Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 1,082
Serie
-*DTMOSIIDTMOSIVDTMOSIV-HDTMOSVDTMOSVIU-MOSIIU-MOSIIIU-MOSIII-HU-MOSIVU-MOSIV-H
Embalaje
BandejaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V20 V30 V32 V34 V38 V40 V45 V50 V60 V75 V80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
50mA (Ta)100mA (Ta)150mA (Ta)170mA (Ta)180mA (Ta)200mA (Ta)250mA (Ta)300mA (Ta)330mA (Ta)400mA (Ta)500mA (Ta)650mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.5V, 2.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.5V, 5V1.8V, 10V1.8V, 4.5V1.8V, 4V1.8V, 8V2V, 4.5V2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.3mOhm a 200A, 10V0.6mOhm a 50A, 10V0.65mOhm a 50A, 10V0.66mOhm a 100A, 10V0.74mOhm a 125A, 10V0.74mOhm a 50A, 10V0.79mOhm a 75A, 10V0.8mOhm a 50A, 10V0.85mOhm a 50A, 10V0.9mOhm a 100A, 10V0.9mOhm a 30A, 10V0.9mOhm a 5 0A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 100µA1V a 1mA1V a 250µA1.1V a 100µA1.1V a 1mA1.2V a 1mA1.2V a 200µA1.2V a 500µA1.3V a 200µA1.4V a 1.11mA1.5V a 100µA1.5V a 1µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.2 V1.2 nC @ 4 V1.23 nC @ 4 V1.5 nC @ 4 V1.5 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4 V
Vgs (máx.)
+6V, -12V+6V, -8V±6V±7V±8V+10V, -20V±10V10V+12V, -6V+12V, -8V±12V+20V, -12V+20V, -16V+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5.5 pF @ 3 V7 pF @ 3 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 3 V12 pF @ 10 V12.2 pF @ 3 V13.5 pF @ 3 V15.1 pF @ 3 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)150mW (Ta)200mW (Ta)270mW (Ta)320mW (Ta)330mW (Ta)400mW (Ta)500mW (Ta)600mW (Ta)610mW (Ta), 61W (Tc)630mW (Ta), 104W (Tc)630mW (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TJ)150°C150°C (TA)150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
4-DFN-EP (8x8)4-TFP (9.2x9.2)5-DFN (8x8)5-SSOP6-TSOP-F6-UDFN (2x2)6-UDFNB (2x2)6-WCSPC (1.5x1.0)6-µDFN (2x2)8-DSOP avanzado8-SOP8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / Caja (carcasa)
3-SMD, conductores planos3-SMD, sin conductor4-SMD, sin conductorPlaca descubierta 4-VSFN5-PowerSFN5-SMD, conductores planos5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-SMD (5 conductores), conductores planos6-SMD, conductores planos6-UFBGA, WLCSPPlaca descubierta 6-UDFNPlaca descubierta 6-WDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
1,082Resultados
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Demostración
de 1,082
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
49,940
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03413
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
4,623,878
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04810
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
800mA (Ta)
1.5V, 4.5V
235mOhm a 800mA, 4.5V
1V a 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
49,478
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03992
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
22,707
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06956
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
3.9 A (Ta)
1.5V, 4.5V
93mOhm a 1.5A, 4.5V
1V a 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
147,917
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07580
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
1.8V, 10V
42mOhm a 5A, 10V
1.2V a 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
147,865
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07734
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
71mOhm a 3A, 10V
2V a 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
71,866
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07734
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
1.8V, 10V
42mOhm a 5A, 10V
1.2V a 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
771,839
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08946
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6 A (Ta)
1.5V, 4.5V
29.8mOhm a 3A, 4.5V
1V a 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
45,528
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08946
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2 A (Ta)
4V, 10V
300mOhm a 1A, 10V
2V a 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V, -20V
330 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
22,390
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09978
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6 A (Ta)
1.8V, 8V
22.1mOhm a 6A, 8V
1V a 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
345,734
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10702
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
6 A (Ta)
1.8V, 8V
17.6mOhm a 6A, 8V
1V a 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
45,186
En stock
1 : $0.57000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12821
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.5 A (Ta)
1.5V, 4.5V
29.8mOhm a 3A, 4.5V
1V a 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UFM
3-SMD, conductores planos
9,875
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13512
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.2 A (Ta)
1.5V, 4V
28mOhm a 3A, 4V
1V a 1mA
13.6 nC @ 4 V
±10V
1010 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UFM
3-SMD, conductores planos
44,491
En stock
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13650
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
10 A (Ta)
1.5V, 4.5V
15.3mOhm a 4A, 4.5V
1V a 1mA
29.9 nC @ 4.5 V
±8V
2600 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-UDFNB (2x2)
Placa descubierta 6-WDFN
14,961
En stock
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13787
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
12 V
14 A (Ta)
-
9.1mOhm a 4A, 8V
1V a 1mA
47 nC @ 4.5 V
-
3350 pF @ 6 V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-UDFNB (2x2)
Placa descubierta 6-WDFN
26,081
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15816
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
3.5 A (Ta)
4.5V, 10V
69mOhm a 2A, 10V
2.5V a 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
6-UDFNB (2x2)
Placa descubierta 6-WDFN
5,096
En stock
1 : $0.68000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.15816
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
6 A (Ta)
4V, 10V
36mOhm a 5A, 10V
2.5V a 100µA
9.3 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 10 V
-
1.2W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
105,238
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16216
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
4.4 A (Ta)
1.5V, 4.5V
25.8mOhm a 4A, 4.5V
1V a 1mA
24.8 nC @ 4.5 V
±8V
1800 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UFM
3-SMD, conductores planos
61,589
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16216
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
2 A (Ta)
3.3V, 10V
300mOhm a 1A, 10V
2V a 1mA
-
±20V
150 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
14,546
En stock
1 : $0.70000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.16216
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
15 A (Ta)
4.5V, 10V
8.9mOhm a 4A, 10V
2.1V a 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1130 pF @ 15 V
-
1.25W (Ta)
150°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
6-UDFNB (2x2)
Placa descubierta 6-WDFN
81,245
En stock
1 : $0.75000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.17537
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
3.5 A (Ta)
4.5V, 10V
69mOhm a 2A, 10V
2.5V a 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W (Ta)
175°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
SSM3J351R,LXHF
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Toshiba Semiconductor and Storage
5,845
En stock
1 : $0.89000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.21659
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
60 V
3.5 A (Ta)
4V, 10V
134mOhm a 1A, 10V
2V a 1mA
15.1 nC @ 10 V
+10V, -20V
660 pF @ 10 V
-
1W (Ta)
150°C
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
30,759
En stock
1 : $0.98000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.24169
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
26 A (Tc)
4.5V, 10V
11.4mOhm a 13A, 10V
2.5V a 200µA
17 nC @ 10 V
±20V
1625 pF @ 30 V
-
610mW (Ta), 61W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
8-PowerVDFN
13,552
En stock
1 : $1.03000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.25531
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
80 V
34 A (Tc)
6V, 10V
19mOhm a 17A, 10V
3.5V a 200µA
16 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 40 V
-
630mW (Ta), 57W (Tc)
175°C
-
-
Montaje en superficie
8-TSON avanzado (3.1x3.1)
8-PowerVDFN
29,824
En stock
1 : $1.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.29313
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
17 A (Tc)
4.5V, 10V
11.4mOhm a 8.5A, 10V
2.5V a 200µA
23 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
1.6W (Ta), 34W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOP avanzado (5x5)
8-PowerVDFN
Demostración
de 1,082

Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FET, MOSFET - Individual


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.