1.6A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMN6140L-13 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Diodes Incorporated	54,438 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05986 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	140mOhm a 1.8A, 10V	3V a 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0100TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Infineon Technologies	27,339 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11911 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	220mOhm a 1.6A, 10V	2.5V a 25µA	2.5 nC @ 4.5 V	±16V	290 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RTF016N05TL MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 Rohm Semiconductor	34,470 En stock	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14393 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	45 V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	190mOhm a 1.6A, 4.5V	1.5V a 1mA	2.3 nC @ 4.5 V	±12V	150 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TUMT3	3-SMD, conductores planos
FDN338P MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3 onsemi	44,712 En stock	1 : $0.68000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15807 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	115mOhm a 1.6A, 4.5V	1.5V a 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±8V	451 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFL4310TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Infineon Technologies	9,667 En stock	1 : $0.96000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23266 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.6A (Ta)	10V	200mOhm a 1.6A, 10V	4V a 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	330 pF @ 25 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
FDN86246 MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3 onsemi	11,592 En stock	1 : $1.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.51800 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	1.6A (Ta)	6V, 10V	261mOhm a 1.6A, 10V	4V a 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	225 pF @ 75 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2310U-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	39,939 En stock	1 : $0.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03779 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	175mOhm a 300mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	38 pF @ 10 V	-	480mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3432-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	17,016 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05289 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	200mOhm a 1.6A, 4.5V	1.3V a 250µA	1.5 nC @ 4.5 V	±8V	93 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN6140LQ-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Diodes Incorporated	3,292 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10820 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	140mOhm a 1.8A, 10V	3V a 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD25213W10 MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA Texas Instruments	7,439 En stock	1 : $0.53000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.11831 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	47mOhm a 1A, 4.5V	1.1V a 250µA	2.9 nC @ 4.5 V	-6V	478 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-DSBGA (1x1)	4-UFBGA, DSBGA
CSD13302W MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Texas Instruments	7,954 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12409 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	17.1mOhm a 1A, 4.5V	1.3V a 250µA	7.8 nC @ 4.5 V	±10V	862 pF @ 6 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-DSBGA (1x1)	4-UFBGA, DSBGA
CSD13201W10 MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Texas Instruments	28,563 En stock	1 : $0.56000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12712 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	34mOhm a 1A, 4.5V	1.1V a 250µA	2.9 nC @ 4.5 V	±8V	462 pF @ 6 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-DSBGA (1x1)	4-UFBGA, DSBGA
MGSF1N03LT1G MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3 onsemi	11,863 En stock	1 : $0.73000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17185 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 1.2A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	140 pF @ 5 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RTF016N05FRATL MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 Rohm Semiconductor	8,272 En stock	1 : $0.95000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23081 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	45 V	1.6A (Ta)	-	190mOhm a 1.6A, 4.5V	1.5V a 1mA	2.3 nC @ 4.5 V	±12V	150 pF @ 10 V	-	800mW	150°C	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TUMT3	3-SMD, conductores planos
CSD25483F4 MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Texas Instruments	9,948 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08229 Cinta y rollo (TR)	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	205mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	0.959 nC @ 4.5 V	-12V	198 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
DMN6140LQ-13 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Diodes Incorporated	4,499 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.09176 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	140mOhm a 1.8A, 10V	3V a 250µA	8.6 nC @ 10 V	±20V	315 pF @ 40 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MVGSF1N03LT1G MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23 onsemi	2,273 En stock	1 : $1.09000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.27215 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.6A (Ta)	4.5V, 10V	100mOhm a 1.2A, 10V	2.4V a 250µA	-	±20V	140 pF @ 5 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSD25483F4T MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR Texas Instruments	2,390 En stock	1 : $1.39000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.35160 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	FemtoFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	205mOhm a 500mA, 8V	1.2V a 250µA	0.96 nC @ 4.5 V	-12V	198 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	3-PICOSTAR	3-XFDFN
CSD13302WT MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Texas Instruments	1,237 En stock 500 Mercado	1 : $1.50000 Cinta cortada (CT) 250 : $0.54460 Cinta y rollo (TR) 500 : $0.60000 Granel	-	NexFET™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.6A (Ta)	2.5V, 4.5V	17.1mOhm a 1A, 4.5V	1.3V a 250µA	7.8 nC @ 4.5 V	±10V	862 pF @ 6 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	4-DSBGA (1x1)	4-UFBGA, DSBGA
R8002KNXC7G 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED Rohm Semiconductor	914 En stock	1 : $2.76369 Tubo	-	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	800 V	1.6A (Ta)	10V	4.2Ohm a 800mA, 10V	4.5V a 150µA	7.5 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 100 V	-	28W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	TO-220FM	TO-220-3 paquete completo
TPS1100D MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC Texas Instruments	324 En stock 7,736 Mercado	1 : $2.99000 Tubo 194 : $1.55000 Granel	-	-	Granel Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	15 V	1.6A (Ta)	2.7V, 10V	180mOhm a 1.5A, 10V	1.5V a 250µA	5.45 nC @ 10 V	+2V, -15V	-	-	791mW (Ta)	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
RV4L016SNHZGTCR1 NCH 60V 1.6A SMALL SIGNAL MOSFET Rohm Semiconductor	3,000 En stock	1 : $0.55000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24225 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.6A (Ta)	4V, 10V	305mOhm a 1.6A, 10V	2.5V a 1mA	1.8 nC @ 4.5 V	±20V	104 pF @ 30 V	-	1.5W (Ta)	150°C	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie, lateral humedecible	DFN1616-6W	6-PowerWFDFN
NTS4172NT1G MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3 onsemi	0 En stock 3,000 Mercado	2,019 : $0.15000 Granel	-	-	Cinta y rollo (TR) Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.6A (Ta)	2.5V, 10V	93mOhm a 1.7A, 10V	1.4V a 250µA	4.38 nC @ 4.5 V	±12V	381 pF @ 15 V	-	294mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
SCH1334-TL-H MOSFET P-CH 12V 1.6A 6SCH onsemi	0 En stock 45,000 Mercado	1,817 : $0.17000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	1.6A (Ta)	1.8V, 4.5V	215mOhm a 800mA, 4.5V	1.3V a 1mA	1.6 nC @ 4.5 V	±10V	120 pF @ 6 V	-	800mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-SCH	SOT-563, SOT-666
SCH2825-TL-E MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH onsemi	0 En stock 620,454 Mercado	1,514 : $0.20000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.6A (Ta)	4V, 10V	180mOhm a 800mA, 10V	-	2 nC @ 10 V	±20V	88 pF @ 10 V	Diodo Schottky (aislado)	600mW (Ta)	-55°C ~ 125°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-SCH	6-SMD, conductores planos

Demostración

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FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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