14 A (Ta) FET simple, MOSFET

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Demostración
de 109
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
30,697
En stock
1 : $1.11000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.27654
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
11.5mOhm a 14A, 10V
3V a 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
9,408
En stock
1 : $1.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.47344
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
38 V
14 A (Ta)
10V, 20V
10mOhm a 14A, 20V
3.5V a 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3800 pF @ 20 V
-
3.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
11,647
En stock
1 : $3.21000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.00611
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
200 V
14 A (Ta)
5V
22mOhm a 14A, 5V
2.5V a 2mA
5.9 nC @ 5 V
+6V, -4V
600 pF @ 100 V
-
-
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Molde
Molde
IRF8721TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
6,298
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.23306
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
8.5mOhm a 14A, 10V
2.35V a 25µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1040 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
2DB1184Q-13
DMP4015SK3-13
MOSFET P-CH 40V 14A TO252
Diodes Incorporated
3,705
En stock
42,500
Fábrica
1 : $0.88000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.34440
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
11mOhm a 9.8A, 10V
2.5V a 250µA
47.5 nC @ 5 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8 SO
DMT6010LSS-13
MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Diodes Incorporated
4,522
En stock
2,500
Fábrica
1 : $1.31000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.50286
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
8mOhm a 20A, 10V
2V a 250µA
41.3 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 30 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7458TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Infineon Technologies
18,392
En stock
1 : $1.33000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.59413
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
10V, 16V
8mOhm a 14A, 16V
4V a 250µA
59 nC @ 10 V
±30V
2410 pF @ 15 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
BA17818FP-E2
RD3L140SPFRATL
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Rohm Semiconductor
7,433
En stock
1 : $1.57000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.57875
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Ta)
4V, 10V
84mOhm a 14A, 10V
3V a 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
BA17818FP-E2
RD3L140SPTL1
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Rohm Semiconductor
28,492
En stock
1 : $2.25000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.61875
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Ta)
4V, 10V
84mOhm a 14A, 10V
3V a 1mA
27 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIS176LDN-T1-GE3
SI7108DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
12,211
En stock
1 : $2.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.81250
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
4.9mOhm a 22A, 10V
2V a 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-SMD, Flat Leads
ECH8420-TL-H
MOSFET N-CH 20V 14A 8ECH
onsemi
4,459
En stock
15,000
Fábrica
1 : $1.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.34906
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
14 A (Ta)
1.8V, 4.5V
6.8mOhm a 7A, 4.5V
-
29 nC @ 4.5 V
±12V
2430 pF @ 10 V
-
1.6W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-ECH
8-SMD, conductores planos
3,701
En stock
1 : $1.93000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.63449
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
7mOhm a 14A, 10V
-
80 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 10 V
-
2.5W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
RRH140P03TB1
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Rohm Semiconductor
13,274
En stock
1 : $2.00000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.13250
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4V, 10V
7mOhm a 14A, 10V
2.5V a 1mA
80 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 10 V
-
650mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI9407BDY-T1-GE3
SI4430BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vishay Siliconix
1,590
En stock
1 : $2.46000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.92500
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
4.5mOhm a 20A, 10V
3V a 250µA
36 nC @ 4.5 V
±20V
-
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RXH070N03TB1
RRH140P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,252
En stock
1 : $2.88000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.03250
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4V, 10V
7mOhm a 14A, 10V
2.5V a 1mA
150 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 10 V
-
650mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SISHA04DN-T1-GE3
SISH108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Vishay Siliconix
5,971
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.22950
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
4.9mOhm a 22A, 10V
2V a 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
8 PowerWDFN
NVTFS4C13NWFTAG
MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
onsemi
1,450
En stock
67,500
Fábrica
1 : $1.18000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.50694
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
9.4mOhm a 30A, 10V
2.1V a 250µA
15.2 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 15 V
-
3W (Ta), 26W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 PowerWDFN
NVTFS4C13NETAG
MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
onsemi
345
En stock
30,000
Fábrica
1 : $1.45000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.41419
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
9.4mOhm a 30A, 10V
2.1V a 250µA
15.2 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 15 V
-
3W (Ta), 26W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
4,080
En stock
1 : $1.63000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.41507
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Ta)
6.5V, 10V
14mOhm a 7A, 10V
4V a 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
1.6W (Ta), 32W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
SIS176LDN-T1-GE3
SI7108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
5,905
En stock
1 : $2.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.85000
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
4.9mOhm a 22A, 10V
2V a 250µA
30 nC @ 4.5 V
±16V
-
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
RXH070N03TB1
RS3L140GNGZETB
NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14
Rohm Semiconductor
2,490
En stock
1 : $3.68000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.30340
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
6.5mOhm a 14A, 10V
2.7V a 500µA
58 nC @ 10 V
±20V
2980 pF @ 30 V
-
1.4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8 PowerWDFN
NVTFS4C13NWFTWG
MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
onsemi
44,980
En stock
1 : $1.29000
Cinta cortada (CT)
5,000 : $0.47350
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
9.4mOhm a 30A, 10V
2.1V a 250µA
15.2 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 15 V
-
3W (Ta), 26W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-WDFN (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
8 SO
DMP3007LSS-13
MOSFET P-CH 30V 14A 8SO T&R 2
Diodes Incorporated
2,616
En stock
1 : $1.30000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.37909
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4V, 10V
7mOhm a 17A, 10V
2.8V a 250µA
64.2 nC @ 10 V
±25V
2826 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
FDS86242
FDS6682
MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
onsemi
0
En stock
8,632
Mercado
764 : $0.39000
Granel
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
4.5V, 10V
7.5mOhm a 14A, 10V
3V a 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
2,009,298
Mercado
738 : $0.41000
Granel
-
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
14 A (Ta)
-
11.1mOhm a 7A, 10V
-
6 nC @ 4.5 V
-
980 pF @ 10 V
-
10W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-HWSON (3.3x3.3)
8-PowerWDFN
Demostración
de 109

14 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.