Arreglos FET, MOSFET

Demostración

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
	NTLJD4116NT1G MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN onsemi	10,331 En stock	1 : $1.23000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.31253 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	Compuerta de nivel lógico	30V	2.5A	70mOhm a 2A, 4.5V	1V a 250µA	6.5nC a 4.5V	427pF a 15V	710mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	Placa descubierta 6-WDFN	6-WDFN (2x2)
	FDC6333C MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6 onsemi	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.89000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.21422 Cinta y rollo (TR)	-	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	Compuerta de nivel lógico	30V	2.5A, 2A	95mOhm a 2.5A, 10V	3V a 250µA	6.6nC a 10V	282pF a 15V	700mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6	SuperSOT™-6

Demostración

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Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.