MOSFET (óxido de metal) FET simple, MOSFET

Resultados : 37,345
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark Semiconductor
Serie
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5 V5.5 V6 V7 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)25mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 10V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.3V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.3mOhm a 200A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 30A, 7V0.45mOhm a 50A, 10V0.45mOhm a 60A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (típico)600mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.7 pC @ 4.5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V0.31 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6.5V-6V-5V+0.6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V
Característica de FET
-Compuerta de nivel lógico, controlador de 4VDetección de corrienteDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Diodo de detección de temperaturaEstándarModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 150°C-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-LDPAK3-LGA (0.73x0.64)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerSMD, conductores planos3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-UDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
BC817-16-TP
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
38,595
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03012
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
35,806
En stock
1,770,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03073
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V380mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SC-101, SOT-883
SSM3K72KCT,L3F
MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
118,944
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03091
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V400mA (Ta)4.5V, 10V1.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
356,398
En stock
90,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03125
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V240mA (Ta)5V, 10V5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.82 nC @ 10 V±30V22 pF @ 25 V-320mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,394,408
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03159
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
635,099
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03310
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1.33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
83,958
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03376
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1.33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
789,833
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03388
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm a 50mA, 5V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BC817-16-TP
BSS138-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Micro Commercial Co
72,385
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03514
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V220mA (Tj)4.5V, 10V3.5Ohm a 220mA, 10V1.5V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-350mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
79,139
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03638
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V320mA (Ta)4.5V, 10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.3V a 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,544,124
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03795
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V200mA (Ta)1.2V, 2.5V1.2Ohm a 100mA, 2.5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
789,926
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03817
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
560,205
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03951
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.5V a 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
237,060
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03951
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V250mA (Ta)1.2V, 4.5V1.1Ohm a 150mA, 4.5V1V a 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieCST3CSC-101, SOT-883
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
504,119
En stock
99,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03995
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V350mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
96,328
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03995
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V260mA (Ta)4.5V, 10V2.5Ohm a 240mA, 10V2.6V a 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
426,623
En stock
510,000
Fábrica
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04052
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V310mA (Ta)10V3.5Ohm a 220mA, 10V1.5V a 250µA0.95 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-380mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,241,891
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04107
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.4V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q100Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
359,331
En stock
9,009,000
Fábrica
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04107
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)50 V130mA (Ta)5V10Ohm a 100mA, 5V2V a 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
924,081
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04194
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm a 300mA, 10V1.5V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1.14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
884,061
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04241
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V200mA (Ta)0.9V, 4.5V2.2Ohm a 200mA, 4.5V800mV a 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montaje en superficieUMT3FSC-85
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
558,351
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04464
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V170mA (Ta)10V6Ohm a 170mA, 10V2V a 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
391,258
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04509
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V115mA (Tc)5V, 10V7.5Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,002,348
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1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04529
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm a 500mA, 10V2.1V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
942,269
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1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04754
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V300mA (Ta)4.5V, 10V2Ohm a 500mA, 10V2.5V a 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 37,345

MOSFET (óxido de metal) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.