Transistores - Bipolar (BJT) - Individual

Resultados : 2
Fabricante
onsemiRohm Semiconductor
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®
Estado del producto
ActivoNo para diseños nuevos
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
100 mA150 mA
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
50 V65 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
400mV a 5mA, 50mA600mV a 5mA, 100mA
Corriente - Corte de colector (Máx.)
15 nA (ICBO)100 nA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
120 a 1mA, 6V200 a 2mA, 5V
Potencia - Máx.
150 mW265 mW
Frecuencia - Transición
100MHz180MHz
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)150°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-723VMT3
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo de transistor
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
Corriente - Corte de colector (Máx.)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
Potencia - Máx.
Frecuencia - Transición
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-723_631AA
BC846BM3T5G
TRANS NPN 65V 0.1A SOT723
onsemi
109,919
En stock
16,000
Fábrica
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.02916
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
NPN
100 mA
65 V
600mV a 5mA, 100mA
15 nA (ICBO)
200 a 2mA, 5V
265 mW
100MHz
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-723
SOT-723
VMT3 Pkg
2SC5658T2LS
TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
Rohm Semiconductor
46,046
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.02633
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
NPN
150 mA
50 V
400mV a 5mA, 50mA
100 nA (ICBO)
120 a 1mA, 6V
150 mW
180MHz
150°C (TJ)
Montaje en superficie
SOT-723
VMT3
Demostración
de 2

Transistores bipolares simples


Los transistores de conexión bipolar discreta (BJT) se usan comúnmente para construir funciones de amplificación de señal analógica en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores que se produce en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señal analógica con mínimo ruido y distorsión agregados. Los BJT se presentan en dos variedades - NPN y PNP - que hacen referencia a la secuencia de capas semiconductoras que componen el transistor. Los transistores NPN constan de un semiconductor delgado de tipo P entre dos materiales de tipo N, mientras que los transistores PNP tienen un semiconductor de tipo N entre dos de tipo P. De este modo, los dos tipos funcionan con polaridad opuesta. Los transistores NPN disipan la corriente, mientras que los PNP la proveen.