TO-220-3 FET simple, MOSFET

Resultados : 4,293
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYS
Serie
-*AlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7AAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VIAutomotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Embalaje
BolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V24 V25 V28 V30 V33 V34 V35 V40 V50 V55 V60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
200mA (Tc)250mA (Tc)400mA (Tc)500mA (Tc)500mA (Tj)600mA (Tc)700mA (Tc)750mA (Tc)800mA (Tc)1 A (Tc)1.2 A (Tc)1.2A (Ta), 7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V2.5V, 4.5V2.8V, 10V3.5V, 10V4V, 10V4V, 5V4.3V, 10V4.5V4.5V, 10V4.5V, 5V4.5V, 7V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.25mOhm a 100A, 10V1.3mOhm a 100A, 10V1.3mOhm a 25A, 10V1.4mOhm a 100A, 10V1.4mOhm a 25A, 10V1.47mOhm a 90A, 10V1.5mOhm a 100A, 10V1.5mOhm a 195A, 10V1.5mOhm a 20A, 10V1.6mOhm a 100A, 10V1.6mOhm a 25A, 10V1.64mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
450mV a 2mA (mín.)700mV a 250µA (mín.)900mV a 250µA1V a 250µA (mín.)1V a 250µA1.2V a 250µA1.7V a 250µA2V a 1.54mA2V a 100µA2V a 110µA2V a 125µA2V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.1 nC @ 10 V2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3.7 nC @ 10 V3.9 nC @ 10 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.5 nC @ 10 V4.6 nC @ 5 V4.7 nC @ 10 V4.78 nC @ 10 V5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V±8V+10V, -8V±10V±12V±14V±15V±16V±17V±18V+20V, -12V+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5 pF @ 25 V9 pF @ 25 V10 pF @ 10 V10 pF @ 40 V95 pF @ 100 V100 pF @ 25 V102 pF @ 100 V104 pF @ 25 V105 pF @ 100 V115 pF @ 100 V120 pF @ 25 V122 pF @ 100 V
Característica de FET
-Compuerta de nivel lógico, controlador de 4VEstándarModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Tc)1.04W (Ta), 62.5W (Tc)1.1W (Ta), 25W (Tc)1.25W (Ta), 74.4W (Tc)1.5W (Ta), 100W (Tc)1.5W (Ta), 105W (Tc)1.5W (Ta), 119W (Tc)1.5W (Ta), 125W (Tc)1.5W (Ta), 20W (Tc)1.5W (Ta), 56W (Tc)1.5W (Ta), 84W (Tc)1.5W (Ta), 95W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 150°C-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 200°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)150°C (TJ)150°C175°C (TJ)
Paquete del dispositivo del proveedor
MP-25KPG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-3-123PG-TO220-3-904PG-TO220-3-U05TO-220 (IXTP)TO-220 [K]TO-220TO-220(LS)TO-220(W)TO-220-3 (IXFP)
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220AB PKG
IRFZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Infineon Technologies
1,803
En stock
1 : $0.90000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V17 A (Tc)10V70mOhm a 10A, 10V4V a 250µA20 nC @ 10 V±20V370 pF @ 25 V-45W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
64,576
En stock
1 : $1.00000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V95 A (Tc)6V, 10V5.9mOhm a 57A, 10V3.7V a 100µA110 nC @ 10 V±20V4010 pF @ 25 V-125W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220TO-220-3
TO-220AB
IRLZ14PBF
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
5,671
En stock
1 : $1.11000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V10 A (Tc)4V, 5V200mOhm a 6A, 5V2V a 250µA8.4 nC @ 5 V±10V400 pF @ 25 V-43W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Infineon Technologies
86,025
En stock
1 : $1.16000
Tubo
Tubo
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)55 V19 A (Tc)10V100mOhm a 10A, 10V4V a 250µA35 nC @ 10 V±20V620 pF @ 25 V-68W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF9530NPBF
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
Infineon Technologies
51,822
En stock
1 : $1.16000
Tubo
Tubo
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)100 V14 A (Tc)10V200mOhm a 8.4A, 10V4V a 250µA58 nC @ 10 V±20V760 pF @ 25 V-79W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
Infineon Technologies
61,755
En stock
1 : $1.21000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V17 A (Tc)10V90mOhm a 9A, 10V4V a 250µA37 nC @ 10 V±20V920 pF @ 25 V-70W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220-3
RFP12N10L
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
onsemi
8,030
En stock
1 : $1.26000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V12 A (Tc)5V200mOhm a 12A, 5V2V a 250µA-±10V900 pF @ 25 V-60W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF540NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Infineon Technologies
152,209
En stock
1 : $1.49000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V33 A (Tc)10V44mOhm a 16A, 10V4V a 250µA71 nC @ 10 V±20V1960 pF @ 25 V-130W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
78,022
En stock
1 : $1.49000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)200 V18 A (Tc)10V150mOhm a 11A, 10V4V a 250µA67 nC @ 10 V±20V1160 pF @ 25 V-150W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
Infineon Technologies
20,560
En stock
1 : $1.59000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V47 A (Tc)4V, 10V22mOhm a 25A, 10V2V a 250µA48 nC @ 5 V±16V1700 pF @ 25 V-3.8W (Ta), 110W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
IRF9540NPBF
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Infineon Technologies
8,199
En stock
1 : $1.63000
Tubo
Tubo
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)100 V23 A (Tc)10V117mOhm a 11A, 10V4V a 250µA97 nC @ 10 V±20V1300 pF @ 25 V-140W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Infineon Technologies
1,642
En stock
1 : $1.66000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V49 A (Tc)10V17.5mOhm a 25A, 10V4V a 250µA63 nC @ 10 V±20V1470 pF @ 25 V-94W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1010EZPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Infineon Technologies
2,225
En stock
1 : $1.68000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V75 A (Tc)10V8.5mOhm a 51A, 10V4V a 100µA86 nC @ 10 V±20V2810 pF @ 25 V-140W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRL540NPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Infineon Technologies
20,837
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $1.71000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V36 A (Tc)4V, 10V44mOhm a 18A, 10V2V a 250µA74 nC @ 5 V±16V1800 pF @ 25 V-140W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Infineon Technologies
43,821
En stock
1 : $1.72000
Tubo
Tubo
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)55 V31 A (Tc)10V60mOhm a 16A, 10V4V a 250µA63 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 25 V-110W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRFZ44EPBF
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Infineon Technologies
2,112
En stock
1 : $1.77000
Tubo
Tubo
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V48 A (Tc)10V23mOhm a 29A, 10V4V a 250µA60 nC @ 10 V±20V1360 pF @ 25 V-110W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRLZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Infineon Technologies
53,663
En stock
1 : $1.78000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V30 A (Tc)4V, 10V35mOhm a 16A, 10V2V a 250µA25 nC @ 5 V±16V880 pF @ 25 V-68W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF840APBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
6,772
En stock
1 : $1.94000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)500 V8 A (Tc)10V850mOhm a 4.8A, 10V4V a 250µA38 nC @ 10 V±30V1018 pF @ 25 V-125W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB4615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Infineon Technologies
6,291
En stock
1 : $2.01000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)150 V35 A (Tc)10V39mOhm a 21A, 10V5V a 100µA26 nC @ 10 V±20V1750 pF @ 50 V-144W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF2807ZPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Infineon Technologies
1,970
En stock
1 : $2.03000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)75 V75 A (Tc)10V9.4mOhm a 53A, 10V4V a 250µA110 nC @ 10 V±20V3270 pF @ 25 V-170W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF740PBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Vishay Siliconix
1,399
En stock
1 : $2.04000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)400 V10 A (Tc)10V550mOhm a 6A, 10V4V a 250µA63 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-125W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF540PBF
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Vishay Siliconix
40,281
En stock
1 : $2.15000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V28 A (Tc)10V77mOhm a 17A, 10V4V a 250µA72 nC @ 10 V±20V1700 pF @ 25 V-150W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB
IRF9540PBF
MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Vishay Siliconix
11,529
En stock
1 : $2.15000
Tubo
-
Tubo
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)100 V19 A (Tc)10V200mOhm a 11A, 10V4V a 250µA61 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 25 V-150W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRFB3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Infineon Technologies
11,210
En stock
1 : $2.33000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V120 A (Tc)10V3mOhm a 75A, 10V4V a 150µA170 nC @ 10 V±20V6540 pF @ 50 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220-3
IPP072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Infineon Technologies
3,865
En stock
1 : $2.40000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V80 A (Tc)6V, 10V7.2mOhm a 80A, 10V3.5V a 90µA68 nC @ 10 V±20V4910 pF @ 50 V-150W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasantePG-TO220-3TO-220-3
Demostración
de 4,293

TO-220-3 FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.