5.2 A (Ta) Transistores - FET, MOSFET - Individual

Resultados : 29
Fabricante
Analog Power Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
Serie
-DTMOSIVHEXFET®OptiMOS®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSV
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
8 V20 V30 V40 V50 V55 V100 V150 V650 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4.5V1.8V, 4.5V2.5V, 4.5V2.5V, 8V4V, 10V4.5V, 10V6V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
22mOhm a 5.2A, 10V30mOhm a 5.2A, 4.5V32mOhm a 5.2A, 4.5V33mOhm a 2.6A, 10V33mOhm a 5.2A, 4.5V33mOhm a 5.2A, 8V34mOhm a 5.2A, 4.5V35mOhm a 5.2A, 10V35mOhm a 5.2A, 4.5V36mOhm a 5.2A, 4.5V40mOhm a 3.8A, 10V40mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
450mV a 250µA (mín.)600mV a 250µA (mín.)900mV a 250µA1V a 1mA1V a 250µA1.2V a 250µA1.3V a 250µA2V a 250µA2V a 50µA2.5V a 250µA3V a 250µA3.5V a 170µA3.5V a 250µA4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
4 nC @ 4.5 V4.1 nC @ 4.5 V8.1 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V10.5 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V16 nC @ 4.5 V17.7 nC @ 4.5 V18 nC @ 4.5 V21 nC @ 4.5 V23 nC @ 4.5 V25 nC @ 4.5 V26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V±12V±16V±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
380 pF @ 300 V390 pF @ 15 V396 pF @ 10 V480 pF @ 15 V538 pF @ 10 V640 pF @ 10 V765 pF @ 10 V836 pF @ 30 V870 pF @ 25 V980 pF @ 10 V990 pF @ 15 V1039 pF @ 10 V1390 pF @ 25 V1575 pF @ 10 V
Disipación de potencia (Máx.)
510mW (Ta)550mW (Ta), 6.25W (Tc)660mW (Ta), 7.5W (Tc)700mW (Ta)1W (Ta)1.25W (Ta)1.3W (Ta)1.4W (Ta)1.6W (Ta)1.8W (Ta)2W (Ta)2.5W (Ta)3.1W (Ta)30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)150°C150°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP8-SO8-SOIC1206-8 ChipFET™ChipFET™DPAKIPAKPG-SOT223-4PG-SOT223-4-21SOIC-8SOT-223SOT-23SOT-23 (TO-236AB)SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)
8-SMD, conductor plano8-SMD, conductores planos8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)Conductores stub TO-251-3, IPAKSC-74, SOT-457SOIC-8SOT-23-6SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6TO-220-3 paquete completoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63TO-261-4, TO-261AA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30XPX
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
149,885
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12270
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.5V, 4.5V
34mOhm a 5.2A, 4.5V
900mV a 250µA
23 nC @ 4.5 V
±12V
1575 pF @ 10 V
-
550mW (Ta), 6.25W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
6-TSOP
SC-74, SOT-457
6-TSOP
PMN30XPAX
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
4,012
En stock
1 : $0.59000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13375
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
2.5V, 8V
33mOhm a 5.2A, 8V
1.3V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1039 pF @ 10 V
-
660mW (Ta), 7.5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
6-TSOP
SC-74, SOT-457
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK5P65W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
1,987
En stock
1 : $1.85000
Cinta cortada (CT)
2,000 : $0.48875
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
5.2 A (Ta)
10V
1.22Ohm a 2.6A, 10V
3.5V a 170µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C
-
-
Montaje en superficie
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
8-ChipFET
NTHS5404T1
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
onsemi
23,169
Mercado
2,049 : $0.15000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
-
-
18 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
ChipFET™
8-SMD, conductor plano
8-ChipFET
NTHS5445T1
MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
onsemi
0
En stock
12,000
Mercado
3,000 : $0.41359
Cinta y rollo (TR)
1,480 : $0.20000
Granel
-
Cinta y rollo (TR)
Granel
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
8 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
35mOhm a 5.2A, 4.5V
450mV a 250µA (mín.)
26 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
ChipFET™
8-SMD, conductores planos
INFINFBCP49H6419XTMA1
BSP603S2LNT
N-CHANNEL POWER MOSFET
Infineon Technologies
30,123
Mercado
1,039 : $0.29000
Granel
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.2 A (Ta)
4.5V, 10V
33mOhm a 2.6A, 10V
2V a 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1390 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-4-21
TO-261-4, TO-261AA
SOT-23-6
PJS6415_S1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
2,946
En stock
1 : $0.55000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12262
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
56mOhm a 5.2A, 4.5V
1.2V a 250µA
18 nC @ 4.5 V
±12V
765 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-23-6
ONSONSNUP4301MR6T1
FDC633N
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
Fairchild Semiconductor
1,174,320
Mercado
386 : $0.78000
Granel
-
Granel
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
42mOhm a 5.2A, 4.5V
1V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
538 pF @ 10 V
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SuperSOT™-6
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
AM4490N-CT
AM4490N-CT
MOSFET N-CH 100V 5.2A SOIC-8
Analog Power Inc.
5,000
Mercado
1 : $0.63000
Granel
-
Granel
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
5.2 A (Ta)
4.5V, 10V
92mOhm a 3.3A, 4.5V
3.5V a 250µA
17.7 nC @ 4.5 V
±20V
990 pF @ 15 V
-
3.1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOIC-8
SOIC-8
55
En stock
1 : $1.76000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
5.2 A (Ta)
10V
1.22Ohm a 2.6A, 10V
3.5V a 170µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
IPAK
Conductores stub TO-251-3, IPAK
TO-220SIS
TK5A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
Toshiba Semiconductor and Storage
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $2.09000
Tubo
Tubo
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
650 V
5.2 A (Ta)
10V
1.2Ohm a 2.6A, 10V
3.5V a 170µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
30W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Orificio pasante
TO-220SIS
TO-220-3 paquete completo
8 SO
DMN5040LSS-13
MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T&R 2
Diodes Incorporated
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
2,500 : $0.17012
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
5.2 A (Ta)
4.5V, 10V
40mOhm a 4.5A, 10V
3V a 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
836 pF @ 30 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Pkg 5547
SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Vishay Siliconix
0
En stock
3,000 : $0.34466
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
32mOhm a 5.2A, 4.5V
1V a 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
1206-8 ChipFET™
8-SMD, conductores planos
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08475
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
36mOhm a 5.2A, 4.5V
1.2V a 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±12V
396 pF @ 10 V
-
1.25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.5V, 4.5V
46mOhm a 3A, 4.5V
1V a 1mA
8.1 nC @ 4.5 V
±8V
640 pF @ 10 V
-
700mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TSM
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3050S-7
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
0
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.11030
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.2 A (Ta)
4.5V, 10V
35mOhm a 5.2A, 10V
3V a 250µA
-
±20V
390 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-6
PJS6415A_S2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.09301
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
46mOhm a 5.2A, 4.5V
1.3V a 250µA
10 nC @ 4.5 V
±12V
980 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-6
SOT-23-6
SI5401DC-T1-E3
SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
Vishay Siliconix
0
En stock
1 : $0.83000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.34466
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
32mOhm a 5.2A, 4.5V
1V a 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
1206-8 ChipFET™
8-SMD, conductores planos
8-SOIC
FDS3680
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
onsemi
0
En stock
2,500 : $0.85154
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
5.2 A (Ta)
6V, 10V
46mOhm a 5.2A, 10V
4V a 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-ChipFET
NTHS5404T1G
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
onsemi
0
En stock
1 : $1.16000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
5.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
30mOhm a 5.2A, 4.5V
600mV a 250µA (mín.)
18 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
ChipFET™
8-SMD, conductores planos
SG6858TZ
FDC633N
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
onsemi
0
En stock
Obsoleto
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.2 A (Ta)
2.5V, 4.5V
42mOhm a 5.2A, 4.5V
1V a 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
538 pF @ 10 V
-
1.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SuperSOT™-6
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
SOT-223-4
AUIRLL2705TR
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.2 A (Ta)
4V, 10V
40mOhm a 3.8A, 10V
2V a 250µA
48 nC @ 10 V
±16V
870 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
IRF7494TR
MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $4.31000
Cinta cortada (CT)
-
Cinta cortada (CT)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
150 V
5.2 A (Ta)
-
44mOhm a 3.1A, 10V
4V a 250µA
54 nC @ 10 V
-
1750 pF @ 25 V
-
-
-
-
-
Montaje en superficie
8-SO
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
SOT-223-4
BSP603S2LHUMA1
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223-4
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
55 V
5.2 A (Ta)
4.5V, 10V
33mOhm a 2.6A, 10V
2V a 50µA
42 nC @ 10 V
±20V
1390 pF @ 25 V
-
1.8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT223-4
TO-261-4, TO-261AA
Pkg 5547
SI5445BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
Vishay Siliconix
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Obsoleto
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
8 V
5.2 A (Ta)
1.8V, 4.5V
33mOhm a 5.2A, 4.5V
1V a 250µA
21 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
1206-8 ChipFET™
8-SMD, conductores planos
Demostración
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5.2 A (Ta) Transistores - FET, MOSFET - Individual

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.