Transistores bipolares simples

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de 4
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo de transistor
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
Corriente - Corte de colector (Máx.)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
Potencia - Máx.
Frecuencia - Transición
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
BC849C
BC846B
BJT SOT-23 65V 100MA
Diotec Semiconductor
22,917
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.01678
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
NPN
100 mA
65 V
600mV a 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 a 2mA, 5V
250 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
TL431BFDT-QR
BC846B,215
TRANS NPN 65V 0.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
535,779
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02579
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
NPN
100 mA
65 V
400mV a 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 a 2mA, 5V
250 mW
100MHz
150°C (TJ)
Montaje en superficie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
SOT 23-3
BC846BLT3G
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
onsemi
42,344
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02091
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
NPN
100 mA
65 V
600mV a 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 a 2mA, 5V
300 mW
100MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
GSFKW0202
BC856B
TRANSISTOR, PNP, -100MA, -80V, 2
Good-Ark Semiconductor
10,786
En stock
1 : $0.10000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.01757
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
PNP
100 mA
65 V
650mV a 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
125 a 2mA, 5V
350 mW
150MHz
150°C (TJ)
Montaje en superficie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23
Demostración
de 4

Transistores bipolares simples


Los transistores de conexión bipolar discreta (BJT) se usan comúnmente para construir funciones de amplificación de señal analógica en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores que se produce en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señal analógica con mínimo ruido y distorsión agregados. Los BJT se presentan en dos variedades - NPN y PNP - que hacen referencia a la secuencia de capas semiconductoras que componen el transistor. Los transistores NPN constan de un semiconductor delgado de tipo P entre dos materiales de tipo N, mientras que los transistores PNP tienen un semiconductor de tipo N entre dos de tipo P. De este modo, los dos tipos funcionan con polaridad opuesta. Los transistores NPN disipan la corriente, mientras que los PNP la proveen.