FET simple, MOSFET

Resultados : 13
Fabricante
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesMicrochip Technologyonsemi
Serie
-448
Embalaje
BolsaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)GranelTubo
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V40 V55 V60 V500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
100mA (Tj)160mA (Ta)175mA (Tj)200mA (Ta)230mA (Tj)250mA (Tj)300mA (Tj)310mA (Tj)320mA (Tj)640mA (Tj)650mA (Tj)19 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
100mOhm a 10A, 10V600mOhm a 3A, 10V900mOhm a 3.5A, 10V3.5Ohm a 750mA, 10V4Ohm a 500mA, 10V5Ohm a 500mA, 10V6Ohm a 500mA, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V8Ohm a 500mA, 10V14Ohm a 200mA, 10V30Ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 1mA2.4V a 1mA2.5V a 1mA3V a 1mA3.5V a 10mA3.5V a 1mA4V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
50 pF @ 18 V50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V150 pF @ 25 V190 pF @ 25 V300 pF @ 25 V450 pF @ 25 V620 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
350mW (Ta)400mW (Ta)400mW (Ta), 1W (Tc)625mW (Ta)740mW (Ta)740mW (Tc)1W (Tc)68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220ABTO-92TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
13Resultados
Demostración
de 13
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
20,435
En stock
1 : $0.45000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2222LL-G
MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
Microchip Technology
3,568
En stock
1 : $0.54000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
230mA (Tj)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
400mW (Ta), 1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-220AB PKG
IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Infineon Technologies
70,927
En stock
1 : $0.94000
Tubo
Tubo
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
55 V
19 A (Tc)
10V
100mOhm a 10A, 10V
4V a 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
68W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
BC327-16
2N7000
MOSFET TO-92 60V 0.2A
Diotec Semiconductor
122,321
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.04468
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
200mA (Ta)
4.5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
3V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), conductores formados
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Microchip Technology
2,088
En stock
1 : $0.50000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tj)
5V, 10V
4Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN10KN3-G
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Microchip Technology
2,807
En stock
1 : $0.60000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
310mA (Tj)
5V, 10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
-
±30V
60 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP2104N3-G-P003
MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3
Microchip Technology
8,452
En stock
1 : $0.89000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.68000
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
40 V
175mA (Tj)
4.5V, 10V
6Ohm a 500mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
740mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ZVN4306A
ZVP3306A
MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,146
En stock
1 : $0.93000
Granel
-
Granel
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
160mA (Ta)
10V
14Ohm a 200mA, 10V
3.5V a 1mA
-
±20V
50 pF @ 18 V
-
625mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP0106N3-G
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Microchip Technology
970
En stock
1 : $1.06000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
250mA (Tj)
5V, 10V
8Ohm a 500mA, 10V
3.5V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TP0606N3-G
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Microchip Technology
1,016
En stock
1 : $1.11000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Tj)
5V, 10V
3.5Ohm a 750mA, 10V
2.4V a 1mA
-
±20V
150 pF @ 25 V
-
1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP3203N3-G
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Microchip Technology
1,292
En stock
1 : $1.85000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
650mA (Tj)
4.5V, 10V
600mOhm a 3A, 10V
3.5V a 10mA
-
±20V
300 pF @ 25 V
-
740mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2450N3-G
MOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
Microchip Technology
949
En stock
1 : $2.04000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
500 V
100mA (Tj)
4.5V, 10V
30Ohm a 100mA, 10V
3.5V a 1mA
-
±20V
190 pF @ 25 V
-
740mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP2206N3-G
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Microchip Technology
984
En stock
1 : $2.57000
Bolsa
-
Bolsa
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
640mA (Tj)
5V, 10V
900mOhm a 3.5A, 10V
3.5V a 10mA
-
±20V
450 pF @ 25 V
-
740mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Orificio pasante
TO-92-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Demostración
de 13

FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.