30 V FET simple, MOSFET

Resultados : 6,635
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris Corporation
Serie
-*AlphaMOSaMOS™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
-Canal NCanal P
Tecnología
GaNFET (Nitrito de galio)MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
50mA (Ta)100mA (Ta)100mA115mA (Ta)150mA (Ta)154mA (Tj)180mA (Ta)200mA (Ta)200mA (Tc)220mA (Ta)230mA (Ta)250mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.2V, 10V1.2V, 4.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.8V, 10V1.8V, 2.5V, 4.5V1.8V, 4.5V1.8V, 4V1.8V, 8V2V, 10V2V, 4.5V2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.35mOhm @ 50A, 10V0.4mOhm a 150A, 10V0.47mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 20A, 10V0.52mOhm a 30A, 10V0.55mOhm a 50A, 10V0.57mOhm a 20A, 10V0.58mOhm a 20A, 10V0.58mOhm a 30A, 10V0.6mOhm a 50A, 10V0.62mOhm a 20A, 10V0.62mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
400mV a 1mA (mín.)600mV a 1mA (mín.)600mV a 250µA (mín.)680mV a 1mA (típico)700mV a 1mA (típico)700mV a 250µA (mín.)700mV a 250µA710mV a 1A800mV a 250µA (mín.)800mV a 250µA900mV a 250µA0.95V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.35 pC @ 4.5 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.3 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.36 nC @ 4.5 V0.38 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4 V0.44 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
-20V+5V, -16V+5.5V, -0.3V+5.5V, -300mV+6V, -12V+8V, -12V8V±8V+10V, -20V+10V, -8V10V±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3.5 pF @ 15 V5 pF @ 25 V6.5 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V12 pF @ 3 V13 pF @ 10 V13 pF @ 5 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Estándar
Disipación de potencia (Máx.)
1.9mW (Ta)100mW (Ta)150mW (Ta)150mW178mW (Ta)200mW (Ta)200mW220mW (Ta)230mW (Ta), 1.06W (Tc)236mW (Ta)240mW (Ta)240mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 185°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
-Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CPH3-DFN (0.6x1)3-DFN (1x0.6)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-SSFP4-AlphaDFN (1.57 x 1.57)4-ECSP10084-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa)
3-PowerSMD, conductores planos3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductores planos3-SMD, sin conductor3-UFDFN3-WDSON3-XFDFNPlaca descubierta 3-XDFN4-ICEPAK4-SMD, sin conductor4-UFBGA4-UFBGA, WLCSP
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
574,612
En stock
138,000
Factory
1 : $0.24000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04117
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V350mA (Ta)2.5V, 10V2.8Ohm a 250mA, 10V1.5V a 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX6008NBKWX
NX3020NAKW,115
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Nexperia USA Inc.
358,011
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04975
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V180mA (Ta)2.5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V1.5V a 250µA0.44 nC @ 4.5 V±20V13 pF @ 10 V-260mW (Ta), 1.1W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMG3406L-13
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Diodes Incorporated
211,892
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.06224
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V3.6 A (Ta)4.5V, 10V50mOhm a 3.6A, 10V2V a 250µA11.2 nC @ 10 V±20V495 pF @ 15 V-770mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
99,192
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06241
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V154mA (Tj)2.5V, 4.5V7Ohm a 154mA, 4.5V1.5V a 100µA-±10V20 pF @ 5 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
355,113
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06300
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V3.8 A (Ta)4.5V, 10V65mOhm a 3.8A, 10V2.1V a 250µA5.2 nC @ 4.5 V±20V563 pF @ 25 V-1.08W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX6008NBKWX
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
826,690
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06351
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V350mA (Ta)1.8V, 4.5V1.4Ohm a 350mA, 4.5V1.1V a 250µA0.68 nC @ 4.5 V±8V50 pF @ 15 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
PJA3401A_R1_00001
SOT-23, MOSFET
Panjit International Inc.
129,611
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06804
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V3.6 A (Ta)2.5V, 10V54mOhm a 3.6A, 10V1.3V a 250µA19 nC @ 10 V±12V994 pF @ 15 V-1.25W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75-3_EMT3
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Rohm Semiconductor
27,339
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06930
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13 pF @ 5 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieEMT3SC-75, SOT-416
3-XQFN
PMZB320UPEYL
MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
57,704
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.07392
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V1 A (Ta)1.5V, 4.5V510mOhm a 1A, 4.5V950mV a 250µA1.4 nC @ 4.5 V±8V122 pF @ 15 V-350mW (Ta), 6.25W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieDFN1006B-33-XFDFN
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
262,694
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07460
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V5.8 A (Ta)3V, 10V28mOhm a 5.8A, 10V2V a 250µA9.2 nC @ 10 V±20V386 pF @ 15 V-720mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
111,939
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07780
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V3.3 A (Ta)1.8V, 10V72mOhm @ 4.2A, 10V1.3V a 250µA15.9 nC @ 10 V±12V708 pF @ 15 V-700mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
709,318
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07810
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V1.4 A (Ta)4.5V, 10V160mOhm a 1.4A, 10V2V a 3.7µA0.6 nC @ 5 V±20V94 pF @ 15 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
2SK3541T2L
MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
92,912
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07938
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13 pF @ 5 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVMT3SOT-723
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
232,029
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08190
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V6 A (Ta)1.8V, 10V42mOhm a 5A, 10V1.2V a 1mA8.2 nC @ 4.5 V+12V, -6V560 pF @ 15 V-1W (Ta)150°CMontaje en superficieSOT-23FSOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3J334R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
212,066
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V4 A (Ta)4V, 10V71mOhm a 3A, 10V2V a 100µA5.9 nC @ 10 V±20V280 pF @ 15 V-1W (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23FSOT-23-3 conductores planos
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3J332R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
187,962
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08400
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V6 A (Ta)1.8V, 10V42mOhm a 5A, 10V1.2V a 1mA8.2 nC @ 4.5 V±12V560 pF @ 15 V-1W (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23FSOT-23-3 conductores planos
SOT-323
DMN3065LW-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
Diodes Incorporated
122,628
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.08556
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V4 A (Ta)2.5V, 10V52mOhm a 4A, 10V1.5V a 250µA11.7 nC @ 10 V±12V465 pF @ 15 V-770mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
627,794
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08580
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V2.5 A (Ta)4.5V, 10V95mOhm a 3.8A, 10V2.1V a 250µA3.1 nC @ 4.5 V±20V254 pF @ 25 V-650mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-3
NVS4001NT1G
MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
onsemi
12,878
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08891
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V270mA (Ta)2.5V, 4V1.5Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA1.3 nC @ 5 V±20V33 pF @ 5 V-330mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-70-3 (SOT323)SC-70, SOT-323
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1,189,363
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09072
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V3 A (Ta)4.5V, 10V95mOhm a 3A, 10V2.5V a 250µA8 nC @ 10 V±20V215 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
DMG3418L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
114,076
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09072
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V4 A (Ta)2.5V, 10V60mOhm a 4A, 10V1.5V a 250µA5.5 nC @ 4.5 V±12V464.3 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
1,205,855
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09234
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V4 A (Ta)2.5V, 10V52mOhm a 4A, 10V1.4V a 250µA11.7 nC @ 10 V±12V464 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3404A
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
600,903
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09450
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V5.8 A (Ta)4.5V, 10V28mOhm a 5.8A, 10V3V a 250µA17 nC @ 10 V±20V820 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variante
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
256,645
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09450
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V5 A (Tc)4.5V, 10V42mOhm a 3.8A, 10V2.5V a 250µA22 nC @ 10 V±20V705 pF @ 15 V-1.7W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
32,906
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09450
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V5.8 A (Ta)2.5V, 10V26.5mOhm @ 5.8A, 10V1.4V a 250µA20 nC @ 10 V±12V860 pF @ 15 V-720mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
de 6,635

30 V FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.