20 V FET simple, MOSFET

Resultados : 2,883
Fabricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYS
Serie
-*AlphaMOSAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIAutomotive, AEC-Q101, U-MOSVII-HCMS
Embalaje
BandejaBolsaCajaCinta cortada (CT)Cinta y rollo (TR)Digi-Reel®GranelTubo
Product Status
ActivoDiscontinuo en Digi-KeyNo para diseños nuevosObsoletoÚltima compra
Tipo FET
Canal NCanal P
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
25mA50mA (Ta)60mA100mA (Ta)127mA (Ta)140mA (Ta)150mA (Ta)155mA (Ta)160mA (Ta)180mA (Ta)200mA (Ta)210mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
0.9V, 2.5V1.2V, 2.5V1.2V, 4.5V1.2V, 4V1.2V, 5V1.5V, 2.5V1.5V, 4.5V1.5V, 4V1.5V, 5V1.5V, 8V1.65V, 4.5V1.7V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
0.4mOhm a 30A, 10V0.75mOhm a 50A, 10V0.92mOhm a 10A, 10V0.95mOhm a 50A, 10V1.1mOhm a 10A, 10V1.17mOhm a 20A, 10V1.3mOhm a 40A, 10V1.35mOhm a 10A, 10V1.4mOhm a 25A, 10V1.55mOhm a 20A, 10V1.6mOhm a 20A, 10V1.6mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
450mV a 100µA (mín.)450mV a 1mA (mín.)450mV a 250µA (mín.)450mV a 2mA (mín.)0.5V @ 250µA500mV a 250µA (mín.)570mV a 1mA (típico)600mV a 11µA600mV a 250µA (mín.)650mV a 1mA (mín.)700mV a 1mA (típico)700mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.41 nC @ 4.5 V0.46 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4 V0.5 nC @ 4.5 V0.566 nC @ 4.5 V0.57 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-20V-12V-8V-8V, 0V-6V±5V+6V, -8V±6V+7V, -0.2V+8V, -10V8V±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2.76 pF @ 15 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V7.1 pF @ 10 V7.5 pF @ 10 V8.5 pF @ 3 V9 pF @ 15 V9 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V10 pF @ 15 V10.5 pF @ 10 V
Característica de FET
-Diodo Schottky (aislado)Diodo Schottky (cuerpo)Estándar
Disipación de potencia (Máx.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)170mW (Ta)180mW190mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-25°C ~ 150°C (TJ)125°C (TJ)150°C (TA)
Tipo de montaje
Montaje en superficieMontaje en superficie, lateral humedecibleOrificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
3-CPH3-DFN (1.0 x 0.60)3-LGA (0.73x0.64)3-MCPH3-PICOSTAR3-PMCP3-SMD3-XDFN (0.42x0.62)3-XLLGA (0.62x0.62)4-AlphaDFN (0.97x0.97)4-AlphaDFN (1.57 x 1.57)4-DSBGA (1x1)
Paquete / Caja (carcasa)
3-PowerSMD, conductores planos3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SMD, SOT-23-3 variante3-SMD, conductor plano3-SMD, conductores planos3-SMD, no estándar3-SMD, sin conductor3-UDFN3-UFDFN3-XDFN3-XFDFN
Opciones de almacenamiento
Opciones ambientales
Medios de comunicación
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Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Product Status
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,139,680
En stock
1 : $0.26000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04497
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V200mA (Ta)1.2V, 2.5V1.2Ohm a 100mA, 2.5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
SC-101, SOT-883
SSM3K35CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Toshiba Semiconductor and Storage
367,092
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.04542
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V250mA (Ta)1.2V, 4.5V1.1Ohm a 150mA, 4.5V1V a 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieCST3CSC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
PMZ290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
175,129
En stock
1 : $0.39000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.05552
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1.2 A (Ta)1.5V, 4.5V320mOhm a 1.2A, 4.5V950mV a 250µA1.4 nC @ 4.5 V±8V46 pF @ 10 V-350mW (Ta), 5.43W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-883SC-101, SOT-883
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
631,864
En stock
1 : $0.33000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06269
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V630mA (Ta)1.8V, 4.5V400mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74 nC @ 4.5 V±6V60.67 pF @ 16 V-280mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-523SOT-523
2N7002-13-F
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
69,493
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06507
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V3 A (Ta)2.5V, 4.5V120mOhm a 2.8A, 4.5V1.2V a 250µA5.5 nC @ 4.5 V±8V476 pF @ 10 V-1.5W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SBR 3-DFN
DMP21D5UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
Diodes Incorporated
15,391
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.06532
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V700mA (Ta)1.2V, 5V970mOhm a 100mA, 5V1V a 250µA0.5 nC @ 4.5 V±8V46.1 pF @ 10 V-460mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieX2-DFN1006-33-XFDFN
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
907,254
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.06670
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V100mA (Ta)1.2V, 4.5V3.5Ohm a 100mA, 4.5V1V a 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVMT3SOT-723
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
956,826
En stock
1 : $0.37000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.06831
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V200mA (Ta)1.2V, 2.5V1.2Ohm a 200mA, 2.5V1V a 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVMT3SOT-723
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
961,607
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06956
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1 A (Ta)1.8V, 4.5V450mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74 nC @ 4.5 V±6V60.67 pF @ 16 V-290mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-523
DMG1012TQ-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
Diodes Incorporated
1,001,339
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06956
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V630mA (Ta)1.8V, 4.5V400mOhm a 600mA, 4.5V1V a 250µA0.74 nC @ 4.5 V±6V60.67 pF @ 16 V-280mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-523SOT-523
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
446,161
En stock
1 : $0.36000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.06956
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V820mA (Ta)1.8V, 4.5V750mOhm a 430mA, 4.5V1V a 250µA0.622 nC @ 4.5 V±6V59.76 pF @ 16 V-310mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-323SC-70, SOT-323
3-DFN1006
DMN2400UFB-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
875,794
En stock
1 : $0.34000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07015
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V750mA (Ta)1.8V, 4.5V550mOhm a 600mA, 4.5V900mV a 250µA0.5 nC @ 4.5 V±12V36 pF @ 16 V-470mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieX1-DFN1006-33-UFDFN
VESM
SSM3K36MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
55,561
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.07245
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V500mA (Ta)1.5V, 5V630mOhm a 200mA, 5V1V a 1mA1.23 nC @ 4 V±10V46 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
SBR 3-DFN
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Diodes Incorporated
564,619
En stock
1 : $0.44000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.07250
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1.3 A (Ta)1.5V, 4.5V175mOhm a 300mA, 4.5V950mV a 250µA1.6 nC @ 4.5 V±8V64.3 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieX2-DFN1006-33-XFDFN
2N7002-13-F
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
1,205,830
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07644
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V600mA (Ta)1.8V, 4.5V900mOhm a 430mA, 4.5V1V a 250µA-±8V175 pF @ 16 V-550mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-75, SOT-416
SSM3K56FS,LF
MOSFET N-CH 20V 800MA SSM
Toshiba Semiconductor and Storage
5,848,941
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07590
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V800mA (Ta)1.5V, 4.5V235mOhm a 800mA, 4.5V1V a 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieSSMSC-75, SOT-416
2N7002-13-F
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
477,229
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07829
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V4.2 A (Ta)1.8V, 4.5V52mOhm a 4.2A, 4.5V900mV a 250µA10.2 nC @ 4.5 V±8V808 pF @ 15 V-1.4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-13-F
DMG3420U-7
MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
Diodes Incorporated
271,211
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08211
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V5.47 A (Ta)1.8V, 10V29mOhm a 6A, 10V1.2V a 250µA5.4 nC @ 4.5 V±12V434.7 pF @ 10 V-740mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VESM
SSM3J56MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Toshiba Semiconductor and Storage
460,995
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.08280
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V800mA (Ta)1.2V, 4.5V390mOhm a 800mA, 4.5V--±8V100 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVESMSOT-723
SOT-523
PJE8408_R1_00001
SOT-523, MOSFET
Panjit International Inc.
251,847
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
4,000 : $0.08280
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V500mA (Ta)1.2V, 4.5V400mOhm a 500mA, 4.5V900mV a 250µA1.4 nC @ 4.5 V±10V67 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-523 conductores planosSC-89, SOT-490
2N7002-13-F
DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
107,576
En stock
6,516,000
Factory
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08464
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V4.2 A (Ta)2.5V, 4.5V38mOhm a 3.6A, 4.5V1V a 250µA7 nC @ 4.5 V±8V594.3 pF @ 10 V-800mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC−75-3_463
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
onsemi
534,439
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07696
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V915mA (Ta)1.5V, 4.5V230mOhm a 600mA, 4.5V1.1V a 250µA1.82 nC @ 4.5 V±6V110 pF @ 16 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
165,594
En stock
1 : $0.45000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08120
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)20 V760mA (Tj)1.8V, 4.5V360mOhm a 350mA, 4.5V1.2V a 250µA2.1 nC @ 4.5 V±6V156 pF @ 5 V-301mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
RV2C001ZPT2L
RV2C010UNT2L
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Rohm Semiconductor
54,427
En stock
1 : $0.41000
Cinta cortada (CT)
8,000 : $0.09384
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1 A (Ta)1.2V, 4.5V470mOhm a 500mA, 4.5V1V a 1mA-±8V40 pF @ 10 V-400mW (Ta)150°C (TJ)Montaje en superficieVML1006SC-101, SOT-883
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
142,574
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09000
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)20 V1.4 A (Ta)1.8V, 2.5V160mOhm a 1.4A, 2.5V750mV a 3.7µA0.6 nC @ 2.5 V±8V180 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT323SC-70, SOT-323
Demostración
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de 2,883

20 V FET simple, MOSFET

Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.