Arreglos FET, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
FDMQ86530L MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP onsemi	3,844 En stock	1 : $4.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.43950 Cinta y rollo (TR)	-	GreenBridge™ PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal 4 N (puente completo)	Compuerta de nivel lógico	60V	8A	17.5mOhm a 8A, 10V	3V a 250µA	33nC a 10V	2295pF a 30V	1.9W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	Placa descubierta 12-WDFN	12-MLP (5x4.5)
FDMQ8403 MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP onsemi	14,866 En stock 24,000 Fábrica	1 : $4.08000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.53750 Cinta y rollo (TR)	-	GreenBridge™ PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal 4 N (puente completo)	-	100V	3.1A	110mOhm a 3A, 10V	4V a 250µA	5nC a 10V	215pF a 15V	1.9W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	Placa descubierta 12-WDFN	12-MLP (5x4.5)
FDMQ8203 MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12MLP onsemi	11 En stock	1 : $2.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.66908 Cinta y rollo (TR)	-	GreenBridge™ PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal 2 N y 2 P (puente completo)	Compuerta de nivel lógico	100V, 80V	3.4 A, 2.6 A	110mOhm a 3A, 10V	4V a 250µA	5nC a 10V	210pF a 50V, 850pF a 40V	2.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	Placa descubierta 12-WDFN	12-MLP (5x4.5)

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Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.