15A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

de 360

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
FQD18N20V2TM MOSFET N-CH 200V 15A DPAK onsemi	2,565 En stock Este producto tiene un límite de compra máximo.	1 : $1.94000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.54696 Cinta y rollo (TR)	-	QFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	15A (Tc)	10V	140mOhm a 7.5A, 10V	5V a 250µA	26 nC @ 10 V	±30V	1080 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta), 83W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STD18N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A DPAK STMicroelectronics	5,895 En stock	1 : $3.49000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.12500 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ V	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	15A (Tc)	10V	220mOhm a 7.5A, 10V	5V a 250µA	31 nC @ 10 V	±25V	1240 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
STL18N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT STMicroelectronics	6,719 En stock	1 : $3.80000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.26516 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ V	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	15A (Tc)	10V	240mOhm a 7.5A, 10V	5V a 250µA	31 nC @ 10 V	±25V	1240 pF @ 100 V	-	57W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN
BUK9Y72-80E,115 MOSFET N-CH 80V 15A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2,500 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.26489 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	15A (Tc)	5V, 10V	72mOhm a 5A, 10V	2.1V a 1mA	7.9 nC @ 5 V	±10V	898 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
SQJ148EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	6,572 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.26295 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	15A (Tc)	4.5V, 10V	33mOhm a 7A, 10V	2.5V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
BUK7Y102-100B,115 MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	2,850 En stock	1 : $1.11000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.30411 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15A (Tc)	10V	102mOhm a 5A, 10V	4V a 1mA	12.2 nC @ 10 V	±20V	779 pF @ 25 V	-	60W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	LFPAK56, Power-SO8	SC-100, SOT-669
TSM900N10CP ROG MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 Taiwan Semiconductor Corporation	21,095 En stock	1 : $1.18000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30454 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15A (Tc)	4.5V, 10V	90mOhm a 5A, 10V	2.5V a 250µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	1480 pF @ 50 V	-	50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SQJA64EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	9,430 En stock	1 : $1.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.29933 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	15A (Tc)	10V	32mOhm a 4A, 10V	3.5V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	45W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
STP19NF20 MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB STMicroelectronics	1,509 En stock	1 : $1.88000 Tubo	-	MESH OVERLAY™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	15A (Tc)	10V	160mOhm a 7.5A, 10V	4V a 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
STB19NF20 MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK STMicroelectronics	2,697 En stock	1 : $1.90000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.59224 Cinta y rollo (TR)	-	MESH OVERLAY™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	15A (Tc)	10V	160mOhm a 7.5A, 10V	4V a 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	800 pF @ 25 V	-	90W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SQ4410EY-T1_GE3 MOSFET N-CH 30V 15A 8SO Vishay Siliconix	870 En stock	1 : $2.07000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.58875 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15A (Tc)	4.5V, 10V	12mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	53 nC @ 10 V	±20V	2385 pF @ 25 V	-	5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RSJ151P10TL MOSFET P-CH 100V 15A LPTS Rohm Semiconductor	2,527 En stock	1 : $2.10000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.66238 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15A (Tc)	4V, 10V	120mOhm a 15A, 10V	2.5V a 1mA	64 nC @ 10 V	±20V	3800 pF @ 25 V	-	1.35W (Ta), 50W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	LPTS	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SPP15P10PLHXKSA1 MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Infineon Technologies	299 En stock	1 : $2.58000 Tubo	-	SIPMOS®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	15A (Tc)	4.5V, 10V	200mOhm a 11.3A, 10V	2V a 1.54mA	62 nC @ 10 V	±20V	1490 pF @ 25 V	-	128W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IRFZ20PBF MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB Vishay Siliconix	1,057 En stock	1 : $2.64000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	50 V	15A (Tc)	10V	100mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	17 nC @ 10 V	±20V	850 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
STB18N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK STMicroelectronics	2,770 En stock	1 : $3.64000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $1.26137 Cinta y rollo (TR)	-	MDmesh™ V	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	15A (Tc)	10V	220mOhm a 7.5A, 10V	5V a 250µA	31 nC @ 10 V	±25V	1240 pF @ 100 V	-	110W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHB15N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK Vishay Siliconix	240 En stock	1 : $4.10000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	15A (Tc)	10V	280mOhm a 8A, 10V	4V a 250µA	78 nC @ 10 V	±30V	1350 pF @ 100 V	-	180W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IGLT65R110D2ATMA1 GANFET N-CH 650V 15A 16SOP Infineon Technologies	1,256 En stock	1 : $4.41000 Cinta cortada (CT) 1,800 : $1.54700 Cinta y rollo (TR)	-	CoolGaN™ G5	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	15A (Tc)	-	140mOhm a 4A	1.6V a 1.3mA	2.4 nC @ 3 V	-10V	170 pF @ 400 V	-	55W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-HDSOP-16-8	Módulo 16-PowerSOP
FDP047AN08A0 MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3 onsemi	1,040 En stock	1 : $4.42000 Tubo	-	PowerTrench®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	15A (Tc)	6V, 10V	4.7mOhm a 80A, 10V	4V a 250µA	138 nC @ 10 V	±20V	6600 pF @ 25 V	-	310W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
FDB15N50 MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK onsemi	1,366 En stock	1 : $4.89000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.81933 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	15A (Tc)	10V	380mOhm a 7.5A, 10V	4V a 250µA	41 nC @ 10 V	±30V	1850 pF @ 25 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
IPL65R130C7AUMA1 MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON Infineon Technologies	2,894 En stock	1 : $5.06000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.85775 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™ C7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	15A (Tc)	10V	130mOhm a 4.4A, 10V	4V a 440µA	35 nC @ 10 V	±20V	1670 pF @ 400 V	-	102W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-VSON-4	4-PowerTSFN
IPB90R340C3ATMA2 MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 Infineon Technologies	508 En stock	1 : $6.16000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.28012 Cinta y rollo (TR)	-	CoolMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	900 V	15A (Tc)	10V	340mOhm a 9.2A, 10V	3.5V a 1mA	94 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
FDH047AN08A0 MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3 onsemi	398 En stock Este producto tiene un límite de compra máximo.	1 : $7.65000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	15A (Tc)	6V, 10V	4.7mOhm a 80A, 10V	4V a 250µA	138 nC @ 10 V	±20V	6600 pF @ 25 V	-	310W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
STW15NK90Z MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 STMicroelectronics	304 En stock	1 : $9.80000 Tubo	-	SuperMESH™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	900 V	15A (Tc)	10V	550mOhm a 7.5A, 10V	4.5V a 150µA	256 nC @ 10 V	±30V	6100 pF @ 25 V	-	350W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IXFH15N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD IXYS	450 En stock	1 : $18.15000 Tubo	-	HiPerFET™, Q3 Class	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1000 V	15A (Tc)	10V	1.05Ohm a 7.5A, 10V	6.5V a 4mA	64 nC @ 10 V	±30V	3250 pF @ 25 V	-	690W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-247AD (IXFH)	TO-247-3
IXTN17N120L MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B IXYS	300 En stock	1 : $56.87000 Tubo	-	Linear	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1200 V	15A (Tc)	20V	900mOhm a 8.5A, 20V	5V a 250µA	155 nC @ 15 V	±30V	8300 pF @ 25 V	-	540W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje de chasis	SOT-227B	SOT-227-4, miniBLOC

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de 360

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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