Arreglos FET, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
BSZ15DC02KDHXTMA1 MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON Infineon Technologies	19,975 En stock	1 : $1.69000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.41941 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Complemento de canal N y P	Compuerta de nivel lógico, controlador de 2.5V	20V	5.1 A, 3.2 A	55mOhm a 5.1A, 4.5V	1.4V a 110µA	2.8nC a 4.5V	419pF a 10V	2.5W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TSDSON-8-FL
BSG0811NDATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Infineon Technologies	129 En stock	1 : $2.89000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.86950 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	25V	19 A, 41 A	3mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	8.4nC a 4.5V	1100pF a 12V	2.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
IRF7105TRPBF MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO Infineon Technologies	14,067 En stock	1 : $1.10000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.26389 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	-	25V	3.5 A, 2.3 A	100mOhm a 1A, 10V	3V a 250µA	27nC a 10V	330pF a 15V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	8-SO
BSO220N03MDGXUMA1 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO Infineon Technologies	7,857 En stock	1 : $1.17000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.30164 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	6A	22mOhm a 7.7A, 10V	2.1V a 250µA	10nC a 10V	800pF a 15V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	PG-DSO-8
BSC150N03LDGATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON Infineon Technologies	50,505 En stock	1 : $1.27000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.29681 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	8A	15mOhm a 20A, 10V	2.2V a 250µA	13.2nC a 10V	1100pF a 15V	26W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-4
BSC0925NDATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 Infineon Technologies	2,441 En stock	1 : $1.36000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.30881 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canales N (medio puente)	-	30V	15A	5mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	17nC a 10V	1157pF a 15V	2.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSO150N03MDGXUMA1 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO Infineon Technologies	23,342 En stock	1 : $1.41000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.32400 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	8A	15mOhm a 9.3A, 10V	2V a 250µA	17nC a 10V	1300pF a 15V	1.4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	PG-DSO-8
IRF7380TRPBF MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO Infineon Technologies	5,483 En stock	1 : $1.55611 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.38778 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	80V	3.6A	73mOhm a 2.2A, 10V	4V a 250µA	23nC a 10V	660pF a 25V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	8-SO
BSC072N04LDATMA1 MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Infineon Technologies	27,639 En stock	1 : $1.73000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.44301 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ T2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	40V	20A (Tc)	7.2mOhm a 17A, 10V	2.2V a 30µA	52nC a 10V	3990pF a 20V	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-4
BSC0921NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 Infineon Technologies	6,883 En stock	1 : $2.04000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.54062 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	17 A, 31 A	5mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	8.9nC a 4.5V	1025pF a 15V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSC112N06LDATMA1 MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Infineon Technologies	25,896 En stock	1 : $2.14000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.57512 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ T2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	60V	20A (Tc)	11.2mOhm a 17A, 10V	2.2V a 28µA	55nC a 10V	4020pF a 30V	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-4
IRFI4212H-117PXKMA1 MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Infineon Technologies	508 En stock	1 : $2.56000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	100V	11A (Tc)	72.5mOhm a 6.6A, 10V	5V a 250µA	18nC a 10V	490pF a 50V	18W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	Paquete completo TO-220-5, conductores formados	TO-220-5 Full-Pak
IRLHS6276TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Infineon Technologies	2,450 En stock	1 : $0.81000 Cinta cortada (CT) 4,000 : $0.18494 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	20V	4.5A	45mOhm a 3.4A, 4.5V	1.1V a 10µA	3.1nC a 4.5V	310pF a 10V	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	6-PowerVDFN	6-PQFN Dual (2x2)
BSC0924NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Infineon Technologies	71,893 En stock	1 : $1.55000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.36850 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	17 A, 32 A	5mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	10nC a 4.5V	1160pF a 15V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSC0923NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 Infineon Technologies	1,961 En stock	1 : $1.62000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.39674 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	30V	17 A, 32 A	5mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	10nC a 4.5V	1160pF a 15V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSG0810NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8 Infineon Technologies	7,420 En stock	1 : $3.37397 Cinta cortada (CT) 5,000 : $1.07500 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	25V	19 A, 39 A	3mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	8.4nC a 4.5V	1040pF a 12V	2.5W	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSC0993NDATMA1 MOSFET 2N-CH 17A TISON8 Infineon Technologies	9,457 En stock	1 : $1.62000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.39674 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	-	17A (Ta)	5mOhm a 7A, 10V	2V a 250µA	-	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSC155N06NDATMA1 MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON Infineon Technologies	7,253 En stock	1 : $1.94000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.50859 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ T2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	60V	20A (Tc)	15.5mOhm a 17A, 10V	4V a 20µA	29nC a 10V	2250pF a 30V	50W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-4
BSC076N04NDATMA1 MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON Infineon Technologies	5,365 En stock	1 : $2.02000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.53499 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™ T2	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	40V	20A (Tc)	7.6mOhm a 17A, 10V	4V a 30µA	38nC a 10V	2950pF a 20V	2.3W (Ta), 65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerVDFN	PG-TDSON-8-4
BSC0911NDATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 Infineon Technologies	9,640 En stock	1 : $2.29000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.63450 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	25V	18 A, 30 A	3.2mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	12nC a 4.5V	1600pF a 12V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSC0910NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8 Infineon Technologies	6,419 En stock	1 : $2.64000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.76750 Cinta y rollo (TR)	-	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	25V	11 A, 31 A	4.6mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	6.6nC a 4.5V	4500pF a 12V	1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
BSG0813NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8 Infineon Technologies	4,888 En stock	1 : $2.89000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.87062 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canal N (dual), asimétrico	Compuerta de nivel lógico, controlador de 4.5V	25V	19 A, 33 A	3mOhm a 20A, 10V	2V a 250µA	8.4nC a 4.5V	1100pF a 12V	2.5W	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	8-PowerTDFN	PG-TISON-8
IRFI4019H-117PXKMA1 MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO220-5 Infineon Technologies	458 En stock	1 : $3.27000 Tubo	-	-	Tubo	Obsoleto	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	150V	8.7A (Tc)	95mOhm a 5.2A, 10V	4.9V a 50µA	20nC a 10V	810pF a 25V	18W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	Paquete completo TO-220-5, conductores formados	TO-220-5 Full-Pak

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Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.

Arreglos FET, MOSFET

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