11 A (Ta), 63 A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
ISC104N12LM6ATMA1 OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V Infineon Technologies	5,477 En stock	1 : $2.00000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.76562 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ 6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	120 V	11 A (Ta), 63 A (Tc)	3.3V, 10V	10.4mOhm a 28A, 10V	2.2V a 35µA	26 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 60 V	-	3W (Ta), 94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TDSON-8	8-PowerTDFN
IRFH5110TR2PBF MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN Infineon Technologies	0 En stock	1 : $2.67000 Cinta cortada (CT)	-	-	Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	11 A (Ta), 63 A (Tc)	-	12.4mOhm a 37A, 10V	4V a 100µA	72 nC @ 10 V	-	3152 pF @ 25 V	-	-	-	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (5x6)	8-PowerVDFN
IRFH5110TRPBF MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN Infineon Technologies	0 En stock	Obsoleto	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	11 A (Ta), 63 A (Tc)	10V	12.4mOhm a 37A, 10V	4V a 100µA	72 nC @ 10 V	±20V	3152 pF @ 25 V	-	3.6W (Ta), 114W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PQFN (5x6)	8-PowerVDFN

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.