FET simple, MOSFET

Resultados : 6,126
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVOFairchild SemiconductorGoford Semiconductor
Serie
-AlphaMOSAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7CMSCoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIDFN3X3DirectFET™Dual Cool™, PowerTrench®
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
50mA (Ta)100mA100mA (Ta)115mA115mA (Ta)150mA (Ta)154mA (Tj)180mA (Ta)200mA (Ta)200mA (Tc)210mA (Ta)220mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 10V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.8V, 10V1.8V, 2.5V, 4.5V1.8V, 4.5V1.8V, 4V1.8V, 8V2V, 10V2V, 4.5V2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.35mOhm a 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.47mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 30A, 10V0.55mOhm a 50A, 10V0.57mOhm a 20A, 10V0.58mOhm a 20A, 10V0.58mOhm a 30A, 10V0.6mOhm a 50A, 10V0.62mOhm a 20A, 10V0.62mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)400mV a 250µA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 250µA (mín.)680mV a 1mA (típico)700mV a 1mA (típico)700mV a 250µA (mín.)710mV a 1A800mV a 250µA800mV a 250µA (mín.)900mV a 250µA950mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.18 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.38 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4 V0.44 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.55 nC @ 4.5 V0.55 nC @ 10 V0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V+5V, -16V+5.5V, -0.3V+5.5V, -300mV+6V, -12V+8V, -12V±8V8V+10V, -20V+10V, -8V±10V10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V6.5 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V12 pF @ 3 V13 pF @ 5 V13 pF @ 10 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)150mW150mW (Ta)178mW (Ta)200mW200mW (Ta)220mW (Ta)230mW (Ta), 1.06W (Tc)236mW (Ta)240mW (Ta)240mW (Tc)250mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 185°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
-Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1x0.6)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-SSFP4-AlphaDFN (1.57 x 1.57)4-ECSP10084-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa)
3-PowerSMD, conductores planos3-SMD, conductores planos3-SMD, sin conductor3-SMD, SOT-23-3 variante3-UFDFN3-WDSON3-XDFN3-XFDFNPlaca descubierta 3-XDFN4-ICEPAK4-SMD, sin conductor4-UFBGA
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
416,802
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03877
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
350mA (Ta)
2.5V, 10V
2.8Ohm a 250mA, 10V
1.5V a 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
66,679
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03992
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,110,448
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06100
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3 A (Ta)
4.5V, 10V
95mOhm a 3A, 10V
2.5V a 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
215 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
AO3404A
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
484,973
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06355
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.8 A (Ta)
4.5V, 10V
28mOhm a 5.8A, 10V
3V a 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
200,021
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08887
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.3 A (Ta)
4.5V, 10V
27mOhm a 5.2A, 10V
2.3V a 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1.3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3407A
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
862,660
En stock
1 : $0.31000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06863
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.3 A (Ta)
4.5V, 10V
48mOhm a 4.3A, 10V
3V a 250µA
16 nC @ 10 V
±20V
830 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
290,128
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05973
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.8 A (Ta)
4.5V, 10V
65mOhm a 3.8A, 10V
2.1V a 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
239,797
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05123
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
192,666
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05714
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
154mA (Tj)
2.5V, 4.5V
7Ohm a 154mA, 4.5V
1.5V a 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
35,662
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09205
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
850mA (Ta)
2.5V
400mOhm a 500mA, 4.5V
400mV a 1mA (mín.)
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
56,165
En stock
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09484
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
760mA (Ta)
4.5V, 10V
600mOhm a 600mA, 10V
1V a 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
3,304
En stock
3,984,000
Fábrica
1 : $0.35000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07316
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
5.8 A (Ta)
3V, 10V
28mOhm a 5.8A, 10V
2V a 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3023L-7
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Diodes Incorporated
200,658
En stock
5,859,000
Fábrica
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09831
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6.2 A (Ta)
2.5V, 10V
25mOhm a 4A, 10V
1.8V a 250µA
18.4 nC @ 10 V
±20V
873 pF @ 15 V
-
900mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
154,413
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07580
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
1.8V, 10V
42mOhm a 5A, 10V
1.2V a 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
+12V, -6V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
153,558
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07734
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4 A (Ta)
4V, 10V
71mOhm a 3A, 10V
2V a 100µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
89,117
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07734
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
6 A (Ta)
1.8V, 10V
42mOhm a 5A, 10V
1.2V a 1mA
8.2 nC @ 4.5 V
±12V
560 pF @ 15 V
-
1W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23F
SOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
23,255
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09721
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
2.3 A (Ta)
4.5V, 10V
57mOhm a 2.3A, 10V
2V a 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
270,761
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
500mA (Ta)
2.5V, 4V
1.5Ohm a 10mA, 4V
1.4V a 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-59-3
DMG3401LSN-7
MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Diodes Incorporated
11,923
En stock
564,000
Fábrica
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08175
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3 A (Ta)
2.5V, 10V
50mOhm a 4A, 10V
1.3V a 250µA
25.1 nC @ 10 V
±12V
1326 pF @ 15 V
-
800mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
CSDxxxxF4T
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
23,900
En stock
1 : $0.38000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08296
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.1 A (Ta)
1.8V, 4.5V
109mOhm a 500mA, 8 A
1.1V a 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SC70-3
AO7400
MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
260,364
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10432
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevos
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
1.7 A (Ta)
2.5V, 10V
85mOhm a 1.5A, 10V
1.4V a 250µA
4.82 nC @ 4.5 V
±12V
390 pF @ 15 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMP3056L-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
90,281
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.10629
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4.3 A (Ta)
4.5V, 10V
50mOhm a 6A, 10V
2.1V a 250µA
11.8 nC @ 10 V
±25V
642 pF @ 25 V
-
1.38W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB13XNE,115
MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
13,276
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13299
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
8 A (Ta)
1.8V, 4.5V
16mOhm a 8A, 4.5V
900mV a 250µA
36 nC @ 4.5 V
±12V
2195 pF @ 15 V
-
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
DFN2020MD-6
Placa descubierta 6-UDFN
TO-236AB
PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
403,820
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08813
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
3.7 A (Ta)
1.8V, 4.5V
44mOhm a 3.7A, 4.5V
900mV a 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
635 pF @ 15 V
-
490mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
74,912
En stock
42,000
Fábrica
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08841
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
4 A (Ta)
2.5V, 10V
60mOhm a 4A, 10V
1.5V a 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±12V
464.3 pF @ 15 V
-
1.4W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 6,126

FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.