Arreglos FET, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
ALD1106PBL MOSFET 4N-CH 10.6V 14PDIP Advanced Linear Devices Inc.	286 En stock	1 : $7.69000 Tubo	-	Tubo	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Par combinado de 4 canales N	-	10.6V	-	500Ohm a 5V	1V a 1µA	-	3pF a 5V	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Orificio pasante	14-DIP (0.300", 7.62mm)	14-PDIP
ALD1101PAL MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP Advanced Linear Devices Inc.	55 En stock	1 : $9.83000 Tubo	-	Tubo	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Par combinado de 2 canales N (dobles)	-	10.6V	-	75Ohm a 5V	1V a 10µA	-	-	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Orificio pasante	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP
ALD1117PAL MOSFET 2P-CH 10.6V 8PDIP Advanced Linear Devices Inc.	7 En stock	1 : $7.05000 Tubo	-	Tubo	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Par combinado de 2 canales P (dobles)	-	10.6V	-	1800Ohm a 5V	1.2V a 1µA	-	3pF a 5V	500mW	0°C ~ 70°C (TJ)	Orificio pasante	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP

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Arreglos FET, MOSFET

Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.