Transistores bipolares simples

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo de transistor	Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic	Corriente - Corte de colector (Máx.)	Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce	Potencia - Máx.	Frecuencia - Transición	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
BC856B TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Diotec Semiconductor	2,524 En stock	1 : $0.10000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.01963 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	PNP	100 mA	65 V	650mV a 5mA, 100mA	15 nA (ICBO)	220 a 2mA, 5V	250 mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BC847C TRANSISTOR, NPN, 300MA, 50V, 420 Good-Ark Semiconductor	15,739 En stock	1 : $0.10000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.01757 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	NPN	100 mA	45 V	600mV a 5mA, 100mA	15 nA (ICBO)	420 a 2mA, 5V	200 mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC857C TRANSISTOR, PNP, 300MA, 50V, 420 Good-Ark Semiconductor	3,299 En stock	1 : $0.10000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.01757 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	PNP	100 mA	45 V	650mV a 5mA, 100mA	15 nA (ICBO)	125 a 2mA, 5V	350 mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC846B TRANS NPN 65V 0.1A SOT23 MDD	3,000,000 Mercado	12,000 : $0.05850 Cinta y rollo (TR)	BC84	Cinta y rollo (TR)	Activo	NPN	100 mA	65 V	500mV a 5mA, 100mA	100 nA (ICBO)	200 a 2mA, 5V	200 mW	100MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC856B,215 TRANS PNP 65V 0.1A TO236AB Nexperia USA Inc.	151 En stock	1 : $0.10000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.01873 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	PNP	100 mA	65 V	650mV a 5mA, 100mA	15 nA (ICBO)	220 a 2mA, 5V	250 mW	100MHz	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB
BC846B SOT-23, 80V, 0.1A, NPN BIPOLAR T Taiwan Semiconductor Corporation	0 En stock Consultar el plazo de entrega	9,000 : $0.02909 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	NPN	100 mA	65 V	500mV a 5mA, 100mA	100 nA (ICBO)	200 a 2mA, 5V	200 mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23

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Los transistores de conexión bipolar discreta (BJT) se usan comúnmente para construir funciones de amplificación de señal analógica en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores que se produce en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señal analógica con mínimo ruido y distorsión agregados. Los BJT se presentan en dos variedades - NPN y PNP - que hacen referencia a la secuencia de capas semiconductoras que componen el transistor. Los transistores NPN constan de un semiconductor delgado de tipo P entre dos materiales de tipo N, mientras que los transistores PNP tienen un semiconductor de tipo N entre dos de tipo P. De este modo, los dos tipos funcionan con polaridad opuesta. Los transistores NPN disipan la corriente, mientras que los PNP la proveen.