Arreglos FET, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
AOD609 MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	162,637 En stock	1 : $1.35000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.35658 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P, drenaje común	Compuerta de nivel lógico	40V	12A	30mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	10.8nC a 10V	650pF a 20V	2W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-5, DPAK (4 conductores + pestaña), TO-252AD	TO-252-4L
DMC4029SK4-13 MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L Diodes Incorporated	2,127 En stock	1 : $0.72000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.24786 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Complemento de canal N y P	-	40V	8.3A	24mOhm a 6A, 10V	3V a 250µA	19.1nC a 20V	1060pF a 20V	1.5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-5, DPAK (4 conductores + pestaña), TO-252AD	TO-252-4L
FDD8424H MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252 onsemi	0 En stock 42,960 Mercado	1 : $1.32000 Cinta cortada (CT) 250 : $2.00000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Obsoleto	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	40V	9 A, 6.5 A	24mOhm a 9A, 10V	3V a 250µA	20nC a 10V	1000pF a 20V	1.3W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-5, DPAK (4 conductores + pestaña), TO-252AD	TO-252 (DPAK)
AOD603A MOSFET N/P-CH 60V 3.5A TO252-4L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	2,500 : $0.34572 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P, drenaje común	Compuerta de nivel lógico	60V	3.5A, 3A	60mOhm a 12A, 10V	3V a 250µA	10nC a 10V	540pF a 30V	2W	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-5, DPAK (4 conductores + pestaña), TO-252AD	TO-252-4L

Demostración

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Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.