

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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