650 V FET simple, MOSFET

Demostración

de 1,784

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

SCT3080ALGC11 SICFET N-CH 650V 30A TO247N Rohm Semiconductor	363 En stock	1 : $12.45000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	30 A (Tc)	18V	104mOhm a 10A, 18V	5.6V a 5mA	48 nC @ 18 V	+22V, -4V	571 pF @ 500 V	-	134W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3030ALGC11 SICFET N-CH 650V 70A TO247N Rohm Semiconductor	7,211 En stock	1 : $31.13000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	70 A (Tc)	18V	39mOhm a 27A, 18V	5.6V a 13.3mA	104 nC @ 18 V	+22V, -4V	1526 pF @ 500 V	-	262W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3022ALGC11 SICFET N-CH 650V 93A TO247N Rohm Semiconductor	2,131 En stock	1 : $53.00000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	93 A (Tc)	18V	28.6mOhm a 36A, 18V	5.6V a 18.2mA	133 nC @ 18 V	+22V, -4V	2208 pF @ 500 V	-	339W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
SCT3017ALHRC11 SICFET N-CH 650V 118A TO247N Rohm Semiconductor	754 En stock	1 : $125.32000 Tubo	Automotive, AEC-Q101	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	118A (Tc)	18V	22.1 mOhm a 47A, 18V	5.6V a 23.5mA	172 nC @ 18 V	+22V, -4V	2884 pF @ 500 V	-	427W	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
STL18N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT STMicroelectronics	45,970 En stock	1 : $3.31000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.66253 Cinta y rollo (TR)	MDmesh™ V	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	15 A (Tc)	10V	240mOhm a 7.5A, 10V	5V a 250µA	31 nC @ 10 V	±25V	1240 pF @ 100 V	-	57W (Tc)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerFlat™ (5x6)	8-PowerVDFN
TK065U65Z,RQ DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ Toshiba Semiconductor and Storage	3,592 En stock	1 : $6.32000 Cinta cortada (CT) 2,000 : $3.45345 Cinta y rollo (TR)	DTMOSVI	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	38 A (Ta)	10V	65mOhm a 19A, 10V	4V a 1.69mA	62 nC @ 10 V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W (Tc)	150°C	Montaje en superficie	TOLL	8-PowerSFN
SPB20N60C3ATMA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3 Infineon Technologies	7,192 En stock	1 : $6.60000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $3.48810 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20.7 A (Tc)	10V	190mOhm a 13.1A, 10V	3.9V a 1mA	114 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
UJ3C065080B3 MOSFET N-CH 650V 25A TO263 UnitedSiC	7,764 En stock	1 : $7.62000 Cinta cortada (CT) 800 : $4.96511 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	-	650 V	25 A (Tc)	12V	111mOhm a 20A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	115W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263 (D2Pak)	TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
IPB65R065C7ATMA2 MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 Infineon Technologies	5,936 En stock	1 : $10.27000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $5.82387 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™ C7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	33 A (Tc)	10V	65mOhm a 17.1A, 10V	4.5V a 200µA	64 nC @ 10 V	±20V	3020 pF @ 400 V	-	171W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-TO263-3	TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2 Infineon Technologies	1,736 En stock	1 : $8.34000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $4.73020 Cinta y rollo (TR)	CoolMOS™ CFD7	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	38 A (Tc)	10V	55mOhm a 18A, 10V	4.5V a 900µA	79 nC @ 10 V	±20V	3194 pF @ 400 V	-	178W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
SPW20N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 Infineon Technologies	5,092 En stock	1 : $6.98000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	20.7 A (Tc)	10V	190mOhm a 13.1A, 10V	3.9V a 1mA	114 nC @ 10 V	±20V	2400 pF @ 25 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO247-3-1	TO-247-3
IPP60R125CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Infineon Technologies	4,990 En stock	1 : $7.33000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	25 A (Tc)	10V	125mOhm a 16A, 10V	3.5V a 1.1mA	70 nC @ 10 V	±20V	2500 pF @ 100 V	-	208W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
TP65H070LSG-TR GANFET N-CH 650V 25A PQFN88 Transphorm	12,994 En stock	1 : $13.12000 Cinta cortada (CT) 500 : $9.05888 Cinta y rollo (TR)	TP65H070L	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	GaNFET (Nitrito de galio)	650 V	25 A (Tc)	10V	85mOhm a 16A, 10V	4.8V a 700µA	9.3 nC @ 10 V	±20V	600 pF @ 400 V	-	96W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	3-PQFN (8x8)	3-PowerDFN
SCT3120ALGC11 SICFET N-CH 650V 21A TO247N Rohm Semiconductor	2,969 En stock	1 : $9.15000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	SiCFET (Carburo de silicio)	650 V	21 A (Tc)	18V	156mOhm a 6.7A, 18V	5.6V a 3.33mA	38 nC @ 18 V	+22V, -4V	460 pF @ 500 V	-	103W (Tc)	175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247N	TO-247-3
STW45N65M5 MOSFET N-CH 650V 35A TO247 STMicroelectronics	1,618 En stock	1 : $9.42000 Tubo	MDmesh™ V	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	35 A (Tc)	10V	78mOhm a 19.5A, 10V	5V a 250µA	91 nC @ 10 V	±20V	3375 pF @ 100 V	-	210W (Tc)	150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IPP60R099CPXKSA1 MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 Infineon Technologies	1,998 En stock	1 : $9.85000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	31 A (Tc)	10V	99mOhm a 18A, 10V	3.5V a 1.2mA	80 nC @ 10 V	±20V	2800 pF @ 100 V	-	255W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO220-3	TO-220-3
IPW60R037P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Infineon Technologies	1,109 En stock	1 : $12.76000 Tubo	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	76 A (Tc)	10V	37mOhm a 29.5A, 10V	4V a 1.48mA	121 nC @ 10 V	±20V	5243 pF @ 400 V	-	255W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO247-3	TO-247-3
UF3C065040K3S MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 UnitedSiC	4,302 En stock	1 : $13.43000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	-	650 V	54 A (Tc)	12V	52mOhm a 40A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	326W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
IPW65R045C7FKSA1 MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 Infineon Technologies	2,321 En stock	1 : $14.87000 Tubo	CoolMOS™ C7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	46 A (Tc)	10V	45mOhm a 24.9A, 10V	4V a 1.25mA	93 nC @ 10 V	±20V	4340 pF @ 400 V	-	227W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO247-3-1	TO-247-3
SPW47N60C3FKSA1 MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Infineon Technologies	2,377 En stock	1 : $18.47000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	47 A (Tc)	10V	70mOhm a 30A, 10V	3.9V a 2.7mA	320 nC @ 10 V	±20V	6800 pF @ 25 V	-	415W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	PG-TO247-3-1	TO-247-3
TP65H035G4WS GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 Transphorm	788 En stock	1 : $18.65000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)	650 V	46.5 A (Tc)	10V	41 mOhm a 30A, 10V	4.8V a 1mA	22 nC @ 0 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W (Tc)	-55°C ~ 150°C	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
UF3C065030T3S MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 UnitedSiC	4,939 En stock	1 : $18.67000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	-	650 V	85 A (Tc)	12V	35mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
UJ3C065030T3S MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3 UnitedSiC	1,688 En stock	1 : $18.67000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	-	650 V	85 A (Tc)	12V	35mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220-3	TO-220-3
UJ3C065030K3S MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3 UnitedSiC	4,181 En stock	1 : $19.16000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	-	650 V	85 A (Tc)	12V	35mOhm a 50A, 12V	6V a 10mA	51 nC @ 15 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	441W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3
TP65H035WS GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 Transphorm	785 En stock	1 : $20.77000 Tubo	-	Tubo	Activo	Canal N	GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)	650 V	46.5 A (Tc)	12V	41 mOhm a 30A, 10V	4.8V a 1mA	36 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 400 V	-	156W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	TO-247-3	TO-247-3

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Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.

650 V FET simple, MOSFET

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