12 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 488
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.
Serie
-*aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CPCoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIE
Embalaje
CajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V180 V200 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V2.5V, 10V2.5V, 4.5V4V, 10V4.5V, 10V5V5V, 10V6V, 10V9V, 20V10V10V, 12V12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.5mOhm a 6A, 10V9mOhm a 11A, 10V9mOhm a 6A, 10V9.4mOhm a 15.7A, 4.5V10mOhm a 12A, 10V10mOhm a 9.3A, 10V10.5mOhm a 6A, 10V11mOhm a 9.7A, 4.5V11.3mOhm a 1A, 4.5V11.5mOhm a 10A, 10V11.9mOhm a 12A, 10V12mOhm a 5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
800mV a 250µA850mV a 250µA900mV a 250µA1V a 250µA1.2V a 250µA1.4V a 250µA1.5V a 250µA2V a 1mA2V a 250µA2.1V a 1mA2.1V a 250µA2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.3 nC @ 12 V2.8 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V7.3 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 5 V8.5 nC @ 10 V9.6 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 5 V10.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -20V±5V±8V±10V±12V±15V±16V±18V+20V, -1V±20V+22V, -20V±22V+23V, -10V+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
256 pF @ 25 V258 pF @ 1.2 kV290 pF @ 400 V300 pF @ 25 V300 pF @ 30 V300 pF @ 1000 V315 pF @ 25 V350 pF @ 25 V398 pF @ 15 V405 pF @ 15 V435 pF @ 15 V440 pF @ 30 V
Característica de FET
-Detección de corriente
Disipación de potencia (Máx.)
1W (Ta), 23W (Tc)1.5W (Tc)1.56W (Ta), 107W (Tc)1.56W (Ta), 40W (Tc)1.7W (Tc)2W (Ta), 20W (Tc)2W (Ta), 50W (Tc)2W (Tc)2.23W (Ta), 40W (Tc)2.4W (Ta), 5W (Tc)2.5W (Ta)2.5W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/592
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-DFN (2x2)8-DFN (3.15x3.05)8-DFN (5x6)8-HSMT (3.2x3)8-SO8-SOIC8-SOP8-VSONP (3x3.3)16-DFN (8x8)D2PAKD3PAKDFN2020Y7LSAA
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerTSFNPlaca descubierta 6-UDFNPlaca descubierta 6-WDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)16-PowerVDFNConductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AAConductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AAConductores stub TO-251-3, IPAKISOPLUS220™Paquete completo TO-262-3, I2PAK
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
488Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 488
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
103,274
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.20716
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
115mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2.5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
29,151
En stock
1 : $0.73000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17144
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
40 V
12 A (Tc)
2.5V, 10V
26mOhm a 9A, 10V
1.4V a 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
119,886
En stock
110,000
Fábrica
1 : $0.74000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.21935
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
140mOhm a 5A, 10V
3V a 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
324,412
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.19500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
44mOhm a 12A, 10V
3V a 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIS176LDN-T1-GE3
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
39,865
En stock
1 : $0.95000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23210
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
24mOhm a 7.8A, 10V
2.5V a 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
30,631
En stock
1 : $0.95000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.23081
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
47mOhm a 4.4A, 10V
2.2V a 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
5,314
En stock
1 : $1.00000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24492
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
8 V
12 A (Tc)
1.2V, 4.5V
9.4mOhm a 15.7A, 4.5V
800mV a 250µA
25.2 nC @ 5 V
±5V
1508 pF @ 4 V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
57,465
En stock
1 : $1.02000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.28736
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
29mOhm a 8A, 10V
2V a 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-223
TO-261-4, TO-261AA
TO-220AB PKG
IRF9Z24NPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Infineon Technologies
3,992
En stock
1 : $1.21000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
55 V
12 A (Tc)
10V
175mOhm a 7.2A, 10V
4V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-252AA
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
9,770
En stock
1 : $1.26000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.39724
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
12 A (Tc)
10V
135mOhm a 6A, 10V
4V a 250µA
27 nC @ 10 V
±25V
900 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 44W (Tc)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
6,437
En stock
1 : $1.77000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.49200
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm a 3.8A, 10V
4V a 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRF9530PBF
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
10,901
En stock
1 : $2.54000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
100 V
12 A (Tc)
10V
300mOhm a 7.2A, 10V
4V a 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
PG-TO263-3
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
1,370
En stock
1 : $2.58000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.84716
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mOhm a 3.8A, 10V
4V a 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,935
En stock
1 : $2.71000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.79750
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
12 A (Tc)
6V, 10V
213mOhm a 1A, 4V
3.5V a 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
DPAK
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,826
En stock
1 : $3.93000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.32078
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
12 A (Tc)
10V
299mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRFP254PBF
IRFP9240PBF
MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3
Vishay Siliconix
3,620
En stock
1 : $4.21000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
12 A (Tc)
10V
500mOhm a 7.2A, 10V
4V a 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AC
TO-247-3
TO-220-F
STF13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STMicroelectronics
1,655
En stock
1 : $4.63000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
12 A (Tc)
10V
450mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
29 nC @ 10 V
±30V
870 pF @ 100 V
-
35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-247-3 HiP
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectronics
1,177
En stock
1 : $10.75000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STMicroelectronics
880
En stock
1 : $11.03000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
H2PAK
STH13N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,942
En stock
1 : $11.24000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.36250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
H2PAK
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
2,013
En stock
1 : $12.58000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $6.21350
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1200 V
12 A (Tc)
10V
690mOhm a 6A, 10V
5V a 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
H2PAK-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-268
IXTT12N150HV
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
Littelfuse Inc.
266
En stock
300 : $40.57263
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1500 V
12 A (Tc)
10V
-
4.5V a 250µA
106 nC @ 10 V
±30V
3720 pF @ 25 V
-
890W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-268AA
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
PowerPak SC-70-6 Single
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
165,068
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10726
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
26.5mOhm a 5A, 10V
3V a 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
15.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6 simple
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
36,031
En stock
1 : $0.66000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12182
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
12 A (Tc)
1.8V, 4.5V
33mOhm a 5.2A, 4.5V
1V a 250µA
45 nC @ 8 V
±8V
1300 pF @ 10 V
-
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA462DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
6,506
En stock
1 : $0.66000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15228
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
12 A (Tc)
4.5V, 10V
18mOhm a 9A, 10V
2.4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 15 V
-
3.5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® SC-70-6 simple
PowerPAK® SC-70-6
Demostración
de 488

12 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.