11.5A (Tc) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
FQB12P20TM MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK onsemi	5,393 En stock	1 : $2.77000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.94021 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	QFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	200 V	11.5A (Tc)	10V	470mOhm a 5.75A, 10V	5V a 250µA	40 nC @ 10 V	±30V	1200 pF @ 25 V	-	3.13W (Ta), 120W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
GAN190-650FBEZ 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc.	1,519 En stock	1 : $5.34000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.33750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	11.5A (Tc)	6V	190mOhm a 3.9A, 6V	2.5V a 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V, -1.4V	96 pF @ 400 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN5060-5	8-PowerVDFN
GAN190-650EBEZ 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE Nexperia USA Inc.	1,543 En stock	1 : $5.78000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.42500 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	11.5A (Tc)	6V	190mOhm a 3.9A, 6V	2.5V a 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V, -1.4V	96 pF @ 400 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN8080-8	Placa descubierta 8-VDFN
SQD10950E_GE3 MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA Vishay Siliconix	2,746 En stock	1 : $1.99000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.57736 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	11.5A (Tc)	7.5V, 10V	162mOhm a 12A, 10V	3.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±20V	785 pF @ 25 V	-	62W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-252AA	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
TK290P60Y,RQ MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,355 En stock	1 : $2.88000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.86625 Cinta y rollo (TR)	-	DTMOSV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	11.5A (Tc)	10V	290mOhm a 5.8A, 10V	4V a 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FDB12N50TM MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK onsemi	505 En stock	1 : $3.05000 Cinta cortada (CT) 800 : $1.05044 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	11.5A (Tc)	10V	650mOhm a 6A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1315 pF @ 25 V	-	165W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
CDF56G6511N TR13 PBFREE 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN Central Semiconductor Corp	2,242 En stock	1 : $4.96000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.18750 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	11.5A (Tc)	6V	190mOhm a 3.9A, 6V	2.5V a 12.2mA	2.8 nC @ 6 V	+7V, -1.4V	96 pF @ 400 V	-	1.1W (Ta), 84W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie, lateral humedecible	8-DFN (5x6)	8-PowerVDFN
TK290P65Y,RQ MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK Toshiba Semiconductor and Storage	3,866 En stock	1 : $3.16000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.98125 Cinta y rollo (TR)	-	DTMOSV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11.5A (Tc)	10V	290mOhm a 5.8A, 10V	4V a 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DPAK	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FDPF12N50NZ MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F onsemi	1,012 En stock	1 : $2.66000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET-II™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	11.5A (Tc)	10V	520mOhm a 5.75A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	1235 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
IRFS350A MOSFET N-CH 400V 11.5A TO3PF Fairchild Semiconductor	188 Mercado	107 : $2.81000 Tubo	-	-	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	11.5A (Tc)	10V	300mOhm a 5.75A, 10V	4V a 250µA	131 nC @ 10 V	±30V	2780 pF @ 25 V	-	92W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-3PF	TO-3P-3 paquete completo
FDPF12N50T MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F onsemi	880 En stock	Obsoleto	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	11.5A (Tc)	10V	650mOhm a 6A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1315 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FDPF12N50NZ POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	1,000 Mercado	209 : $1.44000 Granel	-	UniFET-II™	Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	11.5A (Tc)	10V	520mOhm a 5.75A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±25V	1235 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
FDPF12N50FT POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Fairchild Semiconductor	24,145 Mercado	195 : $1.54000 Granel	-	UniFET™	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	11.5A (Tc)	10V	700mOhm a 6A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1395 pF @ 25 V	-	42W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F-3	TO-220-3 paquete completo
BUK9M120-100EX MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33 Nexperia USA Inc.	771 En stock	1 : $0.96000 Cinta cortada (CT) 1,500 : $0.24329 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	11.5A (Tc)	5V	119mOhm a 5A, 10V	2.05V a 1mA	8.8 nC @ 5 V	±10V	882 pF @ 25 V	-	44W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	LFPAK33	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 conductores)
TK290A65Y,S4X MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	50 En stock	1 : $3.07000 Tubo	-	DTMOSV	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11.5A (Tc)	10V	290mOhm a 5.8A, 10V	4V a 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	35W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
TK290A60Y,S4X MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $2.84000 Tubo	-	DTMOSV	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	11.5A (Tc)	10V	290mOhm a 5.8A, 10V	4V a 450µA	25 nC @ 10 V	±30V	730 pF @ 300 V	-	35W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
AOTF12N30 MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1,000 : $0.50527 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	300 V	11.5A (Tc)	10V	420mOhm a 6A, 10V	4.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	36W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F	TO-220-3 paquete completo
AOT12N30L MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock	1,000 : $0.50807 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	300 V	11.5A (Tc)	10V	420mOhm a 6A, 10V	4.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	132W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
AOI468 MOSFET N CH 300V 11.5A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,500 : $0.60003 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	300 V	11.5A (Tc)	10V	420mOhm a 6A, 10V	4.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-50°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-251A	Conductores stub TO-251-3, IPAK
AOD468 MOSFET N CH 300V 11.5A TO252 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	2,500 : $0.60023 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	300 V	11.5A (Tc)	10V	420mOhm a 6A, 10V	4.5V a 250µA	16 nC @ 10 V	±30V	790 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-50°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252 (DPAK)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRF7420TR MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO Infineon Technologies	0 En stock	4,000 : $0.80250 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	11.5A (Tc)	1.8V, 4.5V	14mOhm a 11.5A, 4.5V	900mV a 250µA	38 nC @ 4.5 V	±8V	3529 pF @ 10 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
FDP12N50 MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3 onsemi	0 En stock	1,000 : $0.96687 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	UniFET™	Tubo	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	500 V	11.5A (Tc)	10V	650mOhm a 6A, 10V	5V a 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	1315 pF @ 25 V	-	165W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
SSFU6511 MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650 Good-Ark Semiconductor	23 En stock	1 : $1.40000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11.5A (Tc)	10V	360mOhm a 7A, 10V	4V a 250µA	19 nC @ 10 V	±30V	870 pF @ 50 V	-	32.6W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220F	TO-220-3 paquete completo
RM12N650T2 MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3 Rectron USA	0 Mercado	2,000 : $1.45000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	11.5A (Tc)	10V	360mOhm a 7A, 10V	4V a 250µA	-	±30V	870 pF @ 50 V	-	101W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
BTS113AE3045ANTMA1 MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB Infineon Technologies	0 En stock	1,000 : $2.63888 Cinta y rollo (TR)	-	TEMPFET®	Cinta y rollo (TR)	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	11.5A (Tc)	4.5V	170mOhm a 5.8A, 4.5V	2.5V a 1mA	-	±10V	560 pF @ 25 V	-	40W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-220AB	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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