Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 1,856
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.Cambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEVVOFairchild SemiconductorfastSiCGaNPowerGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-*aMOS™Automotive, AEC-Q101C3M™Cool MOS™CoolGaN™CoolMOS™CoolMOS™ 5CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CE
Embalaje
BandejaBolsaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
-GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)SiCFET (Carburo de silicio)SiCFET (Cascode SiCJFET)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
300mA (Ta)300mA (Tj)400mA (Ta)700mA (Ta)800mA (Tc)1 A (Ta)1 A (Tc)1 A (Tj)1.4 A (Ta), 7 A (Tc)1.7 A (Tc)1.8 A (Ta), 10 A (Tc)1.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V0V, 10V5V, 5.5V6V8V9V, 20V10V12V12V, 15V15V15V, 18V15V, 20V18V18V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.1mOhm a 146.3A, 20V8.5mOhm a 146.3A, 18V9mOhm a 50A, 12V13mOhm a 85A, 10V13.2mOhm a 64.2A, 20V15mOhm a 69A, 10V17mOhm a 61.6A, 10V17mOhm a 65A, 10V17mOhm a 75A, 10V18mOhm a 46.9A, 20V18mOhm a 58.2A, 10V18mOhm a 60A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA1.2V a 3.5mA1.3V a 14mA1.3V a 3.5mA1.3V a 5mA1.4V a 1.74mA1.4V a 1.75mA1.4V a 3.5mA1.5V a 14mA1.5V a 3.5mA1.5V a 4mA1.5V a 4mA (típico)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.7 nC @ 6 V1.2 nC @ 12 V1.4 nC @ 12 V1.5 nC @ 6 V1.6 nC @ 6 V1.9 nC @ 12 V2.1 nC @ 6 V2.2 nC @ 6 V2.3 nC @ 12 V2.6 nC @ 6 V2.7 nC @ 6 V2.8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
-10V, +20V-8V, +19V+6V, -10V6V+7V, -1.4V+7V, -10V+7V, -6V+7.5V, -12V+10V, -20V±10V±12V+15V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
30 pF @ 400 V34 pF @ 300 V39 pF @ 500 V45 pF @ 400 V52 pF @ 400 V60 pF @ 400 V60 pF @ 500 V63 pF @ 400 V65 pF @ 25 V70 pF @ 400 V76.1 pF @ 400 V90 pF @ 400 V
Característica de FET
-Detección de corrienteModo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
620mW (Ta), 77W (Tc)1.1W (Ta), 188W (Tc)1.1W (Ta), 84W (Tc)1.12W (Ta), 140W (Tc)1.6W (Tj)1.8W (Ta)1.92W (Ta), 34.7W (Tc)2W2W (Ta), 156W (Tc)2W (Ta), 37W (Tc)2W (Ta), 40W (Tc)2W (Ta), 78.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 200°C (TJ)-55°C ~ 225°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje de chasisMontaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-PQFN (5x6)3-PQFN (8x8)4-DFN (8x8)4-DFN-EP (8x8)4-PDFN (8x8)4-PQFN (8x8)4-TDFN (8x8)5-DFN (8x8)8-DFN (4.9x5.75)8-DFN (5.2x5.86)8-DFN (5x6)8-DFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)
3-PowerDFN3-PowerTDFN3-SMD, sin conductor4-PowerDFN4-PowerTSFN4-SMD, sin conductorPlaca descubierta 4-VSFNPlaca descubierta 4-VSFN6-SMD, sin conductor8-DFN8-PowerDFN8-PowerSFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252 DPAK
FCD600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
onsemi
2,564
En stock
1 : $2.48000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.73354
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
6 A (Tc)
10V
600mOhm a 3A, 10V
4.5V a 600µA
11 nC @ 10 V
±30V
465 pF @ 400 V
-
54W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
DPAK
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,852
En stock
1 : $2.83000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.37667
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
12 A (Tc)
10V
299mOhm a 6A, 10V
5V a 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
8PowerVDFN
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STMicroelectronics
16,736
En stock
1 : $2.96000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.44075
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
240mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
TO252-3
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Infineon Technologies
6,735
En stock
1 : $3.00000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.94675
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11 A (Tc)
10V
225mOhm a 4.8A, 10V
4V a 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
8PowerVDFN
STL15N65M5
MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,995
En stock
1 : $3.57000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $1.14975
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
10 A (Tc)
10V
375mOhm a 5A, 10V
5V a 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 100 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PowerFlat™ (5x6)
8-PowerVDFN
3,694
En stock
1 : $3.83000
Cinta cortada (CT)
800 : $2.31411
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
25 A (Tc)
10V
190mOhm a 12.5A, 10V
4V a 250µA
26.4 nC @ 10 V
±30V
1278 pF @ 100 V
-
357W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
D2Pak
STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
STMicroelectronics
1,230
En stock
1 : $3.97000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.05327
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
24 A (Tc)
10V
140mOhm a 12A, 10V
4V a 250µA
41.5 nC @ 10 V
±25V
1790 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
STMicroelectronics
1,470
En stock
1 : $3.99000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $1.39567
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
15 A (Tc)
10V
220mOhm a 7.5A, 10V
5V a 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1240 pF @ 100 V
-
110W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB11N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Infineon Technologies
3,542
En stock
1 : $4.46000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $1.62362
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
11 A (Tc)
10V
380mOhm a 7A, 10V
3.9V a 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
3,797
En stock
1 : $5.77000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.51350
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
33 A (Tc)
10V
65mOhm a 17.1A, 10V
4.5V a 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
D2PAK-3L
UF3C065080B3
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Qorvo
12,452
En stock
1 : $6.34000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.11250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
-
650 V
25 A (Tc)
-
-
-
-
±25V
-
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
PG-TO247-3
IPW65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Infineon Technologies
1,046
En stock
1 : $6.45000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
24 A (Tc)
10V
95mOhm a 11.8A, 10V
4V a 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R150CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Infineon Technologies
1,192
En stock
1 : $6.68000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $2.78588
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
22.4 A (Tc)
10V
150mOhm a 9.3A, 10V
4.5V a 900µA
86 nC @ 10 V
±20V
2340 pF @ 100 V
-
195.3W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,825
En stock
1 : $6.78000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
61 A (Tc)
10V
45mOhm a 22.5A, 10V
4V a 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3L
UJ3C065080K3S
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Qorvo
622
En stock
1 : $6.81000
Tubo
-
Tubo
Activo
Canal N
-
650 V
31 A (Tc)
12V
111mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
51 nC @ 15 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
190W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R070CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Infineon Technologies
1,523
En stock
1 : $6.99000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
31 A (Tc)
10V
70mOhm a 15.1A, 10V
4.5V a 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
156W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-21
TO-247-3
PG-TO247-3
SPW20N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Infineon Technologies
2,488
En stock
1 : $7.08000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
20.7 A (Tc)
10V
190mOhm a 13.1A, 10V
3.9V a 1mA
114 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
208W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-220-F
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
611
En stock
1 : $7.25000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220FP
TO-220-3 paquete completo
D2Pak
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STMicroelectronics
4,218
En stock
1 : $8.81000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $4.21212
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
UF3C120080B7S
UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Qorvo
2,154
En stock
1 : $7.51000
Cinta cortada (CT)
800 : $4.87500
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
SiCFET (Cascode SiCJFET)
650 V
27 A (Tc)
-
105mOhm a 20A, 12V
6V a 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
760 pF @ 100 V
-
136.4W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
D2PAK-7
TO-263-8, conductores D2PAK (7 + lengüeta), TO-263CA
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
598
En stock
1 : $7.63000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mOhm a 19.5A, 10V
5V a 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Infineon Technologies
1,840
En stock
1 : $8.30000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $3.71225
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
31.2 A (Tc)
10V
110mOhm a 12.7A, 10V
4.5V a 1.3mA
118 nC @ 10 V
±20V
3240 pF @ 100 V
-
277.8W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
PG-VSON-4
IPL65R070C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Infineon Technologies
6,517
En stock
1 : $8.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $3.73650
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
28 A (Tc)
10V
70mOhm a 8.5A, 10V
4V a 850µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 100 V
-
169W (Tc)
-40°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TP65H150G4PS
TP65H070G4PS
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Transphorm
877
En stock
1 : $8.65000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
GaNFET (Nitrito de galio)
650 V
29 A (Tc)
10V
85mOhm a 18A, 10V
4.7V a 700µA
9 nC @ 10 V
±20V
638 pF @ 400 V
-
96W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220AB
TO-220-3
D2Pak
STB43N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STMicroelectronics
1,875
En stock
1 : $9.09000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $5.15662
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
42 A (Tc)
10V
63mOhm a 21A, 10V
5V a 250µA
100 nC @ 10 V
±25V
4400 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Demostración
de 1,856

Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.