1.7A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
NTR5198NLT1G MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 onsemi	81,090 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09110 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.7A (Ta)	4.5V, 10V	155mOhm a 1A, 10V	2.5V a 250µA	2.8 nC @ 4.5 V	±20V	182 pF @ 25 V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO7400 MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 Alpha & Omega Semiconductor Inc.	96,078 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11831 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.7A (Ta)	2.5V, 10V	85mOhm a 1.5A, 10V	1.4V a 250µA	4.82 nC @ 4.5 V	±12V	390 pF @ 15 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3	SC-70, SOT-323
FDN5630 MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 onsemi	35,703 En stock	1 : $0.59000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.13465 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.7A (Ta)	6V, 10V	100mOhm a 1.7A, 10V	3V a 250µA	10 nC @ 10 V	±20V	400 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NVR5198NLT1G MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 onsemi	35,904 En stock	1 : $0.61000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14001 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.7A (Ta)	4.5V, 10V	155mOhm a 1A, 10V	2.5V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	±20V	182 pF @ 25 V	-	900mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN335N MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 onsemi	17,662 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16410 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	70mOhm a 1.7A, 4.5V	1.5V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	±8V	310 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NDS355AN MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3 onsemi	35,444 En stock	1 : $0.82000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.19476 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.7A (Ta)	4.5V, 10V	85mOhm a 1.9A, 10V	2V a 250µA	5 nC @ 5 V	±20V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN5632N-F085 MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 onsemi	20,676 En stock	1 : $1.04000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.25726 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.7A (Ta)	4.5V, 10V	82mOhm a 1.7A, 10V	3V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	475 pF @ 15 V	-	1.1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EPC2203 GANFET N-CH 80V 1.7A DIE EPC	26,774 En stock	1 : $1.47000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.39445 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	80 V	1.7A (Ta)	5V	80mOhm a 1A, 5V	2.5V a 600µA	0.83 nC @ 5 V	+5.75V, -4V	88 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	Molde	Molde
NTF2955T1G MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 onsemi	16,565 En stock	1 : $1.71000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.52477 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.7A (Ta)	10V	185mOhm a 2.4A, 10V	4V a 1mA	14.3 nC @ 10 V	±20V	492 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
EPC2070 TRANS GAN DIE 100V .022OHM EPC	2,304 En stock	1 : $1.75000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.48407 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	23mOhm a 3A, 5V	2.5V a 1.5mA	2.5 nC @ 5 V	+6V, -4V	386 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2051 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	59,030 En stock	1 : $1.86000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.51927 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	25mOhm a 3A, 5V	2.5V a 1.5mA	2.1 nC @ 5 V	+6V, -4V	258 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2037 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	1,283,170 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55415 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	550mOhm a 100mA, 5V	2.5V a 80µA	0.12 nC @ 5 V	+6V, -4V	14 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2036 GANFET N-CH 100V 1.7A DIE EPC	27,872 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55415 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	100 V	1.7A (Ta)	5V	65mOhm a 1A, 5V	2.5V a 600µA	0.91 nC @ 5 V	+6V, -4V	90 pF @ 50 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
EPC2035 GANFET N-CH 60V 1.7A DIE EPC	27,480 En stock	1 : $1.97000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.55415 Cinta y rollo (TR)	-	eGaN®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	60 V	1.7A (Ta)	5V	45mOhm a 1A, 5V	2.5V a 800µA	1.15 nC @ 5 V	+6V, -4V	115 pF @ 30 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Molde	Molde
CSD25480F3 MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Texas Instruments	77,458 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07119 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	1.8V, 8V	132mOhm a 400mA, 8V	1.2V a 250µA	0.91 nC @ 4.5 V	-12V	155 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
ZXMN3B01FTA MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3 Diodes Incorporated	12,995 En stock 381,000 Fábrica	1 : $0.82000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18814 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.7A (Ta)	2.5V, 4.5V	150mOhm a 1.7A, 4.5V	700mV a 250µA (mín.)	2.93 nC @ 4.5 V	±12V	258 pF @ 15 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN10A11GTA MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 Diodes Incorporated	4,619 En stock 83,000 Fábrica	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.32162 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.7A (Ta)	6V, 10V	350mOhm a 2.6A, 10V	4V a 250µA	5.4 nC @ 10 V	±20V	274 pF @ 50 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
ZXMP6A13GTA MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 Diodes Incorporated	1,688 En stock	1 : $1.15000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.33157 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.7A (Ta)	4.5V, 10V	390mOhm a 900mA, 10V	1V a 250µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	219 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
CSD25480F3T MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Texas Instruments	8,865 En stock	1 : $1.35000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.48664 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	1.8V, 8V	132mOhm a 400mA, 8V	1.2V a 250µA	0.91 nC @ 10 V	-12V	155 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
ZXM61N02FTC MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3 Diodes Incorporated	16,920 En stock	1 : $0.84000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.16883 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.7A (Ta)	2.7V, 4.5V	180mOhm a 930mA, 4.5V	700mV a 250µA (mín.)	3.4 nC @ 4.5 V	±12V	160 pF @ 15 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMP10A17GTA MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 Diodes Incorporated	1,931 En stock 37,000 Fábrica	1 : $1.21000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.34272 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.7A (Ta)	6V, 10V	350mOhm a 1.4A, 10V	4V a 250µA	10.7 nC @ 10 V	±20V	424 pF @ 50 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
SI4464DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Vishay Siliconix	2,081 En stock	1 : $2.30000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.66853 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	1.7A (Ta)	6V, 10V	240mOhm a 2.2A, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SI7820DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	10,966 En stock	1 : $2.81000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.83750 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	1.7A (Ta)	6V, 10V	240mOhm a 2.6A, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
SI7820DN-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8 Vishay Siliconix	5,052 En stock	1 : $2.81000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.83750 Cinta y rollo (TR)	-	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	1.7A (Ta)	6V, 10V	240mOhm a 2.6A, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8	PowerPAK® 1212-8
R6002ENHTB1 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER Rohm Semiconductor	1,565 En stock	1 : $1.73000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.47699 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	1.7A (Ta)	10V	3.4Ohm a 500mA, 10V	4V a 1mA	6.5 nC @ 10 V	±20V	65 pF @ 25 V	-	2W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOP	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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