Arreglos FET, MOSFET

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de 2
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tecnología
Configuración
Característica de FET
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Potencia - Máx.
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
1,162
En stock
1 : $5.51000
Tubo
-
Tubo
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Par combinado de 2 canales N (dobles)
-
10.6V
-
500Ohm a 5V
1V a 1µA
-
3pF a 5V
500mW
0°C ~ 70°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
22
En stock
1 : $9.83000
Tubo
-
Tubo
Activo
MOSFET (óxido de metal)
Par combinado de 2 canales P (dobles)
-
10.6V
-
270Ohm a 5V
1.2V a 10µA
-
10pF a 5V
500mW
0°C ~ 70°C (TJ)
Orificio pasante
8-DIP (0.300", 7.62mm)
8-PDIP
Demostración
de 2

Arreglos FET, MOSFET


Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.