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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
ESDLC5V0T7-TP
2SK3020-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Micro Commercial Co
13,455
En stock
1 : $0.27000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04245
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V500mA4.5V, 10V750mOhm a 300mA, 10V1.5V a 250µA1.28 nC @ 10 V±20V29 pF @ 15 V-200mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-723SOT-723
BC817-16-TP
SI0301-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
4,810
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05379
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V500mA2.5V, 4.5V750mOhm @ 500mA, 4.5V1V a 250µA0.8 nC @ 4.5 V±8V54 pF @ 15 V-830mW-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 2

500mA FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.