Demostración
1 - 25
de 27
Comparar
Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Product Status
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
720,229
En stock
1 : $0.22000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.03956
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V17 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1.33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5868
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Vishay Siliconix
59,494
En stock
1 : $0.60000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.21390
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)4.5V, 10V4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1.7 nC @ 15 V±20V23 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-75ASC-75, SOT-416
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
NX138AKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
12,251
En stock
1 : $0.21000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.04047
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)2.5V, 10V4.5Ohm a 190mA, 10V1.5V a 250µA1.4 nC @ 10 V±20V20 pF @ 30 V-325mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123IXTMA1
BSS123IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Infineon Technologies
14,127
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07342
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V1.8V a 13µA0.63 nC @ 10 V±20V15 pF @ 50 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
BST82,235
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
En stock
20,000 : $0.09896
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)5V10Ohm a 150mA, 5V2V a 1mA-±20V40 pF @ 10 V-830mW (Tc)150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
BST82,215
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,598
En stock
1 : $0.40000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12334
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
No para diseños nuevosCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)5V10Ohm a 150mA, 5V2V a 1mA-±20V40 pF @ 10 V-830mW (Tc)-65°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $0.50000
Cinta cortada (CT)
10,000 : $0.07373
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V1.8V a 13µA0.9 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-89 Pkg
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
565
En stock
1 : $0.74000
Cinta cortada (CT)
1,000 : $0.28764
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal PMOSFET (óxido de metal)250 V190mA (Ta)2.8V, 10V12Ohm a 190mA, 10V2V a 130µA6.1 nC @ 10 V±20V104 pF @ 25 V-1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT89TO-243AA
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $0.47000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.09096
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V1.8V a 13µA0.9 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS119NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $0.48000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.13523
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V2.3V a 13µA0.6 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS127IXTSA1
BSS169IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $0.43000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.12217
Cinta y rollo (TR)
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)0V, 10V2.9Ohm a 190mA, 10V1.8V a 50µA2.1 nC @ 7 V±20V51 pF @ 25 V-360mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
HSM123TR-E
BSS119N H7796
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
10,000
Mercado
7,493 : $0.04000
Granel
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V2.3V a 13µA0.6 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23-3-5TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BAT1805E6327
BSS119NH7796
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
16,296
Mercado
7,493 : $0.04000
Granel
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V2.3V a 13µA0.6 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23-3-5TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123IXTMA1
BSS123IXTMA1
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $0.42000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.07036
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V1.8V a 13µA0.63 nC @ 10 V±20V15 pF @ 50 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23-3-5TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
HSM123TR-E
BSS119NH7978XTSA1
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
15,000
Mercado
2,812 : $0.11000
Granel
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V2.3V a 13µA0.6 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23-3-5TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
NX138AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
En stock
10,000 : $0.02731
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)2.5V, 10V4.5Ohm a 190mA, 10V1.5V a 250µA1.4 nC @ 10 V±20V20 pF @ 30 V-265mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
NX7002AKVL
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
0
En stock
10,000 : $0.02875
Cinta y rollo (TR)
1 : $1.00000
Granel
Cinta y rollo (TR)
Granel
ActivoCanal NMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)5V, 10V4.5Ohm a 100mA, 10V2.1V a 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-89 Pkg
BSS192PE6327
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $1.00000
Granel
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Granel
ObsoletoCanal PMOSFET (óxido de metal)250 V190mA (Ta)2.8V, 10V12Ohm a 190mA, 10V2V a 130µA6.1 nC @ 10 V±20V104 pF @ 25 V-1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT89TO-243AA
SOT-89 Pkg
BSS192PE6327T
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
ObsoletoCanal PMOSFET (óxido de metal)250 V190mA (Ta)2.8V, 10V12Ohm a 190mA, 10V2V a 130µA6.1 nC @ 10 V±20V104 pF @ 25 V-1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT89TO-243AA
SOT-223-4
BSP300 E6327
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
En stock
Discontinuo en Digi-Key
Cinta y rollo (TR)
Discontinuo en Digi-KeyCanal NMOSFET (óxido de metal)800 V190mA (Ta)10V20Ohm a 190mA, 10V4V a 1mA-±20V230 pF @ 25 V-1.8W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT223-4-21TO-261-4, TO-261AA
SOT-223-4
BSP300L6327HUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
En stock
1 : $1.00000
Granel
Cinta y rollo (TR)
Granel
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)800 V190mA (Ta)10V20Ohm a 190mA, 10V4V a 1mA-±20V230 pF @ 25 V-1.8W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT223-4-21TO-261-4, TO-261AA
SOT-89 Pkg
BSS192PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal PMOSFET (óxido de metal)250 V190mA (Ta)2.8V, 10V12Ohm a 190mA, 10V2V a 130µA6.1 nC @ 10 V±20V104 pF @ 25 V-1W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT89TO-243AA
Pkg 5868
SI1021R-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Vishay Siliconix
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal PMOSFET (óxido de metal)60 V190mA (Ta)4.5V, 10V4Ohm a 500mA, 10V3V a 250µA1.7 nC @ 15 V±20V23 pF @ 25 V-250mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficieSC-75ASC-75, SOT-416
SOT-223-4
BSP300H6327XUSA1
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Infineon Technologies
0
En stock
Obsoleto
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
ObsoletoCanal NMOSFET (óxido de metal)800 V190mA (Ta)10V20Ohm a 190mA, 10V4V a 1mA-±20V230 pF @ 25 V-1.8W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT223-4TO-261-4, TO-261AA
BSXXXXXXXXXXXXXA1
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
En stock
Discontinuo en Digi-Key
Cinta y rollo (TR)
Discontinuo en Digi-KeyCanal NMOSFET (óxido de metal)100 V190mA (Ta)4.5V, 10V6Ohm a 190mA, 10V2.3V a 13µA0.6 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Montaje en superficiePG-SOT23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Demostración
1 - 25
de 27

190mA (Ta) FET simple, MOSFET


Los transistores de efecto de campo (FET) discretos se utilizan ampliamente en la conversión de energía, control de motores, iluminación de estado sólido y otras aplicaciones en las que es ventajosa su capacidad característica para encenderse y apagarse a altas frecuencias mientras transportan cantidades sustanciales de corriente. Se usan casi mundialmente para aplicaciones que requieren voltajes nominales de unos pocos cientos de voltios o menos, por encima de los cuales otros tipos de dispositivos, como los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) que se vuelven más competitivos.