1.2 A (Ta) FET simple, MOSFET

Demostración

de 61

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
IRLML2803TRPBF MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 Infineon Technologies	140,760 En stock	1 : $0.39605 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08254 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	250mOhm a 910mA, 10V	1V a 250µA	5 nC @ 10 V	±20V	85 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2310UTQ-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Diodes Incorporated	2,402 En stock	1 : $0.34990 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07186 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	240mOhm a 300mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	38 pF @ 10 V	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
NTS4173PT1G MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 onsemi	33,706 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08167 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.2 A (Ta)	2.5V, 10V	150mOhm a 1.2A, 10V	1.5V a 250µA	10.1 nC @ 10 V	±12V	430 pF @ 15 V	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
IRLML2060TRPBF MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Infineon Technologies	9,114 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08043 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	480mOhm a 1.2A, 10V	2.5V a 25µA	0.67 nC @ 4.5 V	±16V	64 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN6A07FQTA MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 Diodes Incorporated	2,978 En stock	1 : $0.71000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15984 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	250mOhm a 1.8A, 10V	3V a 250µA	3.2 nC @ 10 V	±20V	166 pF @ 40 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSP296NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Infineon Technologies	5,637 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.27473 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	600mOhm a 1.2A, 10V	1.8V a 100µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	152.7 pF @ 25 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
PJA3436_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	10,007 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05046 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	380mOhm a 1.2A, 4.5V	1V a 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±12V	39 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSP296NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 Infineon Technologies	12,949 En stock	1 : $1.08000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.25206 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	600mOhm a 1.2A, 10V	1.8V a 100µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	152.7 pF @ 25 V	-	1.8W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
PMXB350UPEZ NEXPERIA PMXB350UPE - 20 V, P-CH NXP Semiconductors	511,735 Mercado	1,485 : $0.20000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.2V, 4.5V	447mOhm a 1.2A, 4.5V	950mV a 250µA	2.3 nC @ 4.5 V	±8V	116 pF @ 10 V	-	360mW (Ta), 5.68W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1010D-3	Placa descubierta 3-XDFN
FDG312P MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88 Fairchild Semiconductor	77,866 Mercado	1,125 : $0.27000 Granel	-	PowerTrench®	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	2.5V, 4.5V	180mOhm a 1.2A, 4.5V	1.5V a 250µA	5 nC @ 4.5 V	±8V	330 pF @ 10 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SC-88 (SC-70-6)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NTLUF4189NZTBG MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN onsemi	0 En stock 302,750 Mercado	3,000 : $0.23210 Cinta y rollo (TR) 956 : $0.31000 Granel	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Granel	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.2 A (Ta)	2.5V, 4.5V	200mOhm a 1.5A, 4.5V	1.5V a 250µA	3 nC @ 4.5 V	±8V	95 pF @ 15 V	Diodo Schottky (aislado)	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-UDFN (1.6x1.6)	Placa descubierta 6-UFDFN
AM3490N MOSFET N-CH 150V 1.2A TSOP-6 Analog Power Inc.	12,000 Mercado	1 : $0.33000 Granel	-	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	700mOhm a 1.1A, 10V	1V a 250µA	3.5 nC @ 4.5 V	±20V	356 pF @ 15 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
UMWIRLML2060TR MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 UMW	2,853 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT)	-	*	Cinta cortada (CT)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	480mOhm a 1.2A, 10V	2.5V a 25µA	-	±16V	-	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI3440DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Vishay Siliconix	5,283 En stock	1 : $2.07000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.57773 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	1.2 A (Ta)	6V, 10V	375mOhm a 1.5A, 10V	4V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.14W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
SI3440DV-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Vishay Siliconix	1,048 En stock	1 : $2.07000 Cinta cortada (CT)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	1.2 A (Ta)	6V, 10V	375mOhm a 1.5A, 10V	4V a 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	-	-	1.14W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-TSOP	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
PJA3436-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	867 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05289 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	380mOhm a 1.2A, 4.5V	1V a 250µA	0.9 nC @ 4.5 V	±12V	39 pF @ 10 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZB290UNE2YL MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3 Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.26000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04430 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.5V, 4.5V	320mOhm a 1.2A, 4.5V	950mV a 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 5.43W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1006B-3	3-XFDFN
PMV240SPR MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.67000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15380 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.2 A (Ta)	-	365mOhm a 1.2A, 10V	4V a 250µA	15 nC @ 10 V	±25V	549 pF @ 50 V	-	710mW (Ta), 8.3W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ZXMN6A07FTA MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.74000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16761 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	250mOhm a 1.8A, 10V	3V a 250µA	3.2 nC @ 10 V	±20V	166 pF @ 40 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMZ290UNE2YL MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3 Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.24655 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04177 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.5V, 4.5V	320mOhm a 1.2A, 4.5V	950mV a 250µA	1.4 nC @ 4.5 V	±8V	46 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 5.43W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-883	SC-101, SOT-883
PMV160UP,215 MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06086 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	210mOhm A 1.2A, 4.5V	950mV a 250µA	4 nC @ 4.5 V	±8V	365 pF @ 10 V	-	335mW (Ta), 2.17W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMH260UNEH MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3 Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.05114 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.5V, 4.5V	310mOhm a 700mA, 4.5V	950mV a 250µA	0.95 nC @ 4.5 V	±8V	41 pF @ 10 V	-	360mW (Ta), 2.23W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN0606-3	3-XFDFN
PMXB350UPEZ MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3 Nexperia USA Inc.	1 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.08620 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.2 A (Ta)	1.2V, 4.5V	447mOhm a 1.2A, 4.5V	950mV a 250µA	2.3 nC @ 4.5 V	±8V	116 pF @ 10 V	-	360mW (Ta), 5.68W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	DFN1010D-3	Placa descubierta 3-XDFN
PMN280ENEAX MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP Nexperia USA Inc.	0 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09521 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.2 A (Ta)	4.5V, 10V	385mOhm a 1.2A, 10V	2.7V a 250µA	6.8 nC @ 10 V	±20V	190 pF @ 50 V	-	667mW (Ta), 7.5W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	6-TSOP	SC-74, SOT-457
DMN3731UFB4-7B MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04038 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.2 A (Ta)	1.8V, 4.5V	460mOhm a 200mA, 4.5V	950mV a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	73 pF @ 25 V	-	520mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	X2-DFN1006-3	3-XFDFN

Demostración

de 61

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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