TO-220-3 FET simple, MOSFET

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de 4,263

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Infineon Technologies	85,519 En stock	1 : $1.02000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	19 A (Tc)	10V	100mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9530NPBF MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Infineon Technologies	54,395 En stock	1 : $1.02000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14 A (Tc)	10V	200mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7545PBF MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Infineon Technologies	81,046 En stock	1 : $1.05000 Tubo	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	95 A (Tc)	6V, 10V	5.9mOhm a 57A, 10V	3.7V a 100µA	110 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	15,245 En stock	1 : $1.05000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17 A (Tc)	10V	90mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLB8721PBF MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Infineon Technologies	1,283 En stock	1 : $1.14000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	62 A (Tc)	4.5V, 10V	8.7mOhm a 31A, 10V	2.35V a 25µA	13 nC @ 4.5 V	±20V	1077 pF @ 15 V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Infineon Technologies	154,714 En stock	1 : $1.24000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	33 A (Tc)	10V	44mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	83,022 En stock	1 : $1.24000 Tubo	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18 A (Tc)	10V	150mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB Infineon Technologies	26,106 En stock	1 : $1.27000 Tubo	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	53 A (Tc)	10V	16.5mOhm a 28A, 10V	4V a 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1696 pF @ 25 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	35,356 En stock	1 : $1.39000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	47 A (Tc)	4V, 10V	22mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	10,433 En stock	1 : $1.42000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	23 A (Tc)	10V	117mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	8,528 En stock	1 : $1.45000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	49 A (Tc)	10V	17.5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	45,762 En stock	1 : $1.50000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31 A (Tc)	10V	60mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF730PBF MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB Vishay Siliconix	32,390 En stock	1 : $1.57000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	5.5 A (Tc)	10V	1Ohm a 3.3A, 10V	4V a 250µA	38 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	74W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF3205PBF MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Infineon Technologies	3,197 En stock	1 : $1.74000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	110 A (Tc)	10V	8mOhm a 62A, 10V	4V a 250µA	146 nC @ 10 V	±20V	3247 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF1010EZPBF MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB Infineon Technologies	2,278 En stock	1 : $1.76000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	75 A (Tc)	10V	8.5mOhm a 51A, 10V	4V a 100µA	86 nC @ 10 V	±20V	2810 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4020PBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	19,757 En stock	1 : $1.95000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18 A (Tc)	10V	100mOhm a 11A, 10V	4.9V a 100µA	29 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 50 V	-	100W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLB3813PBF MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Infineon Technologies	7,154 En stock	1 : $1.96000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	260 A (Tc)	4.5V, 10V	1.95mOhm a 60A, 10V	2.35V a 150µA	86 nC @ 4.5 V	±20V	8420 pF @ 15 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF740PBF MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Vishay Siliconix	2,076 En stock	1 : $2.04000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	400 V	10 A (Tc)	10V	550mOhm a 6A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF3415PBF MOSFET N-CH 150V 43A TO220AB Infineon Technologies	4,626 En stock	1 : $2.24000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	150 V	43 A (Tc)	10V	42mOhm a 22A, 10V	4V a 250µA	200 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
PHP33NQ20T,127 MOSFET N-CH 200V 32.7A TO220AB Nexperia USA Inc.	4,832 En stock	1 : $2.31000 Tubo	TrenchMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	32.7 A (Tc)	10V	77mOhm a 15A, 10V	4V a 1mA	32.2 nC @ 10 V	±20V	1870 pF @ 25 V	-	230W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB3206PBF MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Infineon Technologies	0 En stock	1 : $2.44000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	120 A (Tc)	10V	3mOhm a 75A, 10V	4V a 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	6540 pF @ 50 V	-	300W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF4905PBF MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB Infineon Technologies	94,392 En stock	1 : $2.45000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	74 A (Tc)	10V	20mOhm a 38A, 10V	4V a 250µA	180 nC @ 10 V	±20V	3400 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFBG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Vishay Siliconix	12,281 En stock	1 : $2.56000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	1000 V	3.1 A (Tc)	10V	5Ohm a 1.9A, 10V	4V a 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	980 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRL2505PBF MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB Infineon Technologies	15,961 En stock	1 : $2.57000 Tubo	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	104 A (Tc)	4V, 10V	8mOhm a 54A, 10V	2V a 250µA	130 nC @ 5 V	±16V	5000 pF @ 25 V	-	200W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF1407PBF MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB Infineon Technologies	5,365 En stock	1 : $2.60000 Tubo	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	75 V	130 A (Tc)	10V	7.8mOhm a 78A, 10V	4V a 250µA	250 nC @ 10 V	±20V	5600 pF @ 25 V	-	330W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

TO-220-3 FET simple, MOSFET

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