TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 1,973
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark Semiconductor
Serie
-*CMSHEXFET®OptiMOS®OptiMOS™PowerTrench®SGTSIPMOS®SIPMOS™SOT-23STripFET™
Embalaje
BandejaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V12 V15 V16 V20 V25 V28 V30 V35 V40 V45 V50 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)51mA (Ta)53mA (Ta)60mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.8 V, 4V1.8V, 10V1.8V, 2.5V1.8V, 2.7V1.8V, 4.5V1.8V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm a 9.7A, 4.5V11.3mOhm a 3A, 4.5V12.3mOhm a 12A, 4.5V15mOhm a 7.3A, 8V15.5mOhm a 5A, 4.5V16mOhm a 7A, 4.5V17mOhm a 3A, 4.5V17mOhm a 7.2A, 4.5V18mOhm a 4.2A, 10V18mOhm a 5.8A, 4.5V18mOhm a 6.8A, 4.5V18mOhm a 7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA450mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)650mV a 1mA (mín.)680mV a 1mA (típico)700mV a 1mA (típico)700mV a 250µA (mín.)750mV a 11µA750mV a 30µA800mV a 1mA800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V±5V+6V, -8V±7V±8V8V+10V, -20V±10V10V±12V12V±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.5 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.4 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.5 pF @ 10 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
150mW (Ta)200mW200mW (Ta)200mW (Tc)225mW225mW (Ta)230mW (Tc)250mW250mW (Ta)250mW (Tc)265mW (Ta)265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)125°C (TJ)150°C150°C (TA)150°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-CPH3-MPAKMicro3™/SOT-23Mini3-G1MINI3-G3-BPG-SC59-3PG-SOT-23-3PG-SOT23PG-SOT23-3PG-SOT23-3-5PG-SOT23-3-901
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
1,973Resultados
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Demostración
de 1,973
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,295
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02728
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
69,563
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03012
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
493,947
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03212
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
415,621
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03288
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
36,751
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03825
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
252,263
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03422
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
236,978
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04077
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
415,269
En stock
59,121,000
Fábrica
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03530
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
639,121
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03483
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
572,355
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04695
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.4 A (Ta)
4.5V, 10V
160mOhm a 1.4A, 10V
2V a 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
497,139
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04517
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
399,721
En stock
1,113,000
Fábrica
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03877
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
192,349
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04760
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,254,675
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02300
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
827,146
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04070
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
423,754
En stock
38,862,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03985
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm a 100mA, 5V
2V a 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
415,855
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03983
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
406,966
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
1.05 A (Ta)
1.8V, 4.5V
200mOhm a 600mA, 4.5V
570mV a 1mA (típico)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
771,176
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04394
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
474,291
En stock
807,000
Fábrica
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06990
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
6.5 A (Ta)
1.8V, 4.5V
25mOhm a 6.5A, 4.5V
900mV a 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
178,542
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05269
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
25 V
220mA (Ta)
2.7V, 4.5V
4Ohm a 400mA, 4.5V
1.06V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
114,214
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04332
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm a 170mA, 10V
2V a 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
662,514
En stock
471,000
Fábrica
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06990
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
300mA (Ta)
1.8V, 2.7V
1.7Ohm a 200mA, 2.7V
900mV a 100µA
-
±10V
-
-
350mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
551,808
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04611
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
257,654
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04596
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150mA (Ta)
10V
6Ohm a 120mA, 10V
2.8V a 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 1,973

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.