13.2 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 3
Fabricante
onsemiVishay Siliconix
Serie
QFET®TrenchFET®
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Tubo
Estado del producto
ActivoObsoleto
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
125mOhm a 6.6A, 10V134mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 250µA4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
50 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1480 pF @ 50 V1500 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK® 1212-8TO-220-3 paquete completo
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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de 3
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
17,043
En stock
1 : $1.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.66175
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
13.2 A (Tc)
4.5V, 10V
134mOhm a 4A, 10V
3V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
16,410
En stock
1 : $2.80000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.26270
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
13.2 A (Tc)
4.5V, 10V
134mOhm a 4A, 10V
3V a 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W (Ta), 52W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-220F
FQPF22P10
MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F
onsemi
0
En stock
Obsoleto
Tubo
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
13.2 A (Tc)
10V
125mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
Demostración
de 3

13.2 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.