Orificio pasante FET simple, MOSFET

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de 13,713

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

SCT3160KLGC11 SICFET N-CH 1200V 17A TO247N Rohm Semiconductor	2,760 En stock	1 : $10.49000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	17 A (Tc)	18V	208mOhm a 5A, 18V	5.6V a 2.5mA	42 nC @ 18 V	+22V, -4V	398 pF @ 800 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3080ALGC11 SICFET N-CH 650V 30A TO247N Rohm Semiconductor	363 En stock	1 : $12.45000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	30 A (Tc)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	48 nC @ 18 V	+22V, -4V	571 pF @ 500 V	-	134W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3080KLGC11 SICFET N-CH 1200V 31A TO247N Rohm Semiconductor	3,077 En stock	1 : $21.11000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	31 A (Tc)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	60 nC @ 18 V	+22V, -4V	785 pF @ 800 V	-	165W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3030ALGC11 SICFET N-CH 650V 70A TO247N Rohm Semiconductor	7,211 En stock	1 : $31.13000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	70 A (Tc)	18V	39mOhm a 27A, 18V	5.6V a 13.3mA	104 nC @ 18 V	+22V, -4V	1526 pF @ 500 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3040KLGC11 SICFET N-CH 1200V 55A TO247N Rohm Semiconductor	1,430 En stock	1 : $39.74000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	55 A (Tc)	18V	52mOhm a 20A, 18V	5.6V a 10mA	107 nC @ 18 V	+22V, -4V	1337 pF @ 800 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3022KLGC11 SICFET N-CH 1200V 95A TO247N Rohm Semiconductor	424 En stock	1 : $52.35000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	95 A (Tc)	18V	28.6mOhm a 36A, 18V	5.6V a 18.2mA	178 nC @ 10 V	+22V, -4V	2879 pF @ 800 V	-	427W	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3022ALGC11 SICFET N-CH 650V 93A TO247N Rohm Semiconductor	2,131 En stock	1 : $53.00000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	93 A (Tc)	18V	28.6mOhm a 36A, 18V	5.6V a 18.2mA	133 nC @ 18 V	+22V, -4V	2208 pF @ 500 V	-	339W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3030KLGC11 SICFET N-CH 1200V 72A TO247N Rohm Semiconductor	754 En stock	1 : $81.08000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	1200 V	72 A (Tc)	18V	39mOhm a 27A, 18V	5.6V a 13.3mA	131 nC @ 18 V	+22V, -4V	2222 pF @ 800 V	-	339W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3017ALHRC11 SICFET N-CH 650V 118A TO247N Rohm Semiconductor	754 En stock	1 : $125.32000 Tubo	Automotive, AEC-Q101	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	118A (Tc)	18V	22.1 mOhm a 47A, 18V	5.6V a 23.5mA	172 nC @ 18 V	+22V, -4V	2884 pF @ 500 V	-	427W	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
2N7000 MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 onsemi	10,149 En stock	1 : $0.51000 Granel	-	Granel	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	200mA (Ta)	4.5V, 10V	5Ohm a 500mA, 10V	3V a 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	400mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-92-3	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
IRF9Z34NPBF MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB Infineon Technologies	85,631 En stock	1 : $1.02000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	19 A (Tc)	10V	100mOhm a 10A, 10V	4V a 250µA	35 nC @ 10 V	±20V	620 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9530NPBF MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB Infineon Technologies	52,794 En stock	1 : $1.02000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14 A (Tc)	10V	200mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	58 nC @ 10 V	±20V	760 pF @ 25 V	-	79W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFB7545PBF MOSFET N-CH 60V 95A TO220 Infineon Technologies	80,216 En stock	1 : $1.05000 Tubo	HEXFET®, StrongIRFET™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	60 V	95 A (Tc)	6V, 10V	5.9mOhm a 57A, 10V	3.7V a 100µA	110 nC @ 10 V	±20V	4010 pF @ 25 V	-	125W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220	TO-220-3
IRF530NPBF MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB Infineon Technologies	15,176 En stock	1 : $1.05000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	17 A (Tc)	10V	90mOhm a 9A, 10V	4V a 250µA	37 nC @ 10 V	±20V	920 pF @ 25 V	-	70W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLB8721PBF MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Infineon Technologies	825 En stock	1 : $1.14000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	62 A (Tc)	4.5V, 10V	8.7mOhm a 31A, 10V	2.35V a 25µA	13 nC @ 4.5 V	±20V	1077 pF @ 15 V	-	65W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF540NPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Infineon Technologies	154,645 En stock	1 : $1.24000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	33 A (Tc)	10V	44mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	71 nC @ 10 V	±20V	1960 pF @ 25 V	-	130W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Infineon Technologies	80,955 En stock	1 : $1.24000 Tubo	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	200 V	18 A (Tc)	10V	150mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	67 nC @ 10 V	±20V	1160 pF @ 25 V	-	150W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ46NPBF MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB Infineon Technologies	26,106 En stock	1 : $1.27000 Tubo	HEXFET®	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	53 A (Tc)	10V	16.5mOhm a 28A, 10V	4V a 250µA	72 nC @ 10 V	±20V	1696 pF @ 25 V	-	107W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRLZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB Infineon Technologies	35,288 En stock	1 : $1.39000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	47 A (Tc)	4V, 10V	22mOhm a 25A, 10V	2V a 250µA	48 nC @ 5 V	±16V	1700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFD9014PBF MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP Vishay Siliconix	9,793 En stock	1 : $1.39000 Granel	-	Granel	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	60 V	1.1 A (Ta)	10V	500mOhm a 660mA, 10V	4V a 250µA	12 nC @ 10 V	±20V	270 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	4-HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRF530PBF MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB Vishay Siliconix	11,193 En stock	1 : $1.40000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	100 V	14 A (Tc)	10V	160mOhm a 8.4A, 10V	4V a 250µA	26 nC @ 10 V	±20V	670 pF @ 25 V	-	88W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF9540NPBF MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Infineon Technologies	10,006 En stock	1 : $1.42000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	23 A (Tc)	10V	117mOhm a 11A, 10V	4V a 250µA	97 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	140W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ44NPBF MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB Infineon Technologies	8,462 En stock	1 : $1.45000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	49 A (Tc)	10V	17.5mOhm a 25A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1470 pF @ 25 V	-	94W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRF5305PBF MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB Infineon Technologies	45,460 En stock	1 : $1.50000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	55 V	31 A (Tc)	10V	60mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1200 pF @ 25 V	-	110W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFD9120PBF MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP Vishay Siliconix	63,760 En stock	1 : $1.57000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	100 V	1 A (Ta)	10V	600mOhm a 600mA, 10V	4V a 250µA	18 nC @ 10 V	±20V	390 pF @ 25 V	-	1.3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	4-HVMDIP	4-DIP (0.300", 7.62mm)

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

Orificio pasante FET simple, MOSFET

Orificio pasante FET simple, MOSFET

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