Canal N Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 32,927
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLC
Serie
-*12002N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
5 V5.5 V8 V9 V10 V12 V15 V16 V18 V20 V22 V24 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)40mA (Ta)50mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V0V, 18V0.35V0.9V, 2.5V0.9V, 4.5V1.2V, 2.5V1.2V, 3V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.5V1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.29mOhm a 50A, 10V0.3mOhm a 200A, 10V0.35mOhm a 50A, 10V0.36mOhm a 100A, 10V0.39mOhm a 100A, 10V0.4 mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.4mOhm a 30A, 10V0.42mOhm a 50A, 10V0.44mOhm a 88A, 10V0.45mOhm a 30A, 10V0.45mOhm a 30A, 7V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA400mV a 250µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 1.2mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 250µA (mín.)650mV a 1mA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-10V-10V, +20V-8V, +19V+0.6V, -12V4.2V a 1mA±5V+5.5V, -0.3V+5.5V, -300mV+5.5V, -4V±5.5V+5.75V, -4V+6V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4.5 pF @ 5 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V7.1 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V
Característica de FET
-Detección de corrienteDiodo de detección de temperaturaDiodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-Uso automotrizUsos militares
Calificación
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614MIL-STD-750
Tipo de montaje
-Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1.0 x 0.60)3-DFN (1x0.6)3-FCLGA (3.2x2.2)3-LGA (4.1x8)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)
Placa descubierta 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, conductores planos3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-SMD, SOT-23-3 variante
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
32,927Resultados
Filtros aplicados Eliminar todo
Demostración
de 32,927
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
2,271
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.02784
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
489,927
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03315
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1.33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
61,145
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03012
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
404,279
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03288
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm a 50mA, 5V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
88,185
En stock
1 : $0.19000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03825
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
4.5V, 10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.3V a 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,246,761
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03406
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
200mA (Ta)
1.2V, 2.5V
1.2Ohm a 100mA, 2.5V
1V a 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
236,768
En stock
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04077
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
260mA (Ta)
4.5V, 10V
2.5Ohm a 240mA, 10V
2.5V a 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
226,977
En stock
768,000
Fábrica
1 : $0.20000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03422
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm a 220mA, 10V
1.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,242,475
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.02481
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
414,937
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04285
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.4V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
408,384
En stock
60,735,000
Fábrica
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03530
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49,940
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03413
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
400mA (Ta)
4.5V, 10V
1.5Ohm a 100mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
40,181
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03543
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm a 200mA, 10V
2.1V a 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3.1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
825,905
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04357
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
572,355
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04629
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.4 A (Ta)
4.5V, 10V
160mOhm a 1.4A, 10V
2V a 3.7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
531,879
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04439
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
200mA (Ta)
0.9V, 4.5V
2.2Ohm a 200mA, 4.5V
800mV a 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
458,716
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04517
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4,623,878
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04810
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
800mA (Ta)
1.5V, 4.5V
235mOhm a 800mA, 4.5V
1V a 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
770,175
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04626
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 500mA, 10V
2.1V a 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
396,489
En stock
1,068,000
Fábrica
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03877
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
191,994
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04711
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Ta)
4.5V, 10V
3Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49,478
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03992
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
869,176
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04804
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
320mA (Ta)
10V
1.6Ohm a 300mA, 10V
1.5V a 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
536,174
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04802
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm a 500mA, 10V
2.5V a 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
253,494
En stock
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04790
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
150mA (Ta)
10V
6Ohm a 120mA, 10V
2.8V a 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 32,927

Canal N Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.