TO-247-3 FET simple, MOSFET

Resultados : 2,038
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCoolCADDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationIceMOS TechnologyInfineon TechnologiesInternational Rectifier
Serie
-*AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101C2M™C3M™Cool MOS™CoolMOS™CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta y rollo (TR)GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
24 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V75 V80 V85 V100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
200mA (Tc)500mA (Tc)1 A (Tc)1.5 A (Tc)2 A (Tc)2 A (Tj)2.4 A (Tc)2.5 A (Tc)2.6 A (Tc)3 A (Tc) (95°C)3 A (Tc)3A
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V4.5V, 10V5V, 20V6V, 10V7V, 10V7.5V, 10V8V, 10V10V10V, 12V10V, 15V12V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.28mOhm a 100A, 10V1.3mOhm a 100A, 10V1.6mOhm a 100A, 10V1.6mOhm a 180A, 10V1.7mOhm a 100A, 10V1.7mOhm a 195A, 10V1.8mOhm a 100A, 10V1.85mOhm a 195A, 10V1.9mOhm a 100A, 10V2mOhm a 100A, 10V2.1mOhm a 20A, 10V2.3mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 1mA2.4V a 10mA2.4V a 1mA2.4V a 5mA2.5V a 1mA2.5V a 250µA2.5V a 500µA2.6V a 1mA (típico)2.6V a 700µA2.65V a 700µA2.69V a 10mA2.69V a 2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.3 nC @ 18 V7.4 nC @ 10 V8.5 nC @ 18 V9.5 nC @ 15 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11 nC @ 20 V12 nC @ 10 V12 nC @ 15 V12 nC @ 18 V13 nC @ 10 V13 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
-8V, +19V+15V, -4V+15V, -5V±15V+18V, -5V+18V, -8V±18V+19V, -10V+19V, -8V+20V, -10V+20V, -2V+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
111 pF @ 1000 V116 pF @ 25 V124 pF @ 1000 V133 pF @ 1000 V150 pF @ 1000 V150 pF @ 600 V182 pF @ 800 V184 pF @ 1360 V191 pF @ 1000 V200 pF @ 1000 V206 pF @ 800 V225 pF @ 1000 V
Característica de FET
-EstándarModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
160mW250mW (Tc)3.1W (Ta), 500W (Tc)3.8W (Ta), 230W (Tc)3.8W (Ta), 341W (Tc)3.8W (Ta), 556W (Tc)8.3W (Ta), 208W (Tc)15W (Tc)15.6W (Ta), 312W (Tc)32W (Tc)44W (Tc)48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)150°C (TJ)150°C
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
HiP247™ conductores largosHiP247™ISO TO-247-3ISO247ISOPLUS247™MAX247™PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-21PG-TO247-3-31PG-TO247-3-41PG-TO247-3-901
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-247-3 AC EP
IRFP260MPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
6,930
En stock
1 : $2.70000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V50 A (Tc)10V40mOhm a 28A, 10V4V a 250µA234 nC @ 10 V±20V4057 pF @ 25 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP064NPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO247AC
Infineon Technologies
1,859
En stock
1 : $2.74000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V110 A (Tc)10V8mOhm a 59A, 10V4V a 250µA170 nC @ 10 V±20V4000 pF @ 25 V-200W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Infineon Technologies
13,987
En stock
1 : $2.83000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V57 A (Tc)10V25mOhm a 28A, 10V4V a 250µA190 nC @ 10 V±20V3000 pF @ 25 V-200W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP240PBF
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
2,600
En stock
1 : $2.84000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V20 A (Tc)10V180mOhm a 12A, 10V4V a 250µA70 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-150W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP9140PBF
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
Vishay Siliconix
773
En stock
1 : $2.85000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)100 V21 A (Tc)10V200mOhm a 13A, 10V4V a 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-180W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP250NPBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Infineon Technologies
8,461
En stock
1 : $2.89000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V30 A (Tc)10V75mOhm a 18A, 10V4V a 250µA123 nC @ 10 V±20V2159 pF @ 25 V-214W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
SIHG20N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Vishay Siliconix
6,024
En stock
1 : $2.92000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V270mOhm a 10A, 10V5V a 250µA76 nC @ 10 V±30V2942 pF @ 25 V-250W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
955
En stock
1 : $3.22000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V120 A (Tc)10V4.2mOhm a 75A, 10V4V a 150µA120 nC @ 10 V±20V4520 pF @ 50 V-220W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
Vishay Siliconix
1,013
En stock
1 : $3.41000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V14 A (Tc)10V400mOhm a 8.4A, 10V4V a 250µA150 nC @ 10 V±20V2600 pF @ 25 V-190W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
Infineon Technologies
12,702
En stock
1 : $3.49000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V120 A (Tc)10V3mOhm a 75A, 10V4V a 150µA170 nC @ 10 V±20V6540 pF @ 50 V-280W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP350PBF
MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
Vishay Siliconix
3,239
En stock
1 : $3.67000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)400 V16 A (Tc)10V300mOhm a 9.6A, 10V4V a 250µA150 nC @ 10 V±20V2600 pF @ 25 V-190W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Infineon Technologies
12,032
En stock
1 : $4.04000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V50 A (Tc)10V40mOhm a 28A, 10V4V a 250µA234 nC @ 10 V±20V4057 pF @ 25 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
MOSFETTO247
IPW90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
Infineon Technologies
962
En stock
1 : $4.29000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)900 V11 A (Tc)10V500mOhm a 6.6A, 10V3.5V a 740µA68 nC @ 10 V±20V1700 pF @ 100 V-156W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasantePG-TO247-3-21TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Infineon Technologies
1,818
En stock
1 : $4.42000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V65 A (Tc)10V25mOhm a 46A, 10V5V a 250µA98 nC @ 10 V±30V4600 pF @ 25 V-330W (Tc)-40°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP460PBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Vishay Siliconix
1,517
En stock
1 : $4.53000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V20 A (Tc)10V270mOhm a 12A, 10V4V a 250µA210 nC @ 10 V±20V4200 pF @ 25 V-280W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3-PKG-Series
APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Microchip Technology
239
En stock
1 : $4.53000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)1000 V8 A (Tc)10V1.8Ohm a 4A, 10V5V a 1mA60 nC @ 10 V±30V1885 pF @ 25 V-290W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247 [B]TO-247-3
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
5,629
En stock
1 : $4.74000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NSiCFET (Carburo de silicio)1200 V11 A (Tc)15V420mOhm a 4A, 15V2.69V a 2mA12 nC @ 15 V±15V334 pF @ 800 V-74W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
5,519
En stock
1 : $5.44000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NSiCFET (Carburo de silicio)1700 V5 A (Tc)20V1.2Ohm a 2A, 20V5.5V a 500µA11 nC @ 20 V+25V, -10V111 pF @ 1000 V-44W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP264PBF
MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Vishay Siliconix
859
En stock
1 : $5.44000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)250 V38 A (Tc)10V75mOhm a 23A, 10V4V a 250µA210 nC @ 10 V±20V5400 pF @ 25 V-280W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP2907PBF
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Infineon Technologies
2,733
En stock
1 : $5.75000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)75 V209 A (Tc)10V4.5mOhm a 125A, 10V4V a 250µA620 nC @ 10 V±20V13000 pF @ 25 V-470W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
PG-TO247-3
IPW60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Infineon Technologies
1,063
En stock
1 : $5.81000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V37 A (Tc)10V80mOhm a 11.8A, 10V4V a 590µA51 nC @ 10 V±20V2180 pF @ 400 V-129W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasantePG-TO247-3TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IRFP90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Infineon Technologies
574
En stock
1 : $6.04000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V94 A (Tc)10V23mOhm a 56A, 10V5V a 250µA270 nC @ 10 V±30V6040 pF @ 25 V-580W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247ACTO-247-3
PG-TO247-3
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
2,118
En stock
1 : $6.44000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)650 V20.7 A (Tc)10V190mOhm a 13.1A, 10V3.9V a 1mA114 nC @ 10 V±20V2400 pF @ 25 V-208W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasantePG-TO247-3-1TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,354
En stock
1 : $6.52000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NSiCFET (Carburo de silicio)1200 V22 A (Tc)15V192mOhm a 10A, 15V2.69V a 5mA28 nC @ 15 V±15V730 pF @ 800 V-123W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)--Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Infineon Technologies
1,097
En stock
1 : $6.53000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)650 V31 A (Tc)10V70mOhm a 15.1A, 10V4.5V a 760µA67 nC @ 10 V±20V2721 pF @ 400 V-156W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasantePG-TO247-3-21TO-247-3
Demostración
de 2,038

TO-247-3 FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.