150 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
100,058
En stock
1 : $2.01000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.55000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
150 A (Tc)
10V
2.6mOhm a 50A, 10V
4V a 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
142W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
12,999
En stock
1 : $2.13000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.59875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
1.24mOhm a 50A, 10V
2.4V a 500µA
74 nC @ 10 V
±20V
7200 pF @ 20 V
-
960mW (Ta), 170W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5.75)
8-PowerTDFN
9,984
En stock
1 : $2.60000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.78375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
0.85mOhm a 50A, 10V
2.4V a 1mA
103 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 20 V
-
1W (Ta), 170W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
34,561
En stock
1 : $2.71000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.83250
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
0.65mOhm a 50A, 10V
2.1V a 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW (Ta), 170W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
SQM120P04-04L_GE3
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Vishay Siliconix
1,298
En stock
1 : $4.09000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.47639
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
150 A (Tc)
7.5V, 10V
2.1mOhm a 30A, 10V
4V a 250µA
227 nC @ 10 V
±20V
10680 pF @ 40 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQM120P04-04L_GE3
SUM70030E-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Vishay Siliconix
2,607
En stock
1 : $4.63000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.70631
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150 A (Tc)
7.5V, 10V
2.88mOhm a 30A, 10V
4V a 250µA
214 nC @ 10 V
±20V
10870 pF @ 50 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQM120P04-04L_GE3
SUM60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Vishay Siliconix
567
En stock
1 : $6.62000
Cinta cortada (CT)
800 : $2.66438
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
80 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
6.1mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
218 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 40 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SOT-227-4, miniBLOC
IXFN180N15P
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
Littelfuse Inc.
2,263
En stock
1 : $28.91000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
150 A (Tc)
10V
11mOhm a 90A, 10V
5V a 4mA
240 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
680W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje de chasis
SOT-227B
SOT-227-4, miniBLOC
DMTH8008LPSQ-13
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
12,094
En stock
60,000
Fábrica
1 : $1.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.51195
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
150 A (Tc)
2.5V, 10V
2.2mOhm a 25A, 10V
1.4V a 250µA
177 nC @ 10 V
±12V
8352 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
29,213
En stock
1 : $2.03000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.55750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
150 A (Tc)
6V, 10V
1.2mOhm a 50A, 10V
3V a 500µA
62 nC @ 10 V
±20V
5855 pF @ 20 V
-
960mW (Ta), 132W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
4,076
En stock
1 : $2.11000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.58875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
-
2.1V a 500µA
80 nC @ 10 V
±20V
7540 pF @ 15 V
-
132W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
BUK7M6R7-40HX
PSMN1R5-25MLHX
MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
42,792
En stock
1 : $2.25000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.61841
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
1.81mOhm a 25A, 10V
2.2V a 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
3167 pF @ 12 V
-
106W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK33
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
IAUCN04S7L014ATMA1
IAUC120N04S6L009ATMA1
MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Infineon Technologies
12,119
En stock
1 : $2.68000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.78575
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
960mOhm a 60A, 10V
2V a 90µA
128 nC @ 10 V
±16V
7806 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TDSON-8-34
8-PowerTDFN
12,740
En stock
1 : $2.84000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.88750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
0.65mOhm a 50A, 10V
2.1V a 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW (Ta), 210W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5.75)
8-PowerTDFN
5,918
En stock
1 : $3.71000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.27525
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150 A (Tc)
6V, 10V
3.5mOhm a 75A, 10V
3.8V a 110µA
87 nC @ 10 V
±20V
6110 pF @ 50 V
-
166W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
SOT-1023
PSMN3R5-80YSFX
NEXTPOWER 80 V, 3.5 MOHM, 150 A,
Nexperia USA Inc.
9,153
En stock
1 : $3.82000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $1.28083
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
150 A (Tc)
7V, 10V
3.5mOhm a 25A, 10V
4V a 1mA
108 nC @ 10 V
±20V
7227 pF @ 40 V
-
294W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LFPAK56, Power-SO8
SOT-1023, 4-LFPAK
8,824
En stock
1 : $3.84000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.33375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
0.8mOhm a 50A, 10V
2.4V a 1mA
103 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 20 V
-
1W (Ta), 170W (Tc)
175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-DSOP avanzado
8-PowerVDFN
13,370
En stock
1 : $3.92000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $1.37500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
0.6mOhm a 50A, 10V
2.1V a 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
10000 pF @ 15 V
-
960mW (Ta), 170W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-DSOP avanzado
8-PowerVDFN
SQM120P04-04L_GE3
SUM70042E-GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
1,389
En stock
1 : $3.97000
Tira
Tira
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150 A (Tc)
7.5V, 10V
4mOhm a 20A, 10V
4V a 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6490 pF @ 50 V
-
278W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQM120P04-04L_GE3
SUM50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Vishay Siliconix
1,175
En stock
1 : $4.63000
Tira
Tira
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
150 A (Tc)
7.5V, 10V
1.75mOhm a 30A, 10V
4V a 250µA
212 nC @ 10 V
±20V
10895 pF @ 30 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHP23N60E-GE3
SUP60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Vishay Siliconix
968
En stock
1 : $4.78000
Granel
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
80 V
150 A (Tc)
4.5V, 10V
5.8mOhm a 20A, 10V
2.5V a 250µA
218 nC @ 10 V
±20V
9600 pF @ 40 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
SQM120P04-04L_GE3
SUM90100E-GE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Vishay Siliconix
688
En stock
1 : $4.94000
Granel
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
150 A (Tc)
7.5V, 10V
11.4mOhm a 16A, 10V
4V a 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3930 pF @ 100 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247_IXFH
IXFH150N15P
MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Littelfuse Inc.
132
En stock
1 : $12.23000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
150 A (Tc)
10V
13mOhm a 500mA, 10V
5V a 4mA
190 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
714W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
TO-264
IXFK150N30P3
MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Littelfuse Inc.
301
En stock
1 : $20.36000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
300 V
150 A (Tc)
10V
19mOhm a 75A, 10V
5V a 8mA
197 nC @ 10 V
±20V
12100 pF @ 25 V
-
1300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-264AA (IXFK)
TO-264-3, TO-264AA
TO-264
IXFB150N65X2
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Littelfuse Inc.
298
En stock
1 : $21.96000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
150 A (Tc)
10V
17mOhm a 75A, 10V
5.5V a 8mA
430 nC @ 10 V
±30V
20400 pF @ 25 V
-
1560W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PLUS264™
TO-264-3, TO-264AA
Demostración
de 115

150 A (Tc) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.