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11 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 412
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412Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo

Demostración
de 412
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252AA (DPAK)
IRFR9024NTRPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
11,505
En stock
1 : $1.21000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.37065
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
55 V
11 A (Tc)
10V
175mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
DPAK
STD13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
2,482
En stock
1 : $1.45000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.49776
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11 A (Tc)
10V
380mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
21,620
En stock
1 : $2.13000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
11 A (Tc)
10V
500mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
1,064
En stock
1 : $2.36000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.61508
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
11 A (Tc)
10V
500mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
DPAK
STD13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
2,992
En stock
1 : $2.90000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.19488
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11 A (Tc)
10V
360mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
790 pF @ 50 V
-
90W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO252-3
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Infineon Technologies
5,379
En stock
1 : $2.92000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.91896
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11 A (Tc)
10V
225mOhm a 4.8A, 10V
4V a 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
PG-TO220-3-1
SPP11N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Infineon Technologies
3,465
En stock
1 : $3.59000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
11 A (Tc)
10V
450mOhm a 7.1A, 10V
3.9V a 680µA
85 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 100 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO220-3-1
TO-220-3
D²PAK
STB11NM80T4
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
STMicroelectronics
654
En stock
1 : $7.72000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.57338
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
11 A (Tc)
10V
400mOhm a 5.5A, 10V
5V a 250µA
43.6 nC @ 10 V
±30V
1630 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
7,019
En stock
1 : $9.18000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.11250
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Última compra
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
900 V
11 A (Tc)
15V
360mOhm a 7.5A, 15V
3.5V a 1.2mA
9.5 nC @ 15 V
+18V, -8V
150 pF @ 600 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA
TO-247
IXTH11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Littelfuse Inc.
106
En stock
1 : $11.96000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11 A (Tc)
10V
750mOhm a 5.5A, 10V
5V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247 (IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Littelfuse Inc.
342
En stock
1 : $13.82000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11 A (Tc)
10V
750mOhm a 5.5A, 10V
5V a 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 25 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-268AA
TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
TO-247-4
MSC400SMA330B4
MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24
Microchip Technology
175
En stock
1 : $32.11000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
SiCFET (Carburo de silicio)
3300 V
11 A (Tc)
20V
520mOhm a 5A, 20V
2.97V a 1mA
37 nC @ 20 V
+23V, -10V
579 pF @ 2400 V
-
131W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-4
TO-247-4
TO-252AA
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
onsemi
35,400
En stock
1 : $0.72000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.25957
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Tc)
5V
107mOhm a 8A, 5V
3V a 250µA
11.3 nC @ 10 V
±16V
350 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
6-PowerVDFN
IRL100HS121
MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
Infineon Technologies
7,838
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.28421
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
11 A (Tc)
4.5V, 10V
42mOhm a 6.7A, 10V
2.3V a 10µA
5.6 nC @ 4.5 V
±20V
440 pF @ 50 V
-
11.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
6-PowerVDFN
35,903
En stock
1 : $0.99000
Tubo
-
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Tc)
4.5V, 10V
90mOhm a 6A, 10V
2.5V a 250µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-251 (IPAK)
Conductores stub TO-251-3, IPAK
TO-252AA
FQD13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
onsemi
11,710
En stock
1 : $0.99000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.26928
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Tc)
5V, 10V
115mOhm a 5.5A, 10V
2.5V a 250µA
6.4 nC @ 5 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IPAK (TO-251AA)
IRFU9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Infineon Technologies
5,196
En stock
1 : $1.13000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
55 V
11 A (Tc)
10V
175mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
IPAK (TO-251AA)
Conductores cortos TO-251-3, IPAK, TO-251AA
TO-252AA (DPAK)
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
18,964
En stock
1 : $1.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.33495
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
55 V
11 A (Tc)
10V
175mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
8-PowerVDFN
STL11N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,045
En stock
1 : $1.57000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.52724
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
11 A (Tc)
4.5V, 10V
7.5mOhm a 5.5A, 10V
1V a 250µA (mín.)
17 nC @ 4.5 V
±20V
1690 pF @ 24 V
-
2W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (3.3x3.3)
8-PowerVDFN
SIHP23N60E-GE3
IRF9Z24PBF
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
4,995
En stock
1 : $2.02000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
11 A (Tc)
10V
280mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
60W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-220FP
STF13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,372
En stock
1 : $2.25000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11 A (Tc)
10V
380mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
580 pF @ 100 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Infineon Technologies
11,678
En stock
1 : $2.39000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.77138
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
800 V
11 A (Tc)
10V
450mOhm a 4.5A, 10V
3.5V a 220µA
24 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 500 V
-
73W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-2
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
SIHP23N60E-GE3
IRFB11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
568
En stock
1 : $2.46000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
500 V
11 A (Tc)
10V
520mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
52 nC @ 10 V
±30V
1423 pF @ 25 V
-
170W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3
IRF9640STRRPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
4,225
En stock
1 : $2.58000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.61508
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
200 V
11 A (Tc)
10V
500mOhm a 6.6A, 10V
4V a 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
TO-220FP
STF13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,040
En stock
1 : $2.77000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
600 V
11 A (Tc)
10V
360mOhm a 5.5A, 10V
4V a 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
790 pF @ 50 V
-
25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
Demostración
de 412

11 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.