10A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 213

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	15,889 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13553 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	10A (Ta)	1.5V, 4.5V	15.3mOhm a 4A, 4.5V	1V a 1mA	29.9 nC @ 4.5 V	±8V	2600 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
AO4484 MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	94,712 En stock	1 : $0.90000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21656 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	10mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	1950 pF @ 20 V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
FDMA905P MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET onsemi	7,399 En stock	1 : $0.99000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24135 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	10A (Ta)	1.8V, 4.5V	16mOhm a 10A, 4.5V	1V a 250µA	29 nC @ 6 V	±8V	3405 pF @ 6 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
NTF6P02T3G MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 onsemi	13,950 En stock 64,000 Fábrica	1 : $1.25000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.30709 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	10A (Ta)	2.5V, 4.5V	50mOhm a 6A, 4.5V	1V a 250µA	20 nC @ 4.5 V	±8V	1200 pF @ 16 V	-	8.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
AO4485 MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC Alpha & Omega Semiconductor Inc.	16,893 En stock	1 : $1.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.33700 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	15mOhm a 10A, 10V	2.5V a 250µA	55 nC @ 10 V	±20V	3000 pF @ 20 V	-	1.7W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
IRF7416TRPBF MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Infineon Technologies	17,114 En stock	1 : $1.51000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.38553 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	20mOhm a 5.6A, 10V	1V a 250µA	92 nC @ 10 V	±20V	1700 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
NVF6P02T3G MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 onsemi	13,916 En stock	1 : $1.81000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.48009 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	10A (Ta)	2.5V, 4.5V	50mOhm a 6A, 4.5V	1V a 250µA	20 nC @ 4.5 V	±8V	1200 pF @ 16 V	-	8.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
EPC2014C GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE EPC	12,967 En stock	1 : $2.20000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.63449 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	40 V	10A (Ta)	5V	16mOhm a 10A, 5V	2.5V a 2mA	2.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	300 pF @ 20 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
FDS5670 MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC onsemi	8,960 En stock	1 : $2.78000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.83715 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	10A (Ta)	6V, 10V	14mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	70 nC @ 10 V	±20V	2900 pF @ 15 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
DMN3016LFDE-7 MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN Diodes Incorporated	7,789 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12592 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	12mOhm a 11A, 10V	2V a 250µA	25.1 nC @ 10 V	±20V	1415 pF @ 15 V	-	730mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico E)	6-PowerUDFN
DMG4496SSS-13 MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Diodes Incorporated	3,280 En stock	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.13145 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	21.5mOhm a 10A, 10V	2V a 250µA	10.2 nC @ 10 V	±25V	493.5 pF @ 15 V	-	1.42W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SSM6J512NU,LF MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	7,638 En stock	1 : $0.60000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13280 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	10A (Ta)	1.8V, 8V	16.2mOhm a 4A, 8V	1V a 1mA	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1400 pF @ 6 V	-	1.25W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
RQ3E100BNTB MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT Rohm Semiconductor	20,952 En stock	1 : $0.67000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15504 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	10.4mOhm a 10A, 10V	2.5V a 1mA	22 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSMT (3.2x3)	8-PowerVDFN
DMT616MLSS-13 MOSFET N-CH 60V 10A 8SO Diodes Incorporated	2,398 En stock 20,000 Fábrica	1 : $0.73000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.16839 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	14mOhm a 8.5A, 10V	2.2V a 250µA	13.6 nC @ 10 V	±20V	785 pF @ 30 V	-	1.39W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RQ3G100GNTB MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT Rohm Semiconductor	46,634 En stock	1 : $0.80000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19024 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	14.3mOhm a 10A, 10V	2.5V a 1mA	8.4 nC @ 10 V	±20V	615 pF @ 20 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-HSMT (3.2x3)	8-PowerVDFN
DMG4800LK3-13 MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 Diodes Incorporated	11,979 En stock 20,000 Fábrica	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.20636 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	17mOhm a 9A, 10V	1.6V a 250µA	8.7 nC @ 5 V	±25V	798 pF @ 10 V	-	1.71W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
FDMA8051L MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET onsemi	4,256 En stock	1 : $0.87000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.20912 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	14mOhm a 10A, 10V	3V a 250µA	20 nC @ 10 V	±20V	1260 pF @ 20 V	-	2.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-MicroFET (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
TPC8125,LQ(S MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	1,483 En stock	1 : $1.30000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.33031 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	13mOhm a 5A, 10V	2V a 500µA	64 nC @ 10 V	+20V, -25V	2580 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
STS10P4LLF6 MOSFET P-CH 40V 10A 8SO STMicroelectronics	1,864 En stock	1 : $1.64000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.44829 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	STripFET™ F6	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	15mOhm a 3A, 10V	1V a 250µA (mín.)	34 nC @ 4.5 V	±20V	3525 pF @ 25 V	-	2.7W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RD3L01BATTL1 PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3 Rohm Semiconductor	6,309 En stock	1 : $1.69000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.46516 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	84mOhm a 10A, 10V	2.5V a 1mA	15.2 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 30 V	-	26W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
RD3P100SNTL1 MOSFET N-CH 100V 10A TO252 Rohm Semiconductor	13,604 En stock	1 : $1.96000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55264 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	10A (Ta)	4V, 10V	133mOhm a 5A, 10V	2.5V a 1mA	18 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	20W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
IRF7854TRPBF MOSFET N-CH 80V 10A 8SO Infineon Technologies	14,407 En stock	1 : $2.15000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.58125 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	10A (Ta)	10V	13.4mOhm a 10A, 10V	4.9V a 100µA	41 nC @ 10 V	±20V	1620 pF @ 25 V	-	2.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SO	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
TPH1110FNH,L1Q MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	10,030 En stock	1 : $2.55000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.73375 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	250 V	10A (Ta)	10V	112mOhm a 5A, 10V	4V a 300µA	11 nC @ 10 V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	1.6W (Ta), 57W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP avanzado (5x5)	8-PowerVDFN
TK750A60F,S4X MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS Toshiba Semiconductor and Storage	569 En stock	1 : $2.83000 Tubo	-	U-MOSIX	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	10A (Ta)	10V	750mOhm a 5A, 10V	4V a 1mA	30 nC @ 10 V	±30V	1130 pF @ 300 V	-	40W (Tc)	150°C	-	-	Orificio pasante	TO-220SIS	TO-220-3 paquete completo
DMN3016LFDE-13 MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN Diodes Incorporated	27,110 En stock 230,000 Fábrica	1 : $0.58000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.10767 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10A (Ta)	4.5V, 10V	12mOhm a 11A, 10V	2V a 250µA	25.1 nC @ 10 V	±20V	1415 pF @ 15 V	-	730mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	U-DFN2020-6 (típico E)	6-PowerUDFN

Demostración

de 213

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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