100mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 133
Fabricante
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesasRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanyoToshiba Semiconductor and Storage
Serie
-*448U-MOSIIIπ-MOSIVπ-MOSVπ-MOSVI
Embalaje
BolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16 V20 V30 V50 V60 V100 V200 V250 V600 V1500 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 10V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.5V, 4.5V1.5V, 4V2.5V2.5V, 10V2.5V, 4V4V, 10V5V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2Ohm a 100mA, 4V3Ohm a 10mA, 4V3.2Ohm a 10mA, 4V3.5Ohm a 100mA, 4.5V3.6Ohm a 10mA, 4V3.8Ohm a 100mA, 4.5V4Ohm a 10mA, 4V5Ohm a 10mA, 10V7Ohm a 10mA, 4V7.5Ohm a 50mA, 10V7.8Ohm a 50mA, 4V8Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id
900mV a 250µA1V a 100µA1V a 1mA1V a 250µA1V a 56µA1.1V a 100µA1.1V a 10µA1.1V a 1µA1.1V a 250µA1.3V a 100µA1.5V a 100µA1.5V a 1µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.45 nC @ 4.5 V0.57 nC @ 4.5 V0.66 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.43 nC @ 10 V1.57 nC @ 10 V2.3 nC @ 5 V3.5 nC @ 5 V3.7 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±7V±8V8V±10V10V±12V±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V10 pF @ 3 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)125mW (Ta)150mW (Ta)200mW200mW (Ta)250mW (Ta)300mW (Ta)330mW (Ta)360mW (Ta)470mW (Ta)500mW (Ta)625mW (Ta)900mW (Ta)2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)125°C (TJ)150°C150°C (TJ)-
Grado
-Uso automotriz
Calificación
-AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-SPA3-SSFP5-SSOP8-MMPAKCST3CST3CE-Line (compatible con TO-92)EMT3EMT3F (SOT-416FL)ES6ESV
Paquete / Caja (carcasa)
3-SIP3-SMD, sin conductor3-UFDFN3-XFDFN5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3538-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm de ancho)E-Line-3SC-101, SOT-883SC-70, SOT-323SC-72SC-75, SOT-416SC-81
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
133Resultados
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Demostración
de 133
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Grado
Calificación
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
13,899
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03545
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
X2-DFN1006-3
DMN62D0LFB-7
MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN
Diodes Incorporated
241,012
En stock
402,000
Fábrica
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07069
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
60 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
2Ohm a 100mA, 4V
1V a 250µA
0.45 nC @ 4.5 V
±20V
32 pF @ 25 V
-
470mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
PG-SOT23
BSS139H6327XTSA1
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Infineon Technologies
107,804
En stock
1 : $0.51000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.14309
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
250 V
100mA (Ta)
0V, 10V
14Ohm a 100µA, 10V
1V a 56µA
3.5 nC @ 5 V
±20V
76 pF @ 25 V
Modo de exclusión
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uso automotriz
AEC-Q101
Montaje en superficie
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
SSM3K16FV,L3F
PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
4,906
En stock
1 : $0.12000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.02840
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
3Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
63,619
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.02983
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
-
8Ohm a 50mA, 4V
-
-
-
12.2 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
47,241
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03437
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
44,785
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03437
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
4Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
7.8 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
S-Mini
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
36,571
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.02983
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
32,532
En stock
1 : $0.13000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03437
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
200mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
S-Mini
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
67,534
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03598
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
18,896
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03125
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
4Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
8.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
VESM
SOT-723
4,643
En stock
1 : $0.14000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03598
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
219,129
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.02694
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.8Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
34,466
En stock
1 : $0.15000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03914
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
SSM
SC-75, SOT-416
SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
SSM3J15CT,L3F
SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Toshiba Semiconductor and Storage
29,195
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03575
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
12Ohm a 10mA, 4V
1.7V a 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
28,084
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04225
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.5V, 4V
3Ohm a 10mA, 4V
1.1V a 100µA
-
±10V
9.3 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
23,716
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04196
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.8Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
UMT3F
RU1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Rohm Semiconductor
2,468
En stock
1 : $0.16000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04196
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal P
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.8Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
30,710
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04532
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
50 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
20Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 1µA
-
±7V
7 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
USM
SC-70, SOT-323
20,236
En stock
1 : $0.17000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03709
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
500mW (Ta)
150°C
-
-
Montaje en superficie
CST3C
SC-101, SOT-883
9,990
En stock
1 : $0.18000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.03973
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
2.5V, 4V
3.6Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
100mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
CST3
SC-101, SOT-883
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
675,180
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03812
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.5Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
VMT3
SOT-723
UMT3F
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Rohm Semiconductor
30,214
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05443
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.5Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±12V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
UMT3F
SC-85
EMT3F
RE1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
20,111
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05443
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
20 V
100mA (Ta)
1.2V, 4.5V
3.5Ohm a 100mA, 4.5V
1V a 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montaje en superficie
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 523
2SK3019-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Micro Commercial Co
7,129
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05595
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
30 V
100mA (Ta)
4V, 10V
8Ohm a 10mA, 4V
1.5V a 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TA)
-
-
Montaje en superficie
SOT-523
SOT-523
Demostración
de 133

100mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.