1.1 A (Ta) FET simple, MOSFET

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

ZXM61P03FTA MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 Diodes Incorporated	27,909 En stock	1 : $0.41000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.14647 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	350mOhm a 600mA, 10V	1V a 250µA	4.8 nC @ 10 V	±20V	140 pF @ 25 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3433-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	58,305 En stock	1 : $0.33000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.05796 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	1.8V, 4.5V	370mOhm a 1.1A, 4.5V	1.3V a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	125 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3433_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	37,747 En stock	1 : $0.35000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.06086 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	1.8V, 4.5V	370mOhm a 1.1A, 4.5V	1.3V a 250µA	1.6 nC @ 4.5 V	±8V	125 pF @ 15 V	-	1.25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PMV280ENEAR MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB Nexperia USA Inc.	44,476 En stock	1 : $0.48000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10735 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	385mOhm a 1.1A, 10V	2.7V a 250µA	6.8 nC @ 10 V	±20V	190 pF @ 50 V	-	580mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFD9014PBF MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP Vishay Siliconix	8,740 En stock	1 : $1.39000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	10V	500mOhm a 660mA, 10V	4V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	4-HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
SSM3J112TU,LF MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	3,000 En stock	1 : $0.45000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.10012 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	4V, 10V	390mOhm a 500mA, 10V	1.8V a 100µA	-	±20V	86 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	150°C	Montaje en superficie	UFM	3-SMD, conductores planos
PMXB360ENEAZ MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 Nexperia USA Inc.	3,711 En stock	1 : $0.39000 Cinta cortada (CT) 5,000 : $0.10335 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q100	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	80 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	450mOhm a 1.1A, 10V	2.7V a 250µA	4.5 nC @ 10 V	±20V	130 pF @ 40 V	-	400mW (Ta), 6.25W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	DFN1010D-3	Placa descubierta 3-XDFN
PMT560ENEAX MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 Nexperia USA Inc.	2,716 En stock	1 : $0.44000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.13623 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q100	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	715mOhm a 1.1A, 10V	2.7V a 250µA	4.4 nC @ 10 V	±20V	112 pF @ 50 V	-	750mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-223	TO-261-4, TO-261AA
NVR5124PLT1G MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3 onsemi	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.47000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.16791 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101	Cinta y rollo (TR) Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	230mOhm a 3A, 10V	2.5V a 250µA	4.3 nC @ 10 V	±20V	240 pF @ 25 V	-	470mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ISP75DP06LMXTSA1 MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4 Infineon Technologies	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.63000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $0.26858 Cinta y rollo (TR) 1 : $1.00000 Granel	OptiMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	750mOhm a 1.1A, 10V	2V a 77µA	4 nC @ 10 V	±20V	120 pF @ 30 V	-	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-SOT223-4	TO-261-4, TO-261AA
ZVN4306AV MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $1.58000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	5V, 10V	330mOhm a 3A, 10V	3V a 1mA	-	±20V	350 pF @ 25 V	-	850mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
FDC2612 MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 onsemi	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $0.77000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.29710 Cinta y rollo (TR)	PowerTrench®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	1.1 A (Ta)	10V	725mOhm a 1.1A, 10V	4.5V a 250µA	11 nC @ 10 V	±20V	234 pF @ 100 V	-	1.6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SuperSOT™-6	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
ZVN4306A MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	1 : $1.58000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	5V, 10V	330mOhm a 3A, 10V	3V a 1mA	-	±20V	350 pF @ 25 V	-	850mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-92	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
RMD1N25ES9 MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363 Rectron USA	0 Mercado	30,000 : $0.06000 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	1.1 A (Ta)	2.5V, 4.5V	600mOhm a 500mA, 4.5V	1.1V a 250µA	-	±12V	30 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-363-6L	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
BSP296L6433 SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Infineon Technologies	6,756 Mercado	1,185 : $0.25000 Granel	SIPMOS®	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	700mOhm a 1.1A, 10V	1.8V a 400µA	17.2 nC @ 10 V	±20V	364 pF @ 25 V	-	1.79W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-SOT223	TO-261-4, TO-261AA
NDS356P MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3 Fairchild Semiconductor	0 Mercado	1 : $1.00000 Granel	-	Granel	Obsoleto	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	210mOhm a 1.3A, 10V	2.5V a 250µA	5 nC @ 5 V	±12V	180 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN2451UFDQ-13 MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	10,000 : $0.06864 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.1 A (Ta)	1.5V, 4.5V	200mOhm a 200mA, 4.5V	1V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±12V	52 pF @ 16 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	U-DFN1212-3 (típico C)	3-PowerUDFN
DMN2451UFDQ-7 MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.08580 Cinta y rollo (TR)	Automotive, AEC-Q101	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.1 A (Ta)	1.5V, 4.5V	200mOhm a 200mA, 4.5V	1V a 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±12V	52 pF @ 16 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	U-DFN1212-3 (típico C)	3-PowerUDFN
PJE8400_R1_00001 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Panjit International Inc.	0 En stock Consultar el plazo de entrega	4,000 : $0.09866 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.1 A (Ta)	1.8V, 4.5V	88mOhm a 1.1A, 4.5V	1.2V a 250µA	4.6 nC @ 4.5 V	±12V	350 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-523	SOT-523
ZXMP6A13FTA-50 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Diodes Incorporated	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.14260 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	400mOhm a 900mA, 10V	3V a 250µA	5.9 nC @ 10 V	±20V	219 pF @ 30 V	-	625mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RTR011P02TL MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 Rohm Semiconductor	0 En stock	3,000 : $0.17740 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	No para diseños nuevos	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	20 V	1.1 A (Ta)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Montaje en superficie	TSMT3	SC-96
NDS356AP-NB8L005A -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN onsemi	96,119 Mercado	1,707 : $0.18000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	200mOhm a 1.3A, 10V	2.5V a 250µA	4.4 nC @ 5 V	±20V	280 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NDS356AP-NB8L005A -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN Fairchild Semiconductor	89,968 Mercado	1,707 : $0.18000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	200mOhm a 1.3A, 10V	2.5V a 250µA	4.4 nC @ 5 V	±20V	280 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NDS351N SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI onsemi	2,761 Mercado	1,550 : $0.19000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	160mOhm a 1.4A, 10V	2V a 250µA	3.5 nC @ 5 V	±20V	140 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NDS351N SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Fairchild Semiconductor	0 Mercado	1 : $1.00000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	1.1 A (Ta)	4.5V, 10V	160mOhm a 1.4A, 10V	2V a 250µA	3.5 nC @ 5 V	±20V	140 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	SuperSOT-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

1.1 A (Ta) FET simple, MOSFET

1.1 A (Ta) FET simple, MOSFET

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