1 A (Ta) FET simple, MOSFET

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Demostración
de 128
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
343,926
En stock
633,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04488
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
450mOhm a 600mA, 4.5V
1V a 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
NTR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
onsemi
24,504
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09765
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
4.5V, 10V
180mOhm a 1.5A, 10V
2.3V a 250µA
2.5 nC @ 5 V
±20V
165 pF @ 5 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3422
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
118,023
En stock
1 : $0.52000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11686
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1 A (Ta)
4.5V, 10V
630mOhm a 1A, 10V
2.9V a 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 50 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
BCV27
NDS332P
MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
onsemi
58,342
En stock
1 : $0.61000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14805
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
2.7V, 4.5V
300mOhm a 1.1A, 4.5V
1V a 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
195 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDMA86108LZ
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
onsemi
13,291
En stock
1 : $1.65000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.44288
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
150 V
1 A (Ta)
6V, 10V
1.2Ohm a 1A, 10V
4V a 250µA
4 nC @ 10 V
±25V
210 pF @ 75 V
-
2.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-MicroFET (2x2)
Placa descubierta 6-WDFN
X2-DFN1006-3
DMN2450UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Diodes Incorporated
18,600
En stock
9,320,000
Fábrica
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03672
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
400mOhm a 600mA, 4.5V
900mV a 250µA
1.3 nC @ 10 V
±12V
56 pF @ 16 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Diodes Incorporated
2,781
En stock
12,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03978
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
400mOhm a 600mA, 4.5V
900mV a 250µA
1.3 nC @ 10 V
±12V
56 pF @ 16 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
SOT-323
PMF250XNEX
MOSFET N-CH 30V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
73,074
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05610
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1 A (Ta)
2.5V, 4.5V
254mOhm a 900mA, 4.5V
1.25V a 250µA
1.65 nC @ 4.5 V
±12V
81 pF @ 15 V
-
342mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
35,586
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05667
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
4.5V
200mOhm a 1A, 4.5V
1.15V a 250µA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
280 pF @ 10 V
-
290mW (Ta), 1.67W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-883
PMZ320UPEYL
MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
26,546
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05565
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1 A (Ta)
1.5V, 4.5V
510mOhm a 1A, 4.5V
950mV a 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
122 pF @ 15 V
-
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
TL431BFDT-QR
BSH103BKR
BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Nexperia USA Inc.
5,538
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07242
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
270mOhm a 1A, 4.5V
1.25V a 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
±12V
79.3 pF @ 15 V
-
330mW (Ta), 2.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerPAK-0806
SIUD402ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
Vishay Siliconix
34,656
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07344
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
1.5V, 4.5V
730mOhm a 200mA, 4.5V
900mV a 250µA
1.2 nC @ 8 V
±8V
16 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerPAK® 0806
PowerPAK® 0806
SOT 23-3
NVR1P02T1G
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
onsemi
3,064
En stock
15,000
Fábrica
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12138
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
4.5V, 10V
180mOhm a 1.5A, 10V
2.3V a 250µA
2.5 nC @ 5 V
±20V
165 pF @ 5 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RV2C001ZPT2L
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Rohm Semiconductor
16,311
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.06936
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1 A (Ta)
1.2V, 4.5V
470mOhm a 500mA, 4.5V
1V a 1mA
-
±8V
40 pF @ 10 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VML1006
SC-101, SOT-883
3,219
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08670
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
1 A (Ta)
4.5V, 10V
250mOhm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
400mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN13H750S-7
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Diodes Incorporated
8,061
En stock
63,000
Fábrica
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16422
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
130 V
1 A (Ta)
6V, 10V
750mOhm a 2A, 10V
4V a 250µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 25 V
-
770mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RTR040N03TL
RQ5P010SNTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
4,367
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.20910
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1 A (Ta)
4V, 10V
520mOhm a 1A, 10V
2.5V a 1mA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT3
SC-96
RTF025N03FRATL
RSF010P05TL
MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Rohm Semiconductor
2,223
En stock
1 : $0.64000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17009
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
45 V
1 A (Ta)
4V, 10V
460mOhm a 1A, 10V
2.5V a 1mA
2.3 nC @ 5 V
±20V
160 pF @ 10 V
-
800mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TUMT3
3-SMD, conductores planos
AP7387Q-30Y-13
ZXMN10A07ZTA
MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Diodes Incorporated
2,642
En stock
105,000
Fábrica
1 : $0.71000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.18360
Cinta y rollo (TR)
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1 A (Ta)
6V, 10V
700mOhm a 1.5A, 10V
4V a 250µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
138 pF @ 50 V
-
1.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-89-3
TO-243AA
8,073
En stock
1 : $0.80000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.21726
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
1 A (Ta)
5V, 10V
220mOhm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
20V
240 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RTR040N03TL
RSR010N10HZGTL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
2,732
En stock
1 : $0.93000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.27152
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1 A (Ta)
4V, 10V
520mOhm a 1A, 10V
2.5V a 1mA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
700mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TSMT3
SC-96
RTR040N03TL
RSR010N10TL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Rohm Semiconductor
3,860
En stock
1 : $1.06000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.26144
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
1 A (Ta)
4V, 10V
520mOhm a 1A, 10V
2.5V a 1mA
3.5 nC @ 5 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSMT3
SC-96
SOT-223-3
ZVN4206GVTA
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Diodes Incorporated
16,590
En stock
36,000
Fábrica
1 : $1.41000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.38046
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
1 A (Ta)
5V, 10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3V a 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
SOT-223-3
ZVN4206GTA
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Diodes Incorporated
3,861
En stock
13,000
Fábrica
1 : $1.42000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.40392
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
1 A (Ta)
5V, 10V
1Ohm a 1.5A, 10V
3V a 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-223-3
TO-261-4, TO-261AA
BC856BMBYL
PMZB320UPEYL
MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
59,774
En stock
Activo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1 A (Ta)
1.5V, 4.5V
510mOhm a 1A, 4.5V
950mV a 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
±8V
122 pF @ 15 V
-
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN1006B-3
3-XFDFN
Demostración
de 128

1 A (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.