Canal P FET simple, MOSFET

Demostración

de 6,705

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	90,150 En stock	1 : $0.14000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04935 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	129,867 En stock	1 : $0.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05670 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	56,495 En stock	1 : $0.17000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07983 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.3A (Ta)	1.8V, 4.5V	45mOhm a 4A, 4.5V	1V a 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	73,776 En stock 4,485,000 Fábrica	1 : $0.18000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03780 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	40,168 En stock	1 : $0.21000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.03150 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	460mA (Ta)	1.8V, 4.5V	700mOhm a 350mA, 4.5V	1V a 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	119,136 En stock	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05145 Cinta y rollo (TR)	-	SIPMOS®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	170mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 170mA, 10V	2V a 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	106,222 En stock 2,724,000 Fábrica	1 : $0.24000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06405 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm a 100mA, 5V	2V a 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	65,864 En stock	1 : $0.25000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04182 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3A (Ta)	2.5V, 4.5V	120mOhm a 2.8A, 4.5V	1.2V a 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1.5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP21D0UT-7 MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523 Diodes Incorporated	15,150 En stock 333,000 Fábrica	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08295 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	590mA (Ta)	1.8V, 4.5V	495mOhm a 400mA, 4.5V	700mV a 250µA (típico)	1.54 nC @ 8 V	±8V	80 pF @ 10 V	-	240mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
DMG2305UX-13 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	7,885 En stock	1 : $0.27000 Cinta cortada (CT) 10,000 : $0.04725 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.2A (Ta)	1.8V, 4.5V	52mOhm a 4.2A, 4.5V	900mV a 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	±8V	808 pF @ 15 V	-	1.4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	707,794 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04830 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	600mA (Ta)	1.8V, 4.5V	900mOhm a 430mA, 4.5V	1V a 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3099L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	188,712 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.04725 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.8A (Ta)	4.5V, 10V	65mOhm a 3.8A, 10V	2.1V a 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1.08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J338R,LF MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	114,169 En stock	1 : $0.29000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10290 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	6A (Ta)	1.8V, 8V	17.6mOhm a 6A, 8V	1V a 1mA	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1400 pF @ 6 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	130,182 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06510 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.8A (Ta)	1.8V, 4.5V	62mOhm a 4.2A, 4.5V	1V a 250µA	6.3 nC @ 4.5 V	±8V	487 pF @ 20 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	7,687 En stock	1 : $0.32000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.05040 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	200mA (Ta)	1.2V, 4.5V	1.2Ohm a 200mA, 4.5V	1V a 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	VMT3	SOT-723
NVJS4151PT1G MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 onsemi	65,842 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.18900 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	3.2A (Ta)	1.5V, 4.5V	67mOhm a 2.9A, 4.5V	1.2V a 250µA	10 nC @ 4.5 V	±12V	850 pF @ 10 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Montaje en superficie	SC-88/SC70-6/SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
BSS84 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	7,314 En stock	1 : $0.34000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07980 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	50 V	130mA (Ta)	4.5V, 10V	8Ohm a 150mA, 10V	2V a 250µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	73 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	100,845 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07510 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.3A (Ta)	1.8V, 10V	72mOhm a 4.2A, 10V	1.3V a 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	36,074 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07350 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6A (Ta)	1.8V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	1.2V a 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
IRLML5103TRPBF MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 Infineon Technologies	12,391 En stock	1 : $0.36000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09450 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	760mA (Ta)	4.5V, 10V	600mOhm a 600mA, 10V	1V a 250µA	5.1 nC @ 10 V	±20V	75 pF @ 25 V	-	540mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV304P MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23 onsemi	81,761 En stock 510,000 Fábrica	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09870 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	25 V	460mA (Ta)	2.7V, 4.5V	1.1Ohm a 500mA, 4.5V	1.5V a 250µA	1.5 nC @ 4.5 V	±8V	63 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	52,725 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.07665 Cinta y rollo (TR)	-	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6A (Ta)	1.8V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	1.2V a 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
PJA3441_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	2,415 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06825 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	3.1A (Ta)	4.5V, 10V	88mOhm a 3.1A, 10V	2.5V a 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	505 pF @ 20 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	44,531 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10168 Cinta y rollo (TR)	-	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3A (Ta)	4.5V, 10V	98mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2008UFG-7 MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 Diodes Incorporated	3,274 En stock	1 : $0.38000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $0.20475 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	14A (Ta), 54A (Tc)	1.5V, 4.5V	8mOhm a 12A, 4.5V	1V a 250µA	72 nC @ 4.5 V	±8V	6909 pF @ 10 V	-	2.4W (Ta), 41W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montaje en superficie	POWERDI3333-8	8-PowerVDFN

Demostración

de 6,705

FET y MOSFET simples

Los transistores de efecto de campo simple (FET) y los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) son tipos de transistores utilizados para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Un FET simple funciona controlando el flujo de corriente eléctrica entre los terminales de fuente y drenaje a través de un campo eléctrico generado por una tensión aplicada al terminal de la puerta de enlace. La principal ventaja de los FET es su elevada impedancia de entrada, que los hace ideales para su uso en amplificación de señales y circuitos analógicos. Se utilizan ampliamente en aplicaciones como amplificadores, osciladores y etapas de búfer en circuitos electrónicos.

Los MOSFET, un subtipo de FET, tienen un terminal de puerta de enlace aislado del canal por una fina capa de óxido, lo que mejora su rendimiento y los hace muy eficientes. Los MOSFET pueden clasificarse a su vez en dos tipos:

MOSFET de canal n: donde los electrones son los portadores primarios.
MOSFET de canal p: donde los orificios son los portadores primarios.

Los MOSFET son preferidos en muchas aplicaciones debido a su bajo consumo de energía, conmutación de alta velocidad y capacidad para manejar grandes corrientes y voltajes. Son cruciales en circuitos digitales y analógicos, como fuentes de alimentación, controladores de motores y aplicaciones de radiofrecuencia.

El funcionamiento de los MOSFET puede dividirse en dos modos:

Modo de mejora: En este modo, el MOSFET está normalmente apagado cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. Requiere una tensión positiva en la fuente de la puerta de enlace (para el canal n) o una tensión negativa en la fuente de la puerta de enlace (para el canal p) para encenderse.
Modo de agotamiento: En este modo, el MOSFET está normalmente encendido cuando la tensión puerta de enlace-fuente es cero. La aplicación de un voltaje de puerta de enlace-fuente de polaridad opuesta puede apagarlo.

Los MOSFET ofrecen varias ventajas, como:

Alta eficiencia: Consumen muy poca energía y pueden cambiar de estado rápidamente, lo que los hace muy eficientes para aplicaciones de gestión de energía.
Baja resistencia al encendido: Tienen baja resistencia al encenderse, lo que minimiza la pérdida de potencia y la generación de calor.
Alta impedancia de entrada: La estructura de puerta aislada da como resultado una impedancia de entrada extremadamente alta, lo que los hace ideales para la amplificación de señales de alta impedancia.

En resumen, los FET simples, en particular los MOSFET, son componentes fundamentales de la electrónica moderna, conocidos por su eficacia, velocidad y versatilidad en una amplia gama de aplicaciones, desde la amplificación de señales de baja potencia hasta la conmutación y el control de alta potencia.

FET y MOSFET simples

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