12.5A (Tc) FET simple, MOSFET

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Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
PG-TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
75,260
En stock
1 : $1.31000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.33320
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-SOT223
IPN70R360P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Infineon Technologies
2,910
En stock
1 : $1.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.32511
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
7.2W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223
TO-261-4, TO-261AA
6-PowerVDFN
IRL80HS120
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Infineon Technologies
16,007
En stock
1 : $1.44000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.35353
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
12.5A (Tc)
4.5V, 10V
32mOhm a 7.5A, 10V
2V a 10µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
540 pF @ 25 V
-
11.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
6-PowerVDFN
PG-TO220 Full Pack
IPA70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Infineon Technologies
533
En stock
1 : $1.57000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
26.4W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220 paquete completo
TO-220-3 paquete completo
PG-TO251-3
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Infineon Technologies
0
En stock
1,463
Mercado
444 : $0.68000
Granel
-
Granel
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 400 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO251-3
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FQPF13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
Fairchild Semiconductor
2,475
Mercado
151 : $1.99000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12.5A (Tc)
10V
430mOhm a 6.25A, 10V
5V a 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
PG-TO220-FP
IPAN70R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
Infineon Technologies
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $1.66000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
26.5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-FP
TO-220-3 paquete completo
0
En stock
5,000 : $0.13740
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
12.5A (Tc)
4.5V, 10V
50mOhm a 8A, 10V
3V a 250µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
12.5W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TO-220F-3
FQPF13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
onsemi
0
En stock
1,000 : $1.23267
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12.5A (Tc)
10V
430mOhm a 6.25A, 10V
5V a 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
PG-TO251-3
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
Infineon Technologies
5
En stock
1 : $1.44000
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
700 V
12.5A (Tc)
10V
360mOhm a 3A, 10V
3.5V a 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.5W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO251-3
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
IGT65R140D2ATMA1
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Infineon Technologies
0
En stock
2,000 : $7.78800
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
600 V
12.5A (Tc)
-
-
1.6V a 960µA
-
-10V
157 pF @ 400 V
-
55.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-HSOF-8-3
8-PowerSFN
TO-247_IXFH
IXFH13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
IXYS
0
En stock
30 : $9.59967
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
12.5A (Tc)
10V
900mOhm a 500mA, 10V
4.5V a 4mA
155 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247AD (IXFH)
TO-247-3
TO-268
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
IXYS
0
En stock
30 : $11.07167
Tubo
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
1000 V
12.5A (Tc)
10V
900mOhm a 500mA, 10V
4.5V a 4mA
155 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-
-
-
Montaje en superficie
TO-268AA
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
TO-220-3
FQP13N50
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220-3
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12.5A (Tc)
10V
430mOhm a 6.25A, 10V
5V a 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220-3
TO-220-3
TO-220F-3
FQPF13N50T
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
12.5A (Tc)
10V
430mOhm a 6.25A, 10V
5V a 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2300 pF @ 25 V
-
56W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F-3
TO-220-3 paquete completo
TO-220-3FullPack_SOT186A
PHX18NQ11T,127
MOSFET N-CH 110V 12.5A TO220F
NXP USA Inc.
0
En stock
Obsoleto
-
Tubo
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
110 V
12.5A (Tc)
10V
90mOhm a 9A, 10V
4V a 1mA
21 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 25 V
-
31.2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220F
TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
Demostración
de 16

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

  • Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
  • Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

  1. Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
  2. Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
  3. Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.