109 A (Tc) FET simple, MOSFET

Resultados : 4
Fabricante
Infineon Technologiesonsemi
Serie
-CoolMOS™CoolMOS™ C7
Embalaje
Cinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®Tubo
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V600 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5mOhm a 50A, 10V17mOhm a 58.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 250µA4V a 2.91mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
12 nC @ 4.5 V240 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1935 pF @ 25 V9890 pF @ 400 V
Disipación de potencia (Máx.)
114W (Tc)446W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)PG-TO247-3-41PG-TO247-4
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerWDFNTO-247-3TO-247-4
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
MOSFETTO247
IPZ60R017C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Infineon Technologies
255
En stock
1 : $22.25000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V109 A (Tc)10V17mOhm a 58.2A, 10V4V a 2.91mA240 nC @ 10 V±20V9890 pF @ 400 V-446W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasantePG-TO247-4TO-247-4
8-WDFN
NVTFS5C658NLWFTAG
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
onsemi
1,292
En stock
1 : $1.65000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.78279
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V109 A (Tc)4.5V, 10V5mOhm a 50A, 10V2.2V a 250µA12 nC @ 4.5 V±20V1935 pF @ 25 V-114W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficie8-WDFN (3.3x3.3)8-PowerWDFN
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $21.50000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V109 A (Tc)10V17mOhm a 58.2A, 10V4V a 2.91mA240 nC @ 10 V±20V9890 pF @ 400 V-446W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Orificio pasantePG-TO247-3-41TO-247-3
8-WDFN
NVTFS5C658NLTAG
MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
onsemi
0
En stock
Consultar el plazo de entrega
1 : $1.50000
Cinta cortada (CT)
1,500 : $0.71265
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V109 A (Tc)4.5V, 10V5mOhm a 50A, 10V2.2V a 250µA12 nC @ 4.5 V±20V1935 pF @ 25 V-114W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Uso automotrizAEC-Q101Montaje en superficie8-WDFN (3.3x3.3)8-PowerWDFN
Demostración
de 4

109 A (Tc) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.