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Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
GA20JT12-263
G3R40MT12J
SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
680
En stock
1 : $19.77000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NSiCFET (Carburo de silicio)1200 V75 A (Tc)15V48mOhm a 35A, 15V2.69V a 10mA106 nC @ 15 V±15V2929 pF @ 800 V-374W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieTO-263-7TO-263-8, D²Pak (7 conductores + lengüeta), TO-263CA
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
239
En stock
1 : $29.95000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)650 V75 A (Tc)10V19mOhm a 58.3A, 10V4V a 2.92mA215 nC @ 10 V±20V9900 pF @ 400 V-446W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasantePG-TO247-3TO-247-3
SOT-227B,MINIBLOC  Pkg
IXKN75N60C
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
IXYS
147
En stock
70
Factory
1 : $68.13000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V75 A (Tc)10V36mOhm a 50A, 10V3.9V a 5mA500 nC @ 10 V±20V-Súper empalme560W (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje de chasisSOT-227BSOT-227-4, miniBLOC
TO-220AB PKG
IRFB7546PBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Infineon Technologies
4,122
En stock
1 : $1.37000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V75 A (Tc)6V, 10V7.3mOhm a 45A, 10V3.7V a 100µA87 nC @ 10 V±20V3000 pF @ 25 V-99W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL3705ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Infineon Technologies
6,400
En stock
1 : $2.35000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.39168
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V75 A (Tc)4.5V, 10V8mOhm a 52A, 10V3V a 250µA60 nC @ 5 V±16V2880 pF @ 25 V-130W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Vishay Siliconix
2,621
En stock
1 : $2.80000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.66301
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V75 A (Tc)4.5V, 10V5.9mOhm a 30A, 10V2.5V a 250µA100 nC @ 10 V±20V5500 pF @ 25 V-166W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieTO-263 (D²Pak)TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-220AB
PSMN015-100P,127
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Nexperia USA Inc.
8,758
En stock
1 : $2.57000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V75 A (Tc)10V15mOhm a 25A, 10V4V a 1mA90 nC @ 10 V±20V4900 pF @ 25 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF1405ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Infineon Technologies
2,661
En stock
1 : $3.19000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V75 A (Tc)10V4.9mOhm a 75A, 10V4V a 250µA180 nC @ 10 V±20V4780 pF @ 25 V-230W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB
PHP191NQ06LT,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Nexperia USA Inc.
4,086
En stock
1 : $3.42000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V75 A (Tc)10V3.7mOhm a 25A, 10V2V a 1mA95.6 nC @ 5 V±15V7665 pF @ 25 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
AUIRF3205
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Infineon Technologies
560
En stock
1 : $4.36000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V75 A (Tc)10V8mOhm a 62A, 10V4V a 250µA146 nC @ 10 V±20V3247 pF @ 25 V-200W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-247-3
NTHL027N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
342
En stock
1 : $20.33000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)650 V75 A (Tc)10V27.4mOhm a 35A, 10V5V a 3mA225 nC @ 10 V±30V7630 pF @ 400 V-595W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL1404ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Infineon Technologies
7,675
En stock
1 : $2.95000
Cinta cortada (CT)
800 : $1.75014
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)40 V75 A (Tc)4.5V, 10V3.1mOhm a 75A, 10V2.7V a 250µA110 nC @ 5 V±16V5080 pF @ 25 V-230W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieD2PAKTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
TO-220-3
FDP75N08A
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
onsemi
1,990
En stock
1 : $2.88000
Tubo
Tubo
Última compraCanal NMOSFET (óxido de metal)75 V75 A (Tc)10V11mOhm a 37.5A, 10V4V a 250µA104 nC @ 10 V±20V4468 pF @ 25 V-137W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220-3
HUF75345P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
onsemi
2,613
En stock
1 : $3.00000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V75 A (Tc)10V7mOhm a 75A, 10V4V a 250µA275 nC @ 20 V±20V4000 pF @ 25 V-325W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220-3
HUF75545P3
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
onsemi
800
En stock
1 : $3.01000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)80 V75 A (Tc)10V10mOhm a 75A, 10V4V a 250µA235 nC @ 20 V±20V3750 pF @ 25 V-270W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
TO-220-3
HUF75542P3
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
onsemi
733
En stock
1 : $3.50000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)80 V75 A (Tc)10V14mOhm a 75A, 10V4V a 250µA180 nC @ 20 V±20V2750 pF @ 25 V-230W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
FGPF70N30
IRFB3256PBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Infineon Technologies
294
En stock
1 : $3.50000
Tubo
Tubo
Última compraCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V75 A (Tc)10V3.4mOhm a 75A, 10V4V a 150µA195 nC @ 10 V±20V6600 pF @ 48 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-220AB PKG
IRF2804PBF
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Infineon Technologies
11,432
En stock
1 : $3.69000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)40 V75 A (Tc)10V2.3mOhm a 75A, 10V4V a 250µA240 nC @ 10 V±20V6450 pF @ 25 V-300W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
TO-247-3 AB EP
HUF75345G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
onsemi
143
En stock
1 : $4.62000
Tubo
Tubo
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)55 V75 A (Tc)10V7mOhm a 75A, 10V4V a 250µA275 nC @ 20 V±20V4000 pF @ 25 V-325W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
TO-247-3 AD EP
FCH043N60
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
onsemi
250
En stock
1 : $15.59000
Tubo
Tubo
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)600 V75 A (Tc)10V43mOhm a 38A, 10V3.5V a 250µA215 nC @ 10 V±20V12225 pF @ 400 V-592W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-247-3TO-247-3
63,000
Mercado
883 : $0.34000
Granel
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V75 A (Tc)5V, 10V10mOhm a 25A, 10V2.5V a 1mA13.2 nC @ 5 V±20V1220 pF @ 25 V-120W (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieDPAKTO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
33,931
Mercado
875 : $0.34000
Granel
Granel
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V75 A (Tc)4.5V, 10V6mOhm a 75A, 10V3V a 250µA90 nC @ 10 V±20V3400 pF @ 15 V-125W (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)Montaje en superficieTO-263ABTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
24,000
Mercado
656 : $0.46000
Granel
-
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V75 A (Tc)4.5V, 10V7.5mOhm a 75A, 10V3V a 250µA78 nC @ 10 V±20V2700 pF @ 25 V-165W (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-263ABTO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
14,761
Mercado
498 : $0.60000
Granel
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V75 A (Tc)4.5V, 10V4.5mOhm a 75A, 10V3V a 250µA105 nC @ 10 V±20V4075 pF @ 15 V-145W (Ta)-55°C ~ 175°C (TJ)Orificio pasanteTO-220ABTO-220-3
MC78M05BTG
HUF76143P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
108,627
Mercado
466 : $0.64000
Granel
-
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)30 V75 A (Tc)4.5V, 10V5.5mOhm a 75A, 10V3V a 250µA114 nC @ 10 V±20V3900 pF @ 25 V-225W (Tc)-40°C ~ 150°C (TJ)Orificio pasanteTO-220-3TO-220-3
Demostración
1 - 25
de 797

75 A (Tc) Transistores - FET, MOSFET - Individual


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.