100mA (Ta) FET simple, MOSFET

Resultados : 138
Fabricante
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesasRenesas Electronics America IncRohm SemiconductorSanyoToshiba Semiconductor and Storage
Serie
-*SIPMOS®U-MOSIIIπ-MOSIVπ-MOSVπ-MOSVI
Embalaje
BolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y cajaCinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTiraTubo
Estado del producto
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoleto
Tipo FET
Canal NCanal P
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16 V20 V30 V50 V60 V100 V200 V250 V600 V1500 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0V, 10V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.5V, 4.5V1.5V, 4V2.5V2.5V, 10V2.5V, 4V4V, 10V5V10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2Ohm a 100mA, 4V3Ohm a 10mA, 4V3.2Ohm a 10mA, 4V3.5Ohm a 100mA, 4.5V3.6Ohm a 10mA, 4V3.8Ohm a 100mA, 4.5V4Ohm a 10mA, 4V5Ohm a 10mA, 10V7Ohm a 10mA, 4V7.5Ohm a 50mA, 10V7.8Ohm a 50mA, 4V8Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx) a Id
900mV a 250µA1V a 100µA1V a 1mA1V a 250µA1V a 56µA1.1V a 100µA1.1V a 10µA1.1V a 250µA1.3V a 100µA1.5V a 100µA1.5V a 1µA1.7V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.45 nC @ 4.5 V0.566 nC @ 4.5 V0.57 nC @ 4.5 V0.66 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.43 nC @ 10 V1.57 nC @ 10 V2.3 nC @ 5 V3.5 nC @ 5 V3.7 nC @ 10 V4.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±7V8V±8V10V±10V±12V±20V±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
6.2 pF @ 10 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V10 pF @ 3 V11 pF @ 3 V
Característica de FET
-Modo de exclusión
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)125mW (Ta)150mW (Ta)200mW (Ta)250mW (Ta)300mW (Ta)330mW (Ta)360mW (Ta)470mW (Ta)500mW (Ta)625mW (Ta)900mW (Ta)2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C125°C (TJ)150°C (TJ)150°C-
Tipo de montaje
Montaje en superficieOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CP3-SPA3-SSFP5-SSOP8-MMPAKCST3CST3CE-Line (compatible con TO-92)EMT3EMT3F (SOT-416FL)ES6ESV
Paquete / Caja (carcasa)
3-SIP3-SMD, sin conductor3-UFDFN3-XFDFN5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3538-TSSOP, 8-MSOP (ancho 0.110", 2.80mm)E-Line-3SC-101, SOT-883SC-70, SOT-323SC-72SC-75, SOT-416SC-81
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
PRODUCTO DEL MERCADO
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
855,388
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.06090
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVMT3SOT-723
SC-75-3_EMT3
2SK3019TL
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Rohm Semiconductor
27,345
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06930
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13 pF @ 5 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieEMT3SC-75, SOT-416
VMT3 Pkg
2SK3541T2L
MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
93,022
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07938
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13 pF @ 5 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVMT3SOT-723
VESM
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
70,800
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03570
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V12Ohm a 10mA, 4V1.7V a 100µA-±20V9.1 pF @ 3 V-150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
VESM
SSM3J35MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
55,149
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03570
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)-8Ohm a 50mA, 4V---12.2 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
297,008
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03990
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.8Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±10V15 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVMT3SOT-723
SOT-23-3
SSM3K15F,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA S-MINI
Toshiba Semiconductor and Storage
73,242
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04105
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V7.8 pF @ 3 V-200mW (Ta)150°CMontaje en superficieS-MiniTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
USM
SSM3K15AFU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
102,896
En stock
1 : $0.23000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04105
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V3.6Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13.5 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
USM
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
68,590
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04347
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V12Ohm a 10mA, 4V1.7V a 100µA-±20V9.1 pF @ 3 V-150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
SC-75, SOT-416
SSM3J15FS,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
Toshiba Semiconductor and Storage
11,041
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04347
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V12Ohm a 10mA, 4V1.7V a 100µA-±20V9.1 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°CMontaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
VESM
SSM3K15AMFV,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
84,741
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.04410
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V3.6Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13.5 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
SC-75, SOT-416
SSM3K15AFS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Toshiba Semiconductor and Storage
110,825
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04830
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V3.6Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13.5 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
EMT3F
RE1C001ZPTL
MOSFET P-CH 20V 100MA EMT3F
Rohm Semiconductor
14,900
En stock
1 : $0.29000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05071
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.8Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±10V15 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
USM
SSM3K16FU,LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
24,745
En stock
1 : $0.30000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05318
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4V3Ohm a 10mA, 4V1.1V a 100µA-±10V9.3 pF @ 3 V-150mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
USM
SSM3K17FU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
62,924
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.05796
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)50 V100mA (Ta)2.5V, 4V20Ohm a 10mA, 4V1.5V a 1µA-±7V7 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
VML0806
RV1C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806
Rohm Semiconductor
102,497
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.06090
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.8Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±10V15 pF @ 10 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVML08063-SMD, sin conductor
USM
SSM3K48FU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Toshiba Semiconductor and Storage
22,688
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06521
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V3.2Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V15.1 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°CMontaje en superficieUSMSC-70, SOT-323
UMT3
2SK3018T106
MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Rohm Semiconductor
17,752
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06930
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13 pF @ 5 V-200mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieUMT3SC-70, SOT-323
UMT3F
RU1C001UNTCL
MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Rohm Semiconductor
19,786
En stock
Este producto tiene un límite de compra máximo.
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07003
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±12V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieUMT3FSC-85
BC848AW-TP
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
72,691
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07980
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V8Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V13 pF @ 5 V-200mW (Ta)-55°C ~ 150°CMontaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
VESM
SSM3K44MFV,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
24,021
En stock
1 : $0.25000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.03780
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V8.5 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°CMontaje en superficieVESMSOT-723
CST3
SSM3K16CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
Toshiba Semiconductor and Storage
19,400
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04106
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4V3Ohm a 10mA, 4V1.1V a 100µA-±10V9.3 pF @ 3 V-100mW (Ta)150°CMontaje en superficieCST3SC-101, SOT-883
SC-75, SOT-416
SSM3K44FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Toshiba Semiconductor and Storage
24,534
En stock
1 : $0.28000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04830
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V100mA (Ta)2.5V, 4V4Ohm a 10mA, 4V1.5V a 100µA-±20V8.5 pF @ 3 V-150mW (Ta)150°CMontaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
RV2C001ZPT2L
RV2C001ZPT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
Rohm Semiconductor
12,050
En stock
1 : $0.46000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07749
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.8Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±10V15 pF @ 10 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVML1006SC-101, SOT-883
VML0604
RV3CA01ZPT2CL
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0604
Rohm Semiconductor
16,490
En stock
1 : $0.55000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.18270
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.5V, 4.5V3.8Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±10V7.5 pF @ 10 V-100mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVML06043-XFDFN
Demostración
de 138

100mA (Ta) FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.