Transistores bipolares simples y prepolarizados | Bipolar (BJT) | Transistores | DigiKey, distribuidor de componentes electrónicos

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	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo de transistor	Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	Resistencias incluidas	Resistor - Base (R1)	Resistor - Base del emisor (R2)	Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	Corriente - Corte de colector (Máx.)	Potencia - Máx.	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
	NSVMMUN2233LT3G TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 onsemi	0 En stock 77,945 Mercado Consultar el plazo de entrega	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.02714 Cinta y rollo (TR) 20,000 : $0.03000 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	NPN - Prepolarizado	100 mA	50 V	R1 y R2	4.7 kOhms	47 kOhms	80 a 5mA, 10V	250mV a 1mA, 10mA	500nA	246 mW	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
	NSVMMUN2133LT1G TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 onsemi	30,179 En stock	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03416 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	PNP - Prepolarizado	100 mA	50 V	R1 y R2	4.7 kOhms	47 kOhms	80 a 5mA, 10V	250mV a 300µA, 10mA	500nA	246 mW	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)

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Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

Pre-biased/Digital transistors (also known as BRT’s) are designed to interface directly with digital logic for inverter, level-shifting, switching, and buffer applications. The pre-biased transistors are typically identified by the inclusion of a series base (R1) current limiting resistor as well as a shunt (turn-off) resistor across the base-collector junction (R2) to reduce leakage current by ensuring that the transistor is completely turned off in the absence of an input signal. Pre-biased transistors reduce the number of external circuit components required, thereby reducing project costs