11 A (Ta), 20 A (Tc) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
BSZ100N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON Infineon Technologies	80,103 En stock	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.39250 Cinta y rollo (TR)	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	11 A (Ta), 20 A (Tc)	4.5V, 10V	10mOhm a 20A, 10V	2.2V a 23µA	45 nC @ 10 V	±20V	3500 pF @ 30 V	-	2.1W (Ta), 50W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PG-TSDSON-8	8-PowerVDFN
UPA2706GR-E1-A UPA2706GR-E1-A - MOS FIELD EFFEC Renesas	10,000 Mercado	263 : $1.14000 Granel	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	11 A (Ta), 20 A (Tc)	4V, 10V	15mOhm a 5.5A, 10V	2.5V a 1mA	7.1 nC @ 5 V	±20V	660 pF @ 10 V	-	3W (Ta), 15W (Tc)	150°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA2706GR-E2-AT UPA2706GR-E2-AT - MOS FIELD EFFE Renesas	19,759 Mercado	258 : $1.16000 Granel	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	11 A (Ta), 20 A (Tc)	4V, 10V	15mOhm a 5.5A, 10V	2.5V a 1mA	7.1 nC @ 5 V	±20V	660 pF @ 10 V	-	3W (Ta), 15W (Tc)	150°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)
UPA2706GR-E1-AT UPA2706GR-E1-AT - MOS FIELD EFFE Renesas	7,500 Mercado	258 : $1.16000 Granel	-	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	11 A (Ta), 20 A (Tc)	4V, 10V	15mOhm a 5.5A, 10V	2.5V a 1mA	7.1 nC @ 5 V	±20V	660 pF @ 10 V	-	3W (Ta), 15W (Tc)	150°C	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.173", 4.40mm de ancho)

Demostración

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.