14 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 306
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
306Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 306
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
2DB1184Q-13
DMP6180SK3-13
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
9,606
En stock
1 : $0.96000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.23988
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Tc)
4.5V, 10V
110mOhm a 12A, 10V
2.7V a 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
RFD14N05LSM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
onsemi
9,030
En stock
1 : $1.16000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30090
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
14 A (Tc)
5V
100mOhm a 14A, 5V
2V a 250µA
40 nC @ 10 V
±10V
670 pF @ 25 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-252AA
RFD14N05SM9A
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
onsemi
6,300
En stock
1 : $1.35000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.35874
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
14 A (Tc)
10V
100mOhm a 14A, 10V
4V a 250µA
40 nC @ 20 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
23,509
En stock
1 : $1.47000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
14 A (Tc)
10V
200mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-252AA
RFD14N05LSM
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
onsemi
33,744
En stock
10,800
Fábrica
1 : $1.48000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
14 A (Tc)
5V
100mOhm a 14A, 5V
2V a 250µA
40 nC @ 10 V
±10V
670 pF @ 25 V
-
48W (Tc)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9530NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Infineon Technologies
2,123
En stock
1 : $1.85000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.59038
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
14 A (Tc)
10V
200mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
3.8W (Ta), 79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
SIHP23N60E-GE3
IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
5,059
En stock
1 : $2.43000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
14 A (Tc)
10V
160mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3
IRF530STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Vishay Siliconix
3,049
En stock
1 : $2.46000
Cinta cortada (CT)
800 : $0.81923
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
14 A (Tc)
10V
160mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
3.7W (Ta), 88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PG-TO252-3
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Infineon Technologies
3,106
En stock
1 : $3.02000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.96400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
950 V
14 A (Tc)
10V
450mOhm a 7.2A, 10V
3.5V a 360µA
35 nC @ 10 V
±20V
1053 pF @ 400 V
-
104W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFP254PBF
IRFP450APBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
354
En stock
1 : $5.65000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
14 A (Tc)
10V
400mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
64 nC @ 10 V
±30V
2038 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
IRFP254PBF
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
2,150
En stock
1 : $5.74000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
14 A (Tc)
10V
400mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
TO-247B
APT13F120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Microchip Technology
181
En stock
1 : $10.61000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
14 A (Tc)
10V
1.4Ohm a 7A, 10V
5V a 1mA
145 nC @ 10 V
±30V
4765 pF @ 25 V
-
625W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-252 D-Pak Top
DMP6180SK3Q-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Diodes Incorporated
24,706
En stock
1,120,000
Fábrica
1 : $1.01000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.25648
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Tc)
4.5V, 10V
110mOhm a 12A, 10V
2.7V a 250µA
17.1 nC @ 10 V
±20V
984.7 pF @ 30 V
-
1.7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SI9407BDY-T1-GE3
SI4134DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vishay Siliconix
1,809
En stock
1 : $1.17000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.30177
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Tc)
4.5V, 10V
14mOhm a 10A, 10V
2.5V a 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
846 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SQJA68EP
SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Vishay Siliconix
4,024
En stock
1 : $1.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.30822
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
14 A (Tc)
4.5V, 10V
92mOhm a 4A, 10V
2.5V a 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8L
PowerPAK® SO-8L
IRFR9220TRLPBF
IRFR024TRPBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Vishay Siliconix
2,918
En stock
1 : $2.41000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.72090
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Tc)
10V
100mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD16NF25
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
STMicroelectronics
5,858
En stock
1 : $2.47000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.72580
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
14 A (Tc)
10V
235mOhm a 6.5A, 10V
4V a 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
100W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFU110PBF
IRFU024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Vishay Siliconix
2,798
En stock
1 : $2.48000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Tc)
10V
100mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251AA
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
TO-220AB Full Pack
IRFIZ24GPBF
MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Vishay Siliconix
785
En stock
1 : $2.52000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Tc)
10V
100mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 25 V
-
37W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
2,953
En stock
1 : $2.74000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.81000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
14 A (Tc)
10V
280mOhm a 7A, 10V
3V a 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 100 V
-
138W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRF644PBF
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Vishay Siliconix
1,006
En stock
1 : $4.44000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
14 A (Tc)
10V
280mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3
IRF644SPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Vishay Siliconix
338
En stock
1 : $4.70000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
14 A (Tc)
10V
280mOhm a 8.4A, 10V
4V a 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.1W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW14NK50Z
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
STMicroelectronics
184
En stock
1 : $5.36000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
14 A (Tc)
10V
380mOhm a 6A, 10V
4.5V a 100µA
92 nC @ 10 V
±30V
2000 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT14M120B
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
Microchip Technology
209
En stock
1 : $10.00000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
14 A (Tc)
10V
1.2Ohm a 7A, 10V
5V a 1mA
145 nC @ 10 V
±30V
4765 pF @ 25 V
-
625W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 [B]
TO-247-3
TO-247-3
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
STMicroelectronics
341
En stock
1 : $14.47000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1500 V
14 A (Tc)
10V
900mOhm a 7A, 10V
5V a 100µA
89 nC @ 10 V
±30V
3145 pF @ 100 V
-
446W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
Demostración
de 306

14 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.