15 A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Voltaje acoplado a carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Voltaje acoplado a capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
DPAK
STD18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
STMicroelectronics
2,961
En stock
1 : $3.77000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.25000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
31 nC @ 10 V
-
±25V
1240 pF @ 100 V
1240 pF @ 100 V
-
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8PowerVDFN
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STMicroelectronics
15,173
En stock
1 : $4.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.38225
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
240mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
31 nC @ 10 V
-
±25V
1240 pF @ 100 V
1240 pF @ 100 V
-
-
57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
SIHD5N80AE-GE3
SUD15N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Vishay Siliconix
8,539
En stock
1 : $4.26000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $1.47500
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
15 A (Tc)
6V, 10V
95mOhm a 15A, 10V
2V a 250µA (mín.)
25 nC @ 10 V
25 nC @ 10 V
-
±20V
900 pF @ 25 V
900 pF @ 25 V
-
-
2.7W (Ta), 62W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
U-DFN2020-6
DMN3020UFDF-7
MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Diodes Incorporated
4,949
En stock
1 : $0.66000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15213
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
15 A (Tc)
1.5V, 4.5V
19mOhm a 4.5A, 4.5V
1V a 250µA
27 nC @ 8 V
27 nC @ 8 V
-
±12V
1304 pF @ 15 V
1304 pF @ 15 V
-
-
2.03W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
U-DFN2020-6 (típico F)
Placa descubierta 6-UDFN
MBRD6100CT-TP
MCU15N10A-TP
MOSFET N-CH 100V 15A DPAK
Micro Commercial Co
1,888
En stock
1 : $0.95000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.23750
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
110mOhm a 8A, 10V
3V a 250µA
16 nC @ 10 V
16 nC @ 10 V
-
±20V
800 pF @ 50 V
800 pF @ 50 V
-
-
50W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PowerPak SO-8L
SQJ148EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,710
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26295
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
33mOhm a 7A, 10V
2.5V a 250µA
20 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
-
±20V
600 pF @ 25 V
600 pF @ 25 V
-
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
25,282
En stock
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.25275
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
90mOhm a 5A, 10V
2.5V a 250µA
9.3 nC @ 10 V
9.3 nC @ 10 V
-
±20V
1480 pF @ 50 V
1480 pF @ 50 V
-
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
MCG30N03A-TP
MCG15P10YHE3-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
Micro Commercial Co
396
En stock
1 : $1.33000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.32255
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
110mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
20.1 nC @ 10 V
20.1 nC @ 10 V
-
±20V
1100 pF @ 25 V
1100 pF @ 25 V
-
-
50W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
DFN3333
Placa descubierta 8-VDFN
BA17818FP-E2
RD3G01BATTL1
PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
2,077
En stock
1 : $1.69000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.46516
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
39mOhm a 15A, 10V
2.5V a 1mA
19.3 nC @ 10 V
19.3 nC @ 10 V
-
±20V
1030 pF @ 20 V
1030 pF @ 20 V
-
-
25W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
FQD18N20V2TM
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
onsemi
1,122
En stock
1 : $1.89000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.53056
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
15 A (Tc)
10V
140mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
26 nC @ 10 V
26 nC @ 10 V
-
±30V
1080 pF @ 25 V
1080 pF @ 25 V
-
-
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220-3
STP19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
STMicroelectronics
642
En stock
1 : $2.01000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
15 A (Tc)
10V
160mOhm a 7.5A, 10V
4V a 250µA
24 nC @ 10 V
24 nC @ 10 V
-
±20V
800 pF @ 25 V
800 pF @ 25 V
-
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
SI9407BDY-T1-GE3
SQ4410EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Vishay Siliconix
7,477
En stock
1 : $2.07000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.55000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
12mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
53 nC @ 10 V
53 nC @ 10 V
-
±20V
2385 pF @ 25 V
2385 pF @ 25 V
-
-
5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
7,253
En stock
1 : $2.08000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.55500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
15 A (Tc)
2.5V, 4.5V
40mOhm a 7.5A, 4.5V
1.5V a 1mA
16 nC @ 4.5 V
16 nC @ 4.5 V
-
±12V
1400 pF @ 10 V
1400 pF @ 10 V
-
-
1W (Ta), 25W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
R8008ANJFRGTL
RSJ151P10TL
MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
Rohm Semiconductor
1,570
En stock
1 : $2.10000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.66238
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Tc)
4V, 10V
120mOhm a 15A, 10V
2.5V a 1mA
64 nC @ 10 V
64 nC @ 10 V
-
±20V
3800 pF @ 25 V
3800 pF @ 25 V
-
-
1.35W (Ta), 50W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
LPTS
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
D²PAK
STB19NF20
MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
STMicroelectronics
646
En stock
1 : $2.15000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.68159
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
200 V
15 A (Tc)
10V
160mOhm a 7.5A, 10V
4V a 250µA
24 nC @ 10 V
24 nC @ 10 V
-
±20V
800 pF @ 25 V
800 pF @ 25 V
-
-
90W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO252-3
SPD15P10PGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
9,277
En stock
1 : $2.18000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.62686
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Tc)
10V
240mOhm a 10.6A, 10V
2.1V a 1.54mA
48 nC @ 10 V
48 nC @ 10 V
-
±20V
1280 pF @ 25 V
1280 pF @ 25 V
-
-
128W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Infineon Technologies
4,234
En stock
1 : $2.52000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.74414
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
15 A (Tc)
4.5V, 10V
200mOhm a 11.3A, 10V
2V a 1.54mA
62 nC @ 10 V
62 nC @ 10 V
-
±20V
1490 pF @ 25 V
1490 pF @ 25 V
-
-
128W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRFZ20PBF
MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
Vishay Siliconix
1,100
En stock
1 : $2.64000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
15 A (Tc)
10V
100mOhm a 10A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
17 nC @ 10 V
-
±20V
850 pF @ 25 V
850 pF @ 25 V
-
-
40W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-220-3
AOTF15S60L
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
536
En stock
1 : $3.49000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
15 A (Tc)
10V
290mOhm a 7.5A, 10V
3.8V a 250µA
15.6 nC @ 10 V
15.6 nC @ 10 V
-
±30V
717 pF @ 100 V
717 pF @ 100 V
-
-
27.8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F
TO-220-3 paquete completo
TO-263 (D2PAK)
STB18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
STMicroelectronics
1,995
En stock
1 : $3.70000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.28341
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
31 nC @ 10 V
-
±25V
1240 pF @ 100 V
1240 pF @ 100 V
-
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220-3
FDP047AN08A0
MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
onsemi
1,150
En stock
1 : $4.29000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
75 V
15 A (Tc)
6V, 10V
4.7mOhm a 80A, 10V
4V a 250µA
138 nC @ 10 V
138 nC @ 10 V
-
±20V
6600 pF @ 25 V
6600 pF @ 25 V
-
-
310W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
FDB15N50
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
onsemi
1,786
En stock
1 : $4.74000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.77713
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
15 A (Tc)
10V
380mOhm a 7.5A, 10V
4V a 250µA
41 nC @ 10 V
41 nC @ 10 V
-
±30V
1850 pF @ 25 V
1850 pF @ 25 V
-
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-252AA
IXTY15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO252
Littelfuse Inc.
438
En stock
1 : $5.06000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
15 A (Tc)
10V
240mOhm a 7A, 10V
4.5V a 250µA
48 nC @ 10 V
48 nC @ 10 V
-
±15V
3650 pF @ 25 V
3650 pF @ 25 V
-
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263 (D2PAK)
STB16N90K5
MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
STMicroelectronics
1,360
En stock
1 : $6.52000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.61150
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
15 A (Tc)
10V
330 mOhm a 7.5A, 10V
5V a 100µA
29.7 nC @ 10 V
29.7 nC @ 10 V
-
±30V
1027 pF @ 100 V
1027 pF @ 100 V
-
-
190W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
MOSFETTO247
IPW90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3
Infineon Technologies
245
En stock
1 : $6.71000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
900 V
15 A (Tc)
10V
340mOhm a 9.2A, 10V
3.5V a 1mA
94 nC @ 10 V
94 nC @ 10 V
-
±20V
2400 pF @ 100 V
2400 pF @ 100 V
-
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Orificio pasante
PG-TO247-3-21
TO-247-3
Demostración
de 347

15 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.