Toshiba Semiconductor and Storage FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	43,340 En stock	1 : $0.15000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.02677 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	3.9Ohm a 100mA, 10V	2.1V a 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K36MFV,L3F MOSFET N-CH 20V 500MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	287,423 En stock	1 : $0.40000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.06615 Cinta y rollo (TR)	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	500mA (Ta)	1.5V, 5V	630mOhm a 200mA, 5V	1V a 1mA	1.23 nC @ 4 V	±10V	46 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3K56FS,LF MOSFET N-CH 20V 800MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	5,811,923 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06930 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.5V, 4.5V	235mOhm a 800mA, 4.5V	1V a 1mA	1 nC @ 4.5 V	±8V	55 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SSM	SC-75, SOT-416
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	490,641 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 8,000 : $0.07560 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	800mA (Ta)	1.2V, 4.5V	390mOhm a 800mA, 4.5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	VESM	SOT-723
SSM3J372R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	232,029 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08190 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6 A (Ta)	1.8V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	1.2V a 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	+12V, -6V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J334R,LF MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	213,229 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08400 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	4 A (Ta)	4V, 10V	71mOhm a 3A, 10V	2V a 100µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	280 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	194,330 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.08400 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	6 A (Ta)	1.8V, 10V	42mOhm a 5A, 10V	1.2V a 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J328R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	1,235,986 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09072 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6 A (Ta)	1.5V, 4.5V	29.8mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J356R,LF MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	322,162 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09072 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2 A (Ta)	4V, 10V	300mOhm a 1A, 10V	2V a 1mA	8.3 nC @ 10 V	+10V, -20V	330 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J355R,LF MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	33,522 En stock	1 : $0.42000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09261 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	6 A (Ta)	1.8V, 4.5V	30.1mOhm a 4A, 4.5V	1V a 1mA	16.6 nC @ 4.5 V	±10V	1030 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K329R,LF MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A Toshiba Semiconductor and Storage	27,915 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.09450 Cinta y rollo (TR)	U-MOSIII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	3.5 A (Ta)	1.8V, 4V	126mOhm a 1A, 4V	1V a 1mA	1.5 nC @ 4 V	±12V	123 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J338R,LF MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	130,896 En stock	1 : $0.37000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10395 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	6 A (Ta)	1.8V, 8V	17.6mOhm a 6A, 8V	1V a 1mA	19.5 nC @ 4.5 V	±10V	1400 pF @ 6 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J351R,LF MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	162,554 En stock	1 : $0.43000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12127 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.5 A (Ta)	4V, 10V	134mOhm a 1A, 10V	2V a 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	2W (Ta)	150°C	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J133TU,LF MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	71,229 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.12994 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	5.5 A (Ta)	1.5V, 4.5V	29.8mOhm a 3A, 4.5V	1V a 1mA	12.8 nC @ 4.5 V	±8V	840 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductores planos
SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	127,106 En stock	1 : $0.49000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14033 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	10 A (Ta)	1.5V, 4.5V	15.3mOhm a 4A, 4.5V	1V a 1mA	29.9 nC @ 4.5 V	±8V	2600 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM6J511NU,LF MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	24,201 En stock	1 : $0.50000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14207 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVII	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	12 V	14 A (Ta)	-	9.1mOhm a 4A, 8V	1V a 1mA	47 nC @ 4.5 V	-	3350 pF @ 6 V	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM3K341R,LF MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	112,643 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15787 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	6 A (Ta)	4V, 10V	36mOhm a 5A, 10V	2.5V a 100µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	550 pF @ 10 V	-	1.2W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM6K361NU,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	27,857 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15787 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.5 A (Ta)	4.5V, 10V	69mOhm a 2A, 10V	2.5V a 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	150°C	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM3J130TU,LF MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	167,467 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16275 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	4.4 A (Ta)	1.5V, 4.5V	25.8mOhm a 4A, 4.5V	1V a 1mA	24.8 nC @ 4.5 V	±8V	1800 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductores planos
SSM6J507NU,LF MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	51,414 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16275 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	10 A (Ta)	4V, 10V	20mOhm a 4A, 10V	2.2V a 250µA	20.4 nC @ 4.5 V	+20V, -25V	1150 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM6K513NU,LF MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFNB Toshiba Semiconductor and Storage	3,457 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16430 Cinta y rollo (TR)	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	15 A (Ta)	4.5V, 10V	8.9mOhm a 4A, 10V	2.1V a 100µA	7.5 nC @ 4.5 V	±20V	1130 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	150°C (TA)	Montaje en superficie	6-UDFNB (2x2)	Placa descubierta 6-WDFN
SSM3K2615R,LF MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	6,450 En stock	1 : $0.46000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16275 Cinta y rollo (TR)	π-MOSV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	2 A (Ta)	3.3V, 10V	300mOhm a 1A, 10V	2V a 1mA	-	±20V	150 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3K361R,LF MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	132,329 En stock	1 : $0.51000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17903 Cinta y rollo (TR)	U-MOSVIII-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	3.5 A (Ta)	4.5V, 10V	69mOhm a 2A, 10V	2.5V a 100µA	3.2 nC @ 4.5 V	±20V	430 pF @ 15 V	-	1.2W (Ta)	175°C	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
SSM3J351R,LXHF AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	73,514 En stock	1 : $0.65000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.23111 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	3.5 A (Ta)	4V, 10V	134mOhm a 1A, 10V	2V a 1mA	15.1 nC @ 10 V	+10V, -20V	660 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C	Montaje en superficie	SOT-23F	SOT-23-3 conductores planos
TPN11006PL,LQ MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON Toshiba Semiconductor and Storage	12,213 En stock Este producto tiene un límite de compra máximo.	1 : $0.64000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24665 Cinta y rollo (TR)	U-MOSIX-H	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	26 A (Tc)	4.5V, 10V	11.4mOhm a 13A, 10V	2.5V a 200µA	17 nC @ 10 V	±20V	1625 pF @ 30 V	-	610mW (Ta), 61W (Tc)	175°C	Montaje en superficie	8-TSON avanzado (3.1x3.1)	8-PowerVDFN

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

Toshiba Semiconductor and Storage FET simple, MOSFET

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